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沉积WS2
摘要：过渡金属二核苷（TMDS）吸引了广泛的各种设备应用的研究兴趣。原子层沉积（ALD）是一种CMOS兼容技术，可以使8至12英寸的高质量TMD纤维制备。用于大规模电路集成的晶圆。但是，ALD增长机制仍然尚未完全理解。在这项工作中，我们系统地研究了WS 2的生长机制，并发现它们与成核密度和纤维厚度有关。透射电子显微镜成像揭示了不同生长阶段下侧向和垂直生长机制的共存和竞争，并且获得了每种机制的临界厚度。当膜厚度保持小于5.6 nm（8层）时，平面内侧生长模式主导，而当厚度大于20 nm时，垂直生长模式占主导地位。从对这些生长机制的最终理解中，膜沉积的条件得到了优化，最大晶粒尺寸为108 nm。WS 2-基于效应的晶体管分别用电子迁移率和/o效率比分别为3.21 cm 2 v -1 s -1和10 5。，这项工作证明了TMDFIFM在晶状体尺度上具有出色的厚度和形态可控性的能力，从而使除晶体管以外的许多潜在应用，例如基于纳米或纳米丝的超级电容器，电池，传感器和催化。关键字：过渡金属二盐元化，原子层沉积，晶圆尺度，ws 2，fie fief-ect-exect transistors■简介
原子层沉积薄膜中的界面
和压力，并在每次前体暴露之间进行吹扫循环。[3] 需要彻底了解以选择前体、基材和发生自饱和沉积的温度窗口。之前已全面介绍了 ALD 类型和前体化学，重点是金属硫化物及其应用。[4] 本综述重点介绍 ALD 生产的薄膜中的界面相互作用。术语“界面”是指两相之间的边界——前一层结束和下一层开始的分离边界。理想情况下，这两层在化学上不具有相互作用，界面充当向下一种材料的突然转换。然而，在实践中，接触区域中的物理、化学和电子相互作用是不可避免的。这些相互作用引起的各种现象为与界面相关的研究开辟了新的途径。例如，最明显的相互作用可能是涉及晶格的相互作用。Short 等人。 [5] 报告称，他们在沉积 ZnS 和 Cu x S 多层薄膜的过程中发现，薄膜的结构取决于最先沉积的材料：Cu 2 S 主要呈现单斜结构，而 CuS 和 ZnS 则呈现六方取向。[6]
沉积 Fe 合金的组织与力学性能...
摘要：本研究采用定向能量沉积（DED）工艺在SCM420基体上沉积Fe-8Cr-3V-2Mo-2W工具钢粉末。本研究重点研究了沉积的Fe-8Cr-3V-2Mo-2W的力学性能以及热处理对其的影响。观察了沉积后热处理引起的沉积区域微观结构特征的变化。然后分析了热处理对力学性能的影响，并对沉积材料进行了硬度、磨损、冲击和拉伸试验。将这些性能与商用工具钢粉末M2沉积材料和渗碳试件的性能进行了比较。在沉积的Fe-8Cr-3V-2Mo-2W层中，通过后热处理获得了增加的马氏体相分数，并且碳化物析出量也增加了。这使得热处理后的硬度从48 HRc增加到62 HRc，耐磨性也显着提高。吸收的冲击能量从热处理前的 11 J 降低到热处理后的 6 J，但抗拉强度却从 607 MPa 大幅提高到 922 MPa。与 M2 沉积表面相比，Fe-8Cr-3V-2Mo-2W 沉积物的表面硬度降低了 3%，断裂韧性降低了 76%，但抗拉强度提高了 56%。与渗碳 SCM420 相比，Fe-8Cr-3V-2Mo-2W 沉积物的表面硬度和耐磨性提高了 3%，断裂韧性降低了 90%，抗拉强度提高了 5%。这项研究表明，与渗碳相比，通过 DED 进行的表面硬化可以表现出相似或更优异的机械性能。
电火花沉积铝化物的微观结构研究...
电火花沉积 (ESD) 技术已用于在 9Cr 还原活化钢上涂覆铁铝化物涂层，该钢是用于聚变反应堆测试包层模块的结构材料。在 X 射线衍射技术、光学显微镜、扫描电子显微镜和纳米压痕硬度测量的支持下，对铝化物涂层以及界面区域进行了相位识别和微观结构分析。微观结构检查表明，通过 ESD 工艺处理的钢的近界面微观结构发生了显著变化。涂层/基材界面的基材侧由可能具有准非晶性质的软区和该界面下方的 M 23 C 6 型碳化物偏析富集区组成。然而，涂层显示出广泛的裂纹缺陷，需要将其去除才能可靠地评估其作为包层应用的阻挡层的适用性。
Al2O3-TA2O5多层薄膜由...
这项研究旨在合成由Al 2 O 3和Ta 2 O 5制成的多层氧化物薄膜用于介电应用。由两个，四个或八个氧化物层制成的多层薄膜由物理蒸气沉积合成，特别是中频脉冲的直流电流磁子溅射。薄膜由化学计量的Al 2 O 3和Ta 2 O 5层制成，该层具有从扫描电子显微镜（SEM）获得的横截面图像中观察到的特定形态。Al 2 O 3层具有柱状结构，而TA 2 O 5层均匀致密。X射线衍射（XRD）特征表明，由于磁控溅射过程中使用的实验条件，尤其是底物的低温，这些氧化层的结晶度非常有限。
与Biodata表格的副本一起存放到...
指定的候选人将在NRRI/ICAR的选择吸收中指示的任期期。印度规范的ABO。2符合条件和期望的候选人是出现处方日期，时间和地点的证书（入学）。bio与3个研究所一起存入该研究所可能会进行技能测试o 4董事，Icar-nrri保留了正面方面的招聘过程。5 no ta和da以任何形式出现在6个拉票中，如果当前雇用将渲染7，那么CA雇主出现在间隔8中，没有任何候选人
无密封性的可靠性：商用气相沉积...
• 密封封装价格昂贵（定制）、笨重、占用大量空间 • 传统保形涂层的介电常数会严重影响射频电路性能（不能直接应用于有源元件） • 高频射频和微波设备仅与密封封装兼容或根本没有保护 • 没有可行的替代方案来替代密封封装 • 关键问题：– 射频兼容性 – 环境保护 – 成本效益 – 可扩展性
化学气相沉积石墨烯——从合成到……
图 2. (a) 热丝 CVD 装置中的 CVD 工艺示意图。(b) 石墨烯生长后的铜箔光学显微照片，显示三个晶粒 G1、G2 和 G3。(c) 铜箔上 HF-CVD 石墨烯的典型拉曼光谱。(d) 2D 谱带强度的拉曼图和 (e) (b) 红色方块所包围区域的 2D 和 G 谱带强度比。[图片改编自 Ref. 27]
SiO2胶片由APCVD带有Teos/ozone ...
二氧化硅SIO 2薄膜使用大气压化学蒸气沉积APCVD与四乙基硅酸盐Teos和臭氧O 3作为反应剂气体。这些纤维用作低温多晶型甲甲硅硅LTP薄膜晶体管TFTS的栅极介电。O 3气体而不是氧气O 2气体，因为后者与LTPS TFT的低温处理不兼容。SiO 2在低温下沉积的纤维纤维对栅极绝缘体材料所需的Si – OH含量和电性能低。尽管使用APCVD沉积的低成本SIO 2纤维制造了LTPS TFT，但制造的设备表现出49 cm 2 / v s的效果迁移率和490 mv / dec的subs Thresshord Swist。结果表明，APCVD用TEOS和O 3沉积的SIO 2是一种有前途的材料，用于低成本和高质量的LTPS TFTS。©2009电化学学会。doi：10.1149/1.3267039保留所有权利。
高温沉积硅能谱的研究
I. 引言 工业界、研究机构和学术界使用专门的辐照设备对微电子元件进行辐照试验，以研究单粒子效应 (SEE)。具体来说，散裂设备试图重现感兴趣的辐射环境，获得超过数百 MeV 的能量范围。只有大型加速器才能达到如此高的能量，因此全球范围内的可用性有限。在欧洲，用于微电子测试的两种散裂设备是啁啾辐照 (ChipIr) 和欧洲核子研究中心高能加速器混合场 (CHARM)。ChipIr 是英国卢瑟福·阿普尔顿实验室的光束线，它利用 ISIS 加速器的 800 MeV 质子在钨靶上的散裂来产生类似大气的中子束 [1]。 CHARM 是位于瑞士 CERN 的设施，它使用 PS 加速器的 24 GeV 质子作用于铜靶，产生高能强子混合场，主要为中子，但也包括质子、介子和 K 介子 [2]。根据辐射场的性质，ChipIr 主要用于地面或飞行高度测试，而 CHARM 则专用于加速器或太空应用。两者需要进行详细交叉校准的原因