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掺杂p-托苯磺酸掺杂的聚苯胺的电导率和热性能
摘要在这项研究中，通过用苯胺盐氧化聚合方法制备了聚苯胺（PANI）。p-硫烯磺酸（P TSA）充当赋予导电性能的掺杂剂。掺杂过程将PANI的颜色从蓝色Pani Emeraldine碱（EB）转变为绿色Pani Emeraldine Salt（ES）。通过热重分析（TGA）和差异扫描量热法（DSC）分析了掺杂的PANI的热特性。TGA结果说明了PANI-EB体重减轻的两个主要阶段，这是水分含量和聚合物降解的损失。pani-es显示了三个降解阶段，这些阶段是去除掺杂剂，水分含量和聚合物主链的分解。Pani-es开始在170至173°C的较高温度下降解。这个结果表明，与PANI-EB相比，Pani ES具有更高的热稳定性，而PANI-EB的温度范围为160至163°C的较低温度开始恶化。dsc分析表明，pani的PTSA中有0.9 wt。PTSA的热量表中描绘了一系列宽峰，这表明与PANI相比，与PANI相比，pani的峰值较高，而PANI则具有不同浓度的PTSA。此外，pani为0.9 wt。％的P TSA在125°C时表现出最高的热稳定性。准备好的PANI通过应用易于浸入技术来制造导电织物。将棉布浸入三种不同浓度（0.3、0.6和0.9 wt。％）的Pani-PSA溶液中。基于电阻抗光谱（EIS）分析的发现，可以得出结论，与PANI相比，PANI的PANI为0.9 wt。PTSA的PANI表现出更好的电导率（3.30 x 10 -3 s/m），而PANI的电导率（1.06 x 10 -7 s/m）。关键词：聚苯胺，导电聚合物，热重分析，差扫描量热法，电阻抗光谱
氧化石墨烯和碳黑对尼伯二掺杂钛酸盐的热电性能的影响
基于钛酸盐的陶瓷由于其低成本以及高热和化学稳定性而有希望的N型热电学。在这里，用电化学生产的氧化石墨烯（EGO）和市售的碳黑色（CB）的碳添加碳添加了SRTI 0.85 Nb 0.15 O 3。陶瓷样品在还原的气氛下在1700 K处烧结。XRD，HR-TEM和Raman Spectra证实基质相为立方perov-Skite。没有碳残留。通过掺入氧化石墨烯，由于载流子迁移率增强，电导率在300 K时在300 K下增加了9倍至2818 s cm-1。相比之下，碳黑色样品表现出低密度和较小的平均晶粒尺寸约为1μm。高分辨率的X射线光电子光谱显示出碳黑色样品中存在大量电离杂质，从而显着增强了散射效应。在873 K处实现了1.7 W m -1 K -1的低热电导率。该工作表明，自我促进了SRTIO 3中的电荷运输，而CB则显着抑制了声子的传输。这两种影响与其他热电学的发展有关。
简讯 氮掺杂碳材料的制备及其电化学性能分析 岳源
北京理工大学光学与光子学院，北京，100081，中国 电子邮件：yuanyue000418@163.com 收稿日期：2022 年 5 月 1 日/接受日期：2022 年 6 月 1 日/发表日期：2022 年 7 月 4 日 本文重点研究了碳和氮掺杂碳作为超级电容电极材料的制备、结构和电化学表征。电极材料是通过粉碎、氧化预处理和键合、碳化和活化制备的，聚合物材料加工成碳基材料。为了制备碳气凝胶电极材料，采用富氮前驱体方法通过氮掺杂来改变获得的碳基底材料。 SEM 和 XRD 对形貌和晶体结构进行分析表明，掺杂样品中引入了氮，碳电极表面覆盖着云状团簇和不均匀的聚集碳颗粒，而 N 掺杂碳样品具有海绵结构，其中交织着类似石墨的薄片，具有更高的粗糙度和孔隙率，以及更大的表面积。使用循环伏安法 (CV) 和恒电流充放电 (GCD) 循环对制备的碳基材料进行电化学研究表明，N 掺杂碳比对照样品具有更高的电化学电容性能，以及理想的快速充放电性能和功率器件的高功率容量。在 1 A/g 的电流密度下，碳和 N 掺杂碳的比电容分别为 13.56 和 192.12 F/g，这意味着 N 掺杂样品的比电容比未掺杂材料提高了 14 倍。经过 10000 次循环后，N 掺杂碳的循环稳定性显示出几乎 108% 的电容保持率。根据 N 掺杂碳超级电容电极性能与早期关于超级电容器中多孔碳材料的报道的比较，N 掺杂碳超级电容电极的比电容、功率和能量密度与其他报道的 N 掺杂多孔碳结构的值相当或更好。这些测试表明，使用所述方法生成的氮掺杂碳电极材料具有较低的内阻，并且可以在超级电容器中保持良好的电化学性能。关键词：氮掺杂碳；电化学性能；富氮前体；超级电容电极材料
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
的傅里叶变换红外光谱和samarium掺杂的锌硼酸盐玻璃的光学特性
抽象锌纤维素透明液玻璃杯用（70-X）TEO 2 -20B 2 O 3 -10ZNO-XSM 2 O 3系统掺杂的SM 3+离子是通过熔融技术制备的。X的值从0.0 mol％到2.5 mol％不等。通过傅里叶变换红外光谱（FTIR），吸收光谱，光条间隙（E OPT）和URBACH能量（δE）分析进行了SM 3+离子的结构和光学表征研究。从FTIR分析中，研究了准备玻璃中的BO 3，BO 4，TEO 3，TEO 4和B - O-结构单元的存在。由于基态和SM 3+离子的各种激发态引起的紫外线中的三个强吸收峰，并从吸收光谱中观察到可见区域。直接过渡的光节间隙，E OPT的值分别为2.605 eV至2.982 eV，分别用于间接过渡的2.768 eV至3.198 eV。同时，在0.112 eV至0.694 eV的范围内观察到URBACH能量（δE）。对其他一些结果进行了详细分析和讨论。关键字：光学特性，锌，硼固醇，吸收光谱
通过脱位攀爬机制在2D过渡金属二分法中形成高度掺杂的纳米条
这种方法倾向于创建不良的缺陷，然后将其去除需要其他退火步骤。最近，大量的研究注意力集中在2D材料上，[1,2]，因为它们不仅具有从绝缘子到金属的电子特性，而且具有与降低尺寸相关的独特特性。虽然2D材料可以用与散装系统相同的方法掺杂，但它们的方法是独特的。由于仅表面几何形状，也可以通过以下方式获得2D材料中的掺杂； 1）物理/化学吸附； 2）离子液体门控； 3）直接原子构造。[3,4]表面吸附和离子 - 液体门基本上与环境与2D材料之间的电荷转移的实现相同，这两个材料都非常有效，这两个材料都非常有效。但是，系统集成的困难限制了这些方法的实际应用。可以通过硫化/硒化来完成2D材料中的直接原子替代。[5]或者，可以通过辐射[6,7]或退火过程中的热蒸发产生空缺，然后进行掺杂物种的沉积。直接替代也可以通过离子植入来实现，但是在技术上很难，因为它需要非常低的离子能量（低于100 eV），或者需要额外的缓冲层和通量后的涂层[9]，否则离子会通过原子上的较薄靶标。[10,11]至于2D过渡金属
通过动态空间过滤向损坏的脑电图中的强大学习
Ferchichi Causa，Shipberry，DavidGuérin，Rampa，Bourguiga，Camal Lim。根据反应器基于无线电束文学过程，根据反应器掺杂。电子有机物，2021，97，pp.106266。10.1016/j.orgel。
03,09，光激发电子从Alas/GAAS异质结构的光电导率中的光激发电子扩散的作用
半导体P - i -n异质结构被广泛用作辐射探测器，并在光电子中具有多种应用[1-4]。在这种半导体结构中的能量吸收高于禁止带宽度的光导致电子孔对产生。对，在耗尽的I -Area中产生或从I -Area到掺杂n-和P-层的深度的扩散长度的距离与电场分开，因此电流出现在外部电路中[4]。光电流值将用载体的漂移电流定义，该载体在I -Area中产生，以及在I -Area外产生的载体的扩散电流。在某些条件下，半导体结构的光响应可以检测到多个各种量子振荡事件。例如，由于光电声发射的光激发电子和孔的放松导致光电流振荡，具体取决于刺激光子的能量[5]。在GAAS/ALAS或INGAN/GAN P -I -N超晶格中观察到来自偏置电压的光电流振荡[6,7]。在工作[8]中，研究了P - I -N-二极管在光谱光谱上的I -i -i -n-二极管中的INAS层的影响，并显示了此类异质系统对创建敏感光探测器的效率。后来，在这样的单屏障GAAS/ALAS异质结构中（见图1）在辐照时观察到巨大的光电流振荡[9,10]，光子能量高于GAA中的光子能量高于禁止带宽度，而GAA中的光子宽度高，这似乎是多种共振 - 类似于Volt-Ampere特性（VAC）的特殊性。振幅为光电流时的平均光值的20％，其光线为λ= 650 nm，而在具有单个隧道屏障的p - i -i -n -diodes中，这是不可能的，这是不可能的。观察到了那个时期
从头算研究MGTIO3钙钛矿材料的结构，电子和光学特性
摘要。这项研究研究了MGTIO 3钙钛矿材料的电子，光学和结构特性，无论是纯还是掺杂氮（N）和磷（P）等元素。调查利用了WIER2K代码中实现的GGA-MBJ近似值的密度功能理论（DFT）。结果表明，在具有y（n和p）的氧气位置，掺杂mgtio 3的带隙能显着低于纯MGTIO 3的带隙能量，其带隙为2.933 eV。，特别是在n和p的情况下，频带间隙降至1.74和0.65 eV，此外，费米能（EF）水平在P型半导体（SC）中向价带（VB）移动。此外，我们已经分析了这些系统的光学特性，包括它们的介电函数（εଵ和εଶ），光导率（𝜎），吸收系数（α）和折射率（n）。此外，用n和p掺杂会增加可见光光谱中的吸收，这在光照下会提高光催化活性，因为掺杂的材料的价和传导带更容易地产生氢。上面的发现表明，这些材料具有广泛的应用，包括光电设备的创建。
钕（III）掺杂的 Y3Al2Ga3O12 石榴石用于多用途比率测温：从低温到高温传感
通过固相反应制备了 Nd 3 + 掺杂的 Y 3 Al 2 Ga 3 O 12 石榴石陶瓷颗粒，并以此为原型研究 Nd 3 + 激活石榴石荧光粉作为低温和高温范围玻尔兹曼温度计的潜力。尽管近红外发射 Nd 3 + 激活荧光粉通常用于生物应用，但它们的实际用途受到生理温度范围内低灵敏度的阻碍。相反，100 800 K 范围内的光致发光分析在低温和高温范围内都表现出有趣的性能。事实上，通过利用 4 F 3 / 2 的斯塔克能级（Z 能级）以及 4 F 5 / 2 和 4 F 3 / 2 激发态的发射率，可以在同一材料中构建两个可靠的玻尔兹曼温度计，分别在低温范围（100 220 K）和高温（300 800 K）下工作。