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退火对铁、钴离子掺杂硅表面晶体结构的影响
摘要：本文报告了应用卢瑟福背散射光谱 (RBS) 研究硅中植入的铁和钴原子的分布曲线随辐射剂量和退火温度变化的结果。研究了热退火对铁、钴，特别是氧的分布的影响。作者强烈建议，在某些热处理条件下，通过施加特定的辐射剂量，所谓的外延硅化物将在单晶表面形成，这些硅化物可以起到导电层或金属层的作用。可以考虑使用 RBS 方法来分析掺杂剂的拓扑分布和杂质的相互作用。关键词：杂质、分布、影响、热退火、植入原子、薄层、深度、辐射剂量、结构、薄膜 ________________________________________________________________________________________ 1. 简介
在ORR和碱性培养基中支持的基于掺杂石墨烯的材料的镍纳米颗粒
由于常规化石燃料的有限可用性变得更加明显，因此世界需要转向更可持续和可再生的能源。因此，燃料电池（FCS）或电蛋白剂的开发，提供清洁能源的能量转换技术（可再生且环保的）对弥补预期短缺的必不可少的必不可少，这对于实现了解决此问题的解决方案的关键[1]。的确，在站立的基础机制和催化剂中已经取得了重大进展，这些机制和催化剂均驱动氧还原反应（ORR）[2-5]和在这些设备中发生的氢进化反应（HER）[6-9]，从而导致这些技术的显着进步。当前的目标是提高其效率，规模能力和经济可行性，从而为广泛采用氢作为干净可持续的能量向量铺平了道路。今天，关键原材料（CRM）在欧洲经济中继续具有重要意义。这些材料在战略上至关重要，具有高供应风险，对于无数部门，例如Elec Tronics，Reenwable Energy，Automotive和Aerospace等无数部门至关重要[10]。因此，已经进行了数十年的广泛研究[11-16]，以避免使用白金组材料作为质子交换膜燃料电池（PEMFC）和PEM电解剂的催化剂。
基于 PEDOT/SnS 掺杂 Ag 的混合层状热电材料的电化学合成
其中，S 为塞贝克系数，σ 为电导率，κ 为热导率，T 为绝对温度。ZT 用于比较热导率不同材料的热电性能。而功率因数（PF = S2σ）则比较热导率相近材料的热电效率。[1–7] 目前，Bi 2 Te 3 、PbTe 和 SiGe 等无机化合物占据热电市场主导地位。[8–12] 然而，这些化合物的使用存在若干缺点，例如毒性、原材料稀缺、成本高和不可持续。因此，人们对寻找可替代的可持续、高度丰富、低成本和无毒的材料有着浓厚的兴趣。有机半导体（例如：导电聚合物、碳质材料和纳米复合材料）由于其优越的性能（例如可用性、低热导率、易于化学改性和大规模生产）而提供了一种新兴的替代方案。通过掺杂 PEDOT 来提高导电聚合物的热电性能，可使 ZT 值达到 0.2–0.4。[13] 碳纳米结构，特别是碳纳米管 (CNT) 在通过以下方法制备的多层系统中表现出优异的热电行为
研究光电设备的掺杂钡陶瓷材料的物理化学和光学特征
Ambikapur-497001，印度Chhattisgarh，4 M.Sc.-Student，化学系，Pt。Ravishankar Shukla大学，Raipur，Chhattisgarh摘要：这项研究研究了掺杂的钛酸钡（Batio 3）陶瓷的结构，介电和光学性质，突显了它们用于高级电子应用的潜力。钛酸钡是一种突出的铁电材料，以系统的方式与各种元素一起掺杂，以改善其功能属性。通过X射线衍射（XRD）的方式描述了晶体结构和相位发展，展示了掺杂如何影响晶格参数和相位稳定性。介电特征，例如损失切线和介电常数，揭示了掺杂剂对介电行为和铁电特性的影响。光学研究，包括UV-VIS光谱法检查了带隙和光透射率，这对于光电子用途至关重要。发现，靶向掺杂可以有效地改变钛酸钡陶瓷的结构，介电和光学特性，使其非常适合电容器，传感器和其他电子设备。这项研究为优化钛酸钡陶瓷提供了宝贵的见解，以在各种技术应用中实现卓越的性能。也已经观察到某些掺杂剂减少了带隙的能量，从而导致更好的光学透明度和可调折射率，这对于光电应用非常有价值。关键字：钛盐（Batio 3），掺杂陶瓷，介电特性，光学特性，1。引言钛酸钡（Batio 3）钙钛矿结构的陶瓷，由于其出色的介电，铁电和压电性特性，一直是电子应用中的基础材料[1]。这些独特的特征使Batio 3在各种电子设备中必不可少，包括多层陶瓷电容器（MLCC），热敏电阻，执行器和传感器[4]。该材料的高介电常数和可调节的铁电特性对电容器特别有益，在该电容器中，有效的能量存储至关重要[10]。但是，随着电子技术的发展，越来越多的需求以进一步增强和优化Batio 3的内在特性，以满足
从定量磁共振>
半导体单壁碳纳米管（S-SWCNT）是一类重要的P-偶联有机半导体（OSC），可以启用新兴的光电应用。了解S-SWCNT中的电荷传输机制（通常是OSC）对于材料和设备设计至关重要。诸如光电，传感器，发光二极管，现场效应晶体管和热电设备等应用都需要良好的电导率和载体迁移率。测量OSC中电导率的常见方法不允许独立测量托管载体密度或移动性，因此很难回答重要的基本和应用问题并阻碍性能优化。为了解决这一知识差距，我们使用光吸收和核磁共振光谱开发了一种组合方法，以直接测量掺杂的S-SWCNT中的托管载体密度。我们证明了载体密度会影响电荷离域化，从而导致载体密度依赖性迁移率，这与被电离杂质散射限制的迁移率相反。将模拟与我们的实验数据结合起来会产生相关曲线，该曲线可以通过快速且随时可用的吸收光谱测量来确定掺杂的S-SWCNT中的载体密度。结果为OSC社区提供了一个有价值的路线图，用于调整，量化和优化载流子密度，以供广泛的能源收集和光电应用。
氧化锌掺杂的硼硅酸盐玻璃的合成和伽马射线屏蔽效率：比较研究
摘要这项研究研究了几种玻璃成分作为伽马射线屏蔽物质的适用性。所测试的组合物具有不同的ZnO浓度，特别是（60-X）B 2 O 3 - 10NA 2 O —15SIO 2 –15SIO 2-5AL 2 O 3 - （x + 10）ZnO（其中x = 5、10、15和20 mol％）。测量以0.6642、1.1776和1.3343的能量水平进行，从CS 137和CO 60点源辐射，以及闪烁检测器[NAI（TL）]。我们研究了与γ辐射屏蔽相关的关键特性，确定有效原子数（z eff），电子密度（N EL），半价值层（HVL），线性衰减（μ）和质量衰减（μm）系数（μm）系数和平均自由路径（λ）。我们的结果表明，随着Zn浓度从15摩尔％上升到35 mol％，在检查中的眼镜从2.12至2.77 g/cm3变得更密集。此外，所有玻璃成分都提供了针对指定能级的伽马辐射的足够保护。µ的值从0.157上升到0.214 cm -1（0.6642 meV），从0.119升至0.160 cm -1（1.1776 meV），并从0.114 cm -1（1.1776 meV），从0.114 cm -1（1.3343 meV）上升到0.160 cm -1（1.1776 meV）。对于样品B1和B4，观察到的HVL值从4.41、5.84和6.12 cm降至3.21、4.31和4.61 cm，分别为0.6642、1.1736和1.3343 MEV。与经常使用的玻璃和混凝土样品相比，经过测试的材料中显示的屏蔽能力更高。该研究强调了这些玻璃成分作为可以掩盖伽马辐射的实用材料的潜力。
单线，三重和对密度波的超导性超导性超导性在掺杂三角形的moir´e系统
最近的实验进步已建立了扭曲的双层过渡金属二甲元化（TMD），它是研究多体物理学的高度可调平台。尤其是，据信，位移场下的同型TMD被认为是由具有自旋依赖性跳相θ的广义三角晶格哈伯德模型描述的。为了探索θ对系统的影响，我们对相关的三角晶格T-J模型执行密度矩阵重新归一化组计算。通过在小孔掺杂下更改θ，我们获得了一个准长范围的超导顺序，并在0 <θ<π/ 3中与电荷和自旋密度波共存。 div>超导性由主导的旋转单线d波和亚尺寸三重态P-波配对组成。有趣的是，S z =±1三个三个配对组件具有配对密度波。此外，我们发现了一个三胞胎超导率区域，与π/ 3 <θ<2π/ 3内的电荷密度波和铁磁性共存，该区域通过spin-flip和衡量变换的联合操作在较小的θ下与以前的相位相关。我们的发现为扭曲TMD系统中的外来超导性提供了实验性搜索的见解和方向。
对HO3+掺杂CA3的结构和光致发光特性的研究（VO4）2发光设备的磷
化合物具有良好的基础，因为它们具有多种优势。它们表现出可调的发射特性；因此，可以针对特定C应用定制发射光的颜色和强度。11 - 13这种可调节性是创建可以补充人类视觉敏感性的磷光器的关键特征，从而带来最佳的照明和显示质量。ca 3（vo 4）2（一种钒酸盐）具有一种结构结构，当用某些稀土离子掺杂时，可以定制以在可见光谱中发出光。14此功能使CA 3（VO 4）2成为需要绿色排放的引人注目的选择，例如在W-LED和显示技术中。15基于Ca 3（vo 4）2的磷光体的可调节性能源于其可调节的特性，从而能够以受控和有效的方式产生材料。发射白光二极管（LED）的发展在很大程度上取决于绿色发射磷。在发光活化剂中，TB 3+离子以其出色的量子产率，辐射纯度和稳定性而闻名。16,17用于研究绿色发光，最近将TB 3+离子添加到宿主材料中，例如BioCl和Sral 2 O 4。 18,19 4f 8 - 4f 7 5d 1转换负责TB 3+离子在（220-300）NM区域中显示的广泛激发属性。 令人惊讶的是，在此激发范围内还吸收了孤立的VO 4 3-部分，可能用作TB 3+离子敏化剂。 kuz'Icheva等。 在TM掺杂的Ca 3（vo 4）2中证明了光谱发光特性。 20 Voronina等。16,17用于研究绿色发光，最近将TB 3+离子添加到宿主材料中，例如BioCl和Sral 2 O 4。18,19 4f 8 - 4f 7 5d 1转换负责TB 3+离子在（220-300）NM区域中显示的广泛激发属性。令人惊讶的是，在此激发范围内还吸收了孤立的VO 4 3-部分，可能用作TB 3+离子敏化剂。kuz'Icheva等。在TM掺杂的Ca 3（vo 4）2中证明了光谱发光特性。20 Voronina等。描述Mn掺杂的Ca 3（vo 4）2，21
无金属碳和氧掺杂的六方氮化硼光催化剂降解有机污染物
悉尼科技大学土木与环境工程学院，悉尼，新南威尔士州 2007，澳大利亚 韩睿，研究生 东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室，沈阳 110819，中国，悉尼科技大学土木与环境工程学院，悉尼，新南威尔士州 2007，澳大利亚，*Andrew Nattestad，DECRA 研究员 ARC 电子材料科学卓越中心，智能聚合物研究所，澳大利亚创新材料研究所，伍伦贡大学，伍伦贡，新南威尔士州 2525，澳大利亚，anattest@uow.edu.au (A. Nattestad)，0000-0002-1311-8951 *孙旭东，教授 东北大学轧制技术与自动化国家重点实验室，沈阳 110819，中国，xdsun@neu.edu.cn (X. Sun) *黄振国，副教授 教授
采用半导体分布掺杂区带宽可切换带通滤波器的新型合成方法
摘要 本文介绍了一种使用半导体分布掺杂区 (ScDDA) 作为有源元件的带宽可切换带通滤波器的新型合成方法。提出了一种协同设计方法，对可切换滤波器的有源和无源部分进行整体和同步设计。集成在硅基板中的 ScDDA 能够从半波长开路短截线转换为四分之一波长短路短截线。这种协同设计方法具有很大的灵活性，允许将有源元件直接集成在基板中，从而避免任何元件焊接。该合成是针对有源元件的两种状态开发的，并作为概念验证应用于四极带宽可切换带通滤波器。该滤波器工作频率为 5 GHz，在 OFF 状态下（当短截线通过开路终止时）带宽为 50%，在 ON 状态下（当短截线短路时）带宽为 70%。对于该滤波器，合成在两种状态下进行，允许选择两个所需的带宽。这些结果得到了良好的拟合，证明了这种方法的可行性。