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基于谐振器的介电体和半导体材料表征的先进建模技术
摘要：本文报道了基于有限差分时域 (FDTD) 和有限元法 (FEM) 的介电谐振器材料测量装置建模的最新进展。与介电谐振器设计方法不同，介电谐振器设计方法使用贝塞尔函数的解析展开来求解麦克斯韦方程，而本文仅使用解析信息来确保场的固定角度变化，而在纵向和径向方向上应用空间离散化，从而将问题简化为 2D。此外，当在时域中进行离散化时，全波电磁求解器可以直接耦合到半导体漂移扩散求解器，以更好地理解和预测基于半导体的样品的谐振器的行为。本文将 FDTD 和频域 FEM 方法应用于介电样品的建模，并根据 IEC 规范规定的 0.3% 范围内的测量结果进行验证。然后采用内部开发的耦合多物理场时域 FEM 求解器，以考虑电磁照明下的局部电导率变化。由此展示了新方法，为介电谐振器测量的新应用开辟了道路。
一种快速有效的氧化锆珠介导的超声策略，用于DNA碎片，最高10 kbp
材料上的特性。15最近，多层材料在表面工程社区中引起了广泛的关注，复合电极的制造也广泛用于LM电极处理。这还涉及增强电极材料的表面和界面，例如，减少金属颗粒的大小，不合适的多孔或分层结构，并与各种纳米颗粒进行修改或功能化表面（例如，，金属，金属氧化物，碳材料和离子/电子导电聚合物）。16 - 19虽然一项重要的研究集中在界面模式cation在改善金属化lms的能量存储和电性能中的作用，但它在自我修复特性方面已被很大程度上忽略了。由于其出色的电绝缘层和高导热率，可以将金属氧化物连接到聚丙烯LMS的表面上，以通过蒸气沉积形成复合的绝缘培养基。该方法不仅在适度地增加了复合lms的相对介电常数，而且在显着增强了电容器核心的热有效性方面。20,21尽管热量的快速耗散是由于电容器的介电损失或自我修复而产生的，但据信复合LMS可以防止在自我控制点附近介电lm的层间粘附，从而在自我控制过程中发挥隔离功能。22,23
气候变化，体育活动和运动：系统评价
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
实体瘤的TCR工程T细胞疗法Terahertz低损坏的介电特征...
抽象的常见热塑料，即聚体（PC），聚（PC），聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）和丙烯腈丁二烯苯乙烯苯乙烯（ABS）是在新兴的6G连方系统中的潜在应用，可用于微型填充物和汇总fillectronics andastos，并具有潜在的应用。还需要进行更多的脚步应用，例如整个手持设备的包装，子组件和高频温度，而低成本是关键，而长寿命可能不是要求。在这项工作中，我们利用Terahertz时域光谱从500 GHz到2 THz来表征上述每个热塑性的介电特性和损耗切线。所研究的塑料具有低分散体的6G带中的折射率（〜1.6-1.7）。但是，吸收在高频上增加，因为在无序材料中通常会增加，这突出了6G的关键挑战。尽管如此，与（较高索引）玻璃杯和整个频率范围内（较高的）玻璃杯和陶瓷相比，所研究的所有热塑性塑料表现出低损失的性能，这表明它们是未来6G系统所选应用的有希望的候选者。
第二谐波生成用于介电 - 轴向导体堆栈中界面电场的表征
诸如MOSFET，光电探测器，光伏细胞之类的设备的性能受到接口质量的强烈影响，尤其是介电和硅之间。已知通过高介电常数Diélectrics（High-k）对IF的钝化可以改善这些接口的电性能。在用于表征界面质量的方法中，第二次谐波（SHG）的产生是一种基于非线性光学器件的有希望的敏感和非破坏性技术。在偶极近似中，中心分析材料中的SHG响应（例如Si，Al 2 O 3，Sio 2等）为零。因此，SHG响应主要包含与界面相关的信息，其中对称性被打破。此外，在界面处的电场（E DC）存在下，信号得到加固。该现象称为efish（电场诱导的SHG）。由于电界面场与氧化物（Q OX）和/或界面状态（d IT）中的固定载荷相关联，因此SHG技术对这些电参数敏感。本论文的目的是校准SHG响应，以测量与电介质中固定载荷相关的电场。从SHG实验数据中提取电气信息需要考虑光学现象的影响（吸收，干扰等。），这得益于对所研究结构的第二个谐波的响应进行建模/模拟。我们的仿真程序基于我们为多层人士改编的文献的理论模型。实验是在Si（100）上的几层Al 2 O 3上进行的，在可变条件下沉积并且界面质量非常不同。互补的电气技术，例如Corona负载（COCOS）和容量张力测量（C-V）的表征，使得访问样品的电场并完成SHG结果以进行校准。实验和模拟证明了Si介电的单个校准的可能性还讨论了与多层（绝缘体上的硅）等多层表征相关的一些研究元素，特别是对各个接口处存在的层厚度或电场厚度的SHG响应的影响。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
环氧基光刻胶薄膜纳米复合材料与碳包覆 Cu@C 纳米粒子的优异介电性能
C. L APEYRONIE 1*，MS A LFONSO 1，B. VIALA 2，J.-H. T ORTAI 1 1 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CNRS、CEA/LETI-Minatec、格勒诺布尔 INP、格勒诺布尔阿尔卑斯大学工程与管理学院、LTM、格勒诺布尔 F-38054、法国 2 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、LETI、38000 格勒诺布尔、法国
“使用拓扑设计的3D介电纳米纳米式天线增强纳米级手性增强”的补充信息”
拓扑优化图1（a）描绘了TO的物理模型。拓扑设计空间由400×400×100 nm 3的矩形区域定义，这是测量1的较大电磁场模拟区域的一部分。1 µm×1。1 µm×600 nm。在设计空间下方放置了100 nm厚的SIO 2底物。使用具有高斯模式的R -CPL使用几乎薄的透镜（Na 0.25），以垂直角度将其定向到底物表面上。位于底物表面上的梁腰部在底物表面的直径为982 nm。波长为532 nm，距离基板的光源位于420 nm。tio 2被选为设计材料，其折射率为2。51185 + 0。01128 i在设计波长处，通过椭圆测量法对通过原子层沉积制备的118 nm厚的TIO 2膜进行了实验测量。有限差频域法被用作麦克斯韦求解器[17，40]。用4 nm cu-bic网格离散模拟区域，将最外面的五层分配为完美匹配的层，该层吸收了仿真空间内单个对象散射的电磁场。在TO框架内，配偶的介电函数桥接了设计材料E R和周围空气介质（E 0）的值，形成为E R = E 0 +ρ（E M-e 0）。在这里，设计变量ρ是连续的真实标量，范围为0至1。文献[16，40]中记录了TO的更多细节。我们的设计变量的初始值被设置为随机数字，均匀跨越0.5至0.7。我们采用了基于梯度的优化算法将设计值ρ向0或1驱动，其中ρ= 1的分布代表优化的结构。另外，为了鼓励设计变量的二线化，我们使用sigmoid函数实现了一种投影过滤方法。计算是在具有NVIDIA TESLA V100 SXM2（32 GB）的GPU节点上进行的。
重新定义纳米级高 k 介电材料在储能领域的应用：一种新型电化学活性保护屏障
关键词：能源材料、纳米级效应、高 k 电介质、隧道传导、电化学储能。缩写：（第一页脚注） ALD：原子层沉积 Si NWs：硅纳米线 Si NTs：硅纳米树 Al@SiNWs：氧化铝涂层硅纳米线 Al@SiNTs：氧化铝涂层硅纳米树 3 纳米 Al@SiNWs：3 纳米氧化铝涂层硅纳米线
抛物面介质反射器，用于宽带宽的极端片上光斑尺寸转换
光斑转换器是实现不同尺寸波导间光高效耦合的关键。虽然绝热锥形非常适合小尺寸差异，但当扩展因子达到 × 100 左右时，它们会变得太长，这在耦合集成波导和自由空间光束时通常需要。在这种情况下可以使用衰减耦合器和布拉格偏转器，但它们的操作本质上受到带宽的限制。这里，我们提出了一种基于抛物面电介质界面的解决方案，该界面将光从 0.5 µ m 宽的波导耦合到 285 µ m 宽的波导，即扩展因子为 × 570 。我们通过实验证明了前所未有的超过 380 nm 的带宽，插入损耗低于 0.35 dB 。此外，我们提供了针对任意扩展因子设计此类抛物面光斑转换器的解析表达式。