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nigraf：一种新的基于镍的分子掺杂金属，用于增强水电解
降低通过敬畏的电解H 2的生产成本（今天总计每千克5.50 h）4需要通过降低电解电池超潜在的同时保留Ni基电催化剂的典型的高电催化剂耐用性来发展更有效的电极。商业成熟度，该电解允许在2 a cm 2以上进行持续操作，但使用大量昂贵且稀有的铂金属金属（PGM），尤其是PT和IR。在过去的十年中，出现了一种新颖的技术，将高生产率PEMWE与使用非关键资源相结合的新技术已经出现，即一种新型的电解质类，即碱性膜水电油（AMWES），将阴离子交换膜用作分离器，并可以用PGM-FRE-FRE-FRE-FEM-FREA cATALYSTS进行操作，5使技术和
在掺杂的范德华磁铁中泛滥的室温超越室温铁磁
1 Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Lab, Berkeley, California 94720, USA 2 Physics Department, University of California, Berkeley, California 94720, USA 3 School of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA 4 Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, USA 5 Quantum Design, Inc.，San Diego，CA 92121，美国6应用物理系，耶鲁大学，纽黑文，康涅狄格州，06511，美国7 NSF纳米级科学与工程中心（NSEC），3112 Etcheverry Hall，加利福尼亚大学，伯克利分校，加利福尼亚州伯克利分校，加利福尼亚州94720，美国947年77，美国947，伯克利贝克利氏caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley caeley，美国纽约市康奈尔大学康奈尔大学纳米级科学的卡夫利研究所（Nanscale Science）14853，美国（日期：2022年5月26日）
09,13薄锌薄膜的光谱与铜 div>
透明导电金属氧化物已成为研究的主题，这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物，氧化锌，氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力，可作为功能性气体传感器组件，表面声设备，透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值（〜3。3 eV在室温下）和激子结合能（约60 meV）允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用，例如，通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下，铜合金添加剂更有效，因为铜是半导体中迅速扩散的杂质，它会导致结晶结构和物理性能的修改，例如，表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息，这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂（ZnO：Cu）薄膜的光光谱的行为。
铈掺杂氧化钇的微观结构和电子特性：理论解析
三价铈 (Ce 3 +) 掺杂的氧化钇 (Y 2 O 3 ) 基质晶体由于其流行的 5d-4f 光学跃迁而引起了广泛的兴趣。先前的研究已经证明了 Y 2 O 3 ：Ce 体系的优异光学性能，但是微观结构仍不清楚。Y 2 O 3 ：Ce 微观结构的缺乏可能会对进一步挖掘其潜在应用造成问题。为此，我们基于 CALYPSO 结构搜索方法结合密度泛函理论计算，全面研究了 Y 2 O 3 ：Ce 晶体的结构演变。我们的研究结果揭示了一种具有 R-3 组对称性的新型菱面体相 Y 2 O 3 ：Ce。在基质晶体中，中心位置的 Y 3 + 离子可以自然地被掺杂的 Ce 3 + 取代，从而形成完美的笼状结构。我们发现一个有趣的相变：当杂质Ce3+掺杂到基质晶体中时，Y2O3的晶体对称性由立方变为菱面体。当Ce3+的标称浓度为3.125%时，由于基质晶体中占据点的不同，也识别出许多亚稳态结构。模拟了Y2O3：Ce的X射线衍射图，理论结果与实验数据相一致，证明了最低能量结构的有效性。声子色散的结果表明基态结构是动态稳定的。电子性质分析表明Y2O3：Ce具有4.20eV的带隙，这表明杂质Ce3+离子的掺入导致Y2O3基质晶体从绝缘体到半导体的转变。同时，电子局域化函数表明晶体中O原子的强共价键可能对基态结构的稳定性有很大贡献。这些结果阐明了Y 2 O 3 ：Ce的结构和成键特征，也为理解实验现象提供了有用的见解。
氧化锌纳米颗粒的绿色合成掺杂的leucas aspera叶提取物
及其光催化应用V. C. C. Senthilkumar a，*，N。Bhadusha A，R。Uthrakumar B，K。Kaviyarasu C A Chaviyarasu C A Chemistry o a Govt。艺术学院（自治），塞勒姆-636007，印度泰米尔纳德邦B物理学系，政府。Arts College (Autonomous), Salem - 636007, Tamil Nadu, India c UNESCO-UNISA Africa Chair in Nanosciences/Nanotechnology Laboratories, College of Graduate Studies, University of South Africa (UNISA), Muckleneuk Ridge, PO Box 392, Pretoria, South Africa Zinc oxide (ZnO) nanoparticles have been produced from the leaf extract of Leucas Aspera通过在绿色综合策略中利用直接的共同产生技术。通过光催化分析，FTIR，XRD，UV-可见和SEM检查产生的纳米颗粒。ZnO相关的独特峰。XRD研究验证了产生的纳米颗粒具有六边形晶体结构。掺杂的ZnO利用叶提取物具有表面形态，实际上是球形的，并且凝聚最小。ZnO-LA复合物的光催化染料降解有效性针对可见光照射约为83％。（2024年7月16日收到； 2024年10月22日接受）关键词：ZnO纳米颗粒，有机染料，UV-可见性，光催化性能，传输电子显微镜，高级氧化过程1。引言许多技术和工业领域，包括环境科学，食品技术，生物技术，健康，信息科学，能源，运输等，这在很大程度上都在现代化，这要归功于纳米技术。因为纳米技术可以以极小的尺寸修改材料的性质，所以它对材料科学研究的发展产生了巨大影响。大多数纳米颗粒是使用自下而上的技术创建的，例如水热，喷雾热解，化学蒸气沉积和溶胶 - 凝胶手术，以及自上而下的技术，例如溅射，光刻和球铣削。可以通过调整化学浓度和反应条件，特别是在化学程序中来操纵纳米颗粒的大小和结构。但是，这些技术是昂贵，危险和有毒的，并且经常产生意外的副产品。
掺杂通道 SOI pMOS TCAD 描述包括浮体效应
几十年来，人们对 SOI 器件进行了广泛的研究，并将其应用于多种应用：具有厚硅膜（>60nm）的部分耗尽 SOI 器件用于 RF-SOI 应用 [1]，而具有薄 SOI 膜（<10nm）的全耗尽 SOI 器件用于 RF、数字和更多 Moore 应用 [2-4]。已知 PD-SOI 器件中会发生浮体 (FB) 效应 [5-6]，可以通过体接触消除 [7-8]，而 FD-SOI 器件由于具有薄 SOI 膜，因此不受 FB 效应的影响。最近，已经提出了在薄 BOX 上具有相对较薄的薄膜（22nm）的 SOI 器件，以满足 3D 顺序积分的成像器应用要求 [9]，其中 SOI 膜掺杂可用于 Vt 居中。本文的目的是确定这种 SOI 器件的操作，并提出相应的 TCAD 描述，考虑 SOI 膜掺杂。
SR2+和Zr4+掺杂的Batio3巨大介电常数超材料的增强的介电特性
摘要。Batio 3是钙钛矿结构的最重要功能材料之一，广泛用于电子工业中。但是，Batio 3的介电介电常数仍然相对较低，这极大地限制了其在具有巨大介电介电常数的超材料中的实际应用。在这项工作中，（Ba 100 x Sr X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷是通过实心烧结方法制造的。令人惊讶的是，（ba 100 x Sr x）（ti 100 y zr y）o 3复合陶瓷材料的介电性能分别依赖于A位置和B位置的Sr 2+和Zr 4+的占用。因此，通过调整SRTIO 3和BAZRO 3的掺杂量，介电介电常数为28287（65°C，1 kHz），以及在（ba 90 sr 10）（ba 90 sr 10）中的高分子分解强度为84.47 kV/cm，是在214％的范围内，是214％的13％and 13％，是214％的13％。 （BA 99 SR 1）（Ti 99 Zr 1）O 3复合陶瓷。此外，通过有限的元素模拟确定了介电介电常数显着增加的原因，并探索了复合陶瓷材料的分解机制。这项工作提供了一种构建高介电介电常数复合陶瓷的简便方法，即（BA 100 X SR X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷在电子和静电储能存储电容器方面具有广泛的应用前景。
由掺杂的原子薄的半导体异质结构中强的电子脱位诱导的超导性
我们研究了一种在原子薄的半导体中诱导超导性的机制，激子介导电子之间的有效吸引力。我们的模型包括超出声子介导的超导性范式的相互作用效应，并连接到玻色和费米极性的良好限制。通过考虑TRIONS的强耦合物理，我们发现有效的电子相互作用会形成强频率和动量依赖性，并伴随着经历了新兴的BCS-BEC交叉的系统，从弱绑定的S-波库珀对Bipolarons的超浮雕。即使在强耦合时，双丙酸也相对较轻，从而导致临界温度占费米温度的10％。这使二维材料的异质结构有望在通过电子掺杂和Trion结合能设置的高临界温度下实现超导性。
Bapoped Bifeo 3薄膜的结构演化和能带调制
bi 1 -x ba x feo 3（bbfo，x = 0，0.03，0.1）薄膜是通过脉冲激光沉积在srruo 3-固定srtio 3（001）底物上外上脚部生长的。随着BA含量的增加，BBFO薄膜显示出显着降低的泄漏电流，但抑制了铁电偏振。X射线衍射互惠空间映射和拉曼光谱表明在BBFO薄膜中，从菱形的类似隆隆巴德中的到四方样相的结构进化。光吸收和光电子光谱测量表明，BBFO薄膜中能量带结构的调节。BBFO薄膜带有A位点BA受体掺杂，表现出光切的蓝移膜和工作函数的增加。 已调制了BBFO薄膜的传导和价带的能量位置，而费米水平向下转移到了禁带的中心，但是受体掺杂的BFO薄膜仍显示N型传导。 受体掺杂存在额外的氧气空位应该为传导行为做出贡献。 这项研究提供了一种操纵功能特性的方法，并洞悉BFO薄膜中BA掺杂物理学的洞察力。带有A位点BA受体掺杂，表现出光切的蓝移膜和工作函数的增加。已调制了BBFO薄膜的传导和价带的能量位置，而费米水平向下转移到了禁带的中心，但是受体掺杂的BFO薄膜仍显示N型传导。受体掺杂存在额外的氧气空位应该为传导行为做出贡献。这项研究提供了一种操纵功能特性的方法，并洞悉BFO薄膜中BA掺杂物理学的洞察力。
通过溶胶-凝胶燃烧得到的 Dy3+ 掺杂 CaAl2O4 的光致发光和余辉
其中 Dy 3+ 掺杂的铝酸钙 (CaAl 2 O 4 :Dy 3+ ) 是一种著名的无机荧光粉，在紫外激发下可发出白色光致发光 (PL)。5 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 除了白色的 PL 之外，即使去除紫外激发后，仍呈现白色的余辉。6 根据 Liu 等人在 2005 年报道，Dy 3+ 是 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 余辉的发光中心，在最佳掺杂浓度为 2 at% 时，固相反应生成的 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 的白色余辉持续时间为 32 分钟。 6 对于辉光材料，带电载流子的激发、迁移、捕获、释放和辐射复合过程对于理解其辉光性质至关重要。 7 – 9 例如，只有当陷阱具有适当的活化能（大约 0.65 eV）时，才能在室温下实现长时间的辉光，而浅陷阱（E # 0.4 eV）和深陷阱（E > 2 eV）并不理想，因为它们在室温下很容易或很难被清空。 7 到目前为止，只有一篇关于 CaAl 2 O 4 :Dy 3+ 辉光的报道，没有完全揭示带电载流子的激发、迁移、捕获和释放过程。缺乏这方面的知识阻碍了对辉光材料的进一步研究。