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摘要 采用 70 nm GaAs mHEMT OMMIC 工艺 (D007IH) 设计了四级 K 波段 MMIC 低噪声放大器 (LNA)。基于 Momentum EM 模拟结果，四级 LNA 实现了 29.5 dB ±1 dB 的增益、低至 1 dB 的噪声系数 (NF) 和整个波段优于 -10 dB 的输入回波损耗。LNA 芯片尺寸为 2500 µm x1750 µm。由于选择源阻抗以最小化实现输入匹配网络所需的元件数量，因此设计工作流程可以改善 LNA 的 NF 和输入回波损耗。所提出的电路的输入匹配网络由与有源器件的栅极串联的单个锥形八角形电感器组成，从而对第一级实现的 NF 影响很小，并显著改善 LNA 的输入回波损耗。
GaAs MMIC 超低噪声.pdf
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