在这项研究中,在苏打石灰玻璃中合成了喷雾沉积的浓度掺杂钴硒化钴(YCOSE)薄材料,以及底物温度(140 o C,160 o C,160 o C,180 o C和200 o C)对其元素组成,结构,电气和光学diron dicem dicopie di scanning dicopie difi scanning dicopie di s scanning dicopie di scanning dim di scanning di ray di ray di ray di ray dim di brom sicropy dim di brotical decopie di ray dicopie di。 –XRD,四点探针和UV-VIS分光光度计。沉积的未居留和Y掺杂钴的EDX图显示了主要元素:钴,硒和Yttrium。这证实了Cose和Y掺杂的Cose薄材料的沉积。未扎的Cose薄材料的形态非常粗糙,包含随机定向的不均匀薄颗粒,而在140 O C下添加Y掺杂剂(0.1 mol%),从而使紧凑型矩形纳米类均匀分布。XRD结果表明,这些膜本质上是立方多晶的,并且在180 O C的基材温度下生长的膜可提供最出色的结晶质量和沿(111)方向的优先方向。从电气结果中观察到,底物温度的升高随着电阻率降低和电导率增加而增加膜厚度。尽管变化不是完全线性的,但由于在所有光学特性中的线性偏离线性偏离的胶片时,光学性质的变化并不完全线性。沉积样品的能量带隙范围为1.25 eV – 1.75 eV。生产的材料可用于生产光伏设备。
石墨烯是一种二维的基于碳的光催化剂,显示出很大的希望。这项研究使用氧化石墨烯(GO)与传统的水处理程序,例如离子交换和吸附进行了比较新有机染料甲基蓝(MB)的光催化降解。在这项研究中,通过在水溶液中的光降解甲基蓝(MB)评估了GO和过氧化氢(H 2 O 2)的光催化活性。使用X射线粉末衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),能量色散光谱(EDX)和傅立叶变换红外射线光谱(FTIR)检查所得的GO纳米颗粒。XRD数据验证了以2θ≈10.44°为中心的强峰,对应于GO的(002)反射。我们的研究发现,纳米颗粒和H 2 O 2在自然阳光照射下在60分钟内的pH〜7时,H 2 O 2的h 2 O 2达到了〜92%的照片脱色。此外,还研究了溶解氧(DOC)和H 2 O 2对MB降解的影响。实验结果表明,氧是增强光催化降解的决定性因素。直接光催化(MB/GO)和H 2 O 2辅助光催化(MB/H 2 O 2/GO)导致DOC 3.5 mgl -1的降解速率常数(K1)从0.019增加到0.019升至0.019升至0.042 min -1。在这种情况下,H 2 O 2充当电子和羟基自由基(•OH)清除剂;但是,添加H 2 O 2应达到正确的剂量,以增加MB分解。将初始DOC含量从2.8增加到3.9 mgl -1导致降解速率常数(K1)从0.035增加到0.062 min -1。对直接和H 2 O 2辅助光催化的光降解机理和动力学进行了研究。
电线粘结仍然是微电子包装中的主要互连技术。在过去的三年中,显而易见的是,从AU和Cu线粘合到Cu键合的显着趋势变得显而易见。这是由于一般努力降低诸如AU之类的原材料的制造成本和价格上涨所致。尽管在最近几十年中已经进行了许多研究,但大多数都集中在Au Ball/楔形上。这项研究的结果表明,键合参数,键合质量和可靠性密切相互联系。然而,与AU相比,Cu的不同材料特性(例如对氧化和硬度的依从性)意味着这些见解不能直接传递到Cu键合过程中。因此,有必要进一步研究。本文讨论了在各种键合参数下的键合界面形成的研究。Cu线在AlsICU0.5金属化上键合,并进行了键合参数优化以识别有用的参数组合。根据这种优化,使用低,中和高的美国功率和粘合力的参数组合组装不同的样品。通过剪切测试和HNO 3蚀刻进行了界面分析。在200 c退火168 h和1000 h的设备的横截面上分析了金属相生长。在剪切测试期间,与低键合力和高美国势力的接触倾向于围墙。 粘合力被证明对金属间的形成产生显着影响,而我们的功率仅施加了较小的影响。金属相生长。在剪切测试期间,与低键合力和高美国势力的接触倾向于围墙。粘合力被证明对金属间的形成产生显着影响,而我们的功率仅施加了较小的影响。使用EDX分析退火样品的金属间相形成,并根据相形成动力学进行解释。确定了三个主要的金属间相。2010 Elsevier Ltd.保留所有权利。
卵子研究杂志。20,编号2,2024年3月 - 第2页。 221-232关于石墨烯氧化石墨烯的振动和结构变化的拉曼光谱研究:激光和时间的影响S. Yadav A,S。K. Padhi B,Ch。 Srinivasulu C,K。L. Naidu A,* A GSS,GSS,Gitam(被视为大学)的物理学系,Visakhapatnam,530045,印度B物理系,都灵大学,Via。 P. Giuria 1-710125都灵,意大利。 C HYDERABAD大学海得拉巴大学500046的物理学学院。 氧化石墨烯及其纳米复合材料在各种应用中起着至关重要的作用。 激光辐照是一种低成本技术,可调整石墨烯氧化物材料,并且需要对激光 - 晶烯氧化物相互作用期间对振动模式和结构变化进行详细研究。 在不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间(通过拉曼光谱)分别在本研究中感兴趣的是在不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间以不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间的变化。 氧化石墨烯(GO)通过改进的悍马方法合成,并以X射线衍射(XRD),热重分析(TGA),现场发射扫描电子显微镜(FE- SEM),能量分散X射线分析(EDX),UV-VIS-NIR和RAMAN和RAMAN和RAMAN和RAMAN EXPECTRROSCOPY进行合成。 GO的一阶拉曼频谱分别由1350和1584 cm -1的宽D和G峰组成,大约在2700 cm -1左右。 使用Lorentzian函数,将一阶频带变形为五个模式,将第二阶带分为四个模式。 这些模式的峰位置和FWHM经历了指示性变化。2,2024年3月 - 第2页。 221-232关于石墨烯氧化石墨烯的振动和结构变化的拉曼光谱研究:激光和时间的影响S. Yadav A,S。K. Padhi B,Ch。Srinivasulu C,K。L. Naidu A,* A GSS,GSS,Gitam(被视为大学)的物理学系,Visakhapatnam,530045,印度B物理系,都灵大学,Via。P. Giuria 1-710125都灵,意大利。C HYDERABAD大学海得拉巴大学500046的物理学学院。 氧化石墨烯及其纳米复合材料在各种应用中起着至关重要的作用。 激光辐照是一种低成本技术,可调整石墨烯氧化物材料,并且需要对激光 - 晶烯氧化物相互作用期间对振动模式和结构变化进行详细研究。 在不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间(通过拉曼光谱)分别在本研究中感兴趣的是在不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间以不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间的变化。 氧化石墨烯(GO)通过改进的悍马方法合成,并以X射线衍射(XRD),热重分析(TGA),现场发射扫描电子显微镜(FE- SEM),能量分散X射线分析(EDX),UV-VIS-NIR和RAMAN和RAMAN和RAMAN和RAMAN EXPECTRROSCOPY进行合成。 GO的一阶拉曼频谱分别由1350和1584 cm -1的宽D和G峰组成,大约在2700 cm -1左右。 使用Lorentzian函数,将一阶频带变形为五个模式,将第二阶带分为四个模式。 这些模式的峰位置和FWHM经历了指示性变化。C HYDERABAD大学海得拉巴大学500046的物理学学院。氧化石墨烯及其纳米复合材料在各种应用中起着至关重要的作用。激光辐照是一种低成本技术,可调整石墨烯氧化物材料,并且需要对激光 - 晶烯氧化物相互作用期间对振动模式和结构变化进行详细研究。在不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间(通过拉曼光谱)分别在本研究中感兴趣的是在不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间以不同的激光功率和不同的暴露时间持续时间的变化。氧化石墨烯(GO)通过改进的悍马方法合成,并以X射线衍射(XRD),热重分析(TGA),现场发射扫描电子显微镜(FE- SEM),能量分散X射线分析(EDX),UV-VIS-NIR和RAMAN和RAMAN和RAMAN和RAMAN EXPECTRROSCOPY进行合成。GO的一阶拉曼频谱分别由1350和1584 cm -1的宽D和G峰组成,大约在2700 cm -1左右。使用Lorentzian函数,将一阶频带变形为五个模式,将第二阶带分为四个模式。这些模式的峰位置和FWHM经历了指示性变化。在不同暴露时间持续时间内具有激光功率的缺陷模式的强度比和(𝐷𝐷𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖' - 𝐺𝐺𝐺𝐺)的变化分别表明边缘缺陷和氧化石墨烯的降低。这些结果扩大了对不同时间持续时间激光功率对氧化石墨烯特征的影响的理解。我们的研究提供了有关激光互动的定量信息。(2024年1月21日收到; 2024年4月8日接受)关键词:氧化石墨烯,缺陷,激光功率,拉曼光谱,平面内晶体大小(L a)1。简介氧化石墨烯是一种二维官能化透明岩片,含有连接在边缘和基础平面的功能分子的氧。氧化石墨烯已被广泛用于电化学超级电容器[1],生物医学[2],传感器[3],现场效应晶体管(FET)[4],燃料电池[5],锂电池[6],Polymer nanocomososes [7]。不同的方法,包括化学,热,水热,电化学和光化学还原,以减少官能团以实现石墨烯样结构,众所周知的石墨烯氧化石墨烯。通过去除不稳定的C = O键[8] Raman Spectroscoppy Analysis是一种非损害工具,可以从频谱参数中获得有关缺陷和疾病的知识,从而通过去除不稳定的C = O键来精确调整和量身定制缺陷[8],对缺陷进行了精确调整和剪裁,从而,对缺陷进行了精确调整和剪裁。通常,G波段是石墨烯片的特征,而D波段随着石墨烯片中的缺陷和疾病的增加而演变。通过对X射线衍射模式或样品的X射线光电光谱进行相应分析来量化拉曼光谱的变化来开发结构光谱相关性[9-11]。氧化石墨烯的拉曼光谱包含一阶带,其特征峰约为1350(D波段)和1580 cm -1(g波段),而在2700 cm -1左右的宽二阶频带。
摘要 在混合溶剂(水-丁醇和水-环己醇)存在下,利用醋酸铜和硫脲研究了硫化铜(CuS)的结构、成分、电气和发光特性。硫化铜样品的 X 射线衍射 (XRD) 图案显示其六方结构,这是各种混合溶剂的结果。通过使用能量色散 X 射线 (EDX) 和傅里叶变换红外 (FT-IR) 检查,确定了键和原子量百分比。使用扫描电子显微镜 (SEM) 发现水-丁醇和水-环己醇中的硫化铜颗粒形态分别为棒状和片状。使用光带能量曲线和紫外-可见光吸收光谱确定了硫化铜纳米结构的带隙能量。硫空位缺陷是 PL 光谱中出现的紫外和可见光发射带的原因。根据 CV 研究,水-环己醇辅助的硫化铜样品的电化学特性优于水-丁醇辅助的硫化铜样品。根据催化剂的效率,计算了混合溶剂辅助的硫化铜样品中坎戈红 (CR) 染料降解的比例。引言与环境问题、危险废物和有毒水污染物相关的硫化铜受到了广泛关注。有机染料对纺织和其他行业的重要性也非常重要。与传统方法相比,催化方法具有多种优势,包括氧化速度更快和不产生多环产物。由于半导体材料吸收光,带隙能量等于或大于,这可能导致自由基氧化系统表面。但如今,硫化铜因其与能量存储和生物应用(包括抗菌和抗癌治疗)的联系而成为主要研究对象。硫族化合物纳米结构半导体,包括 ZnS、CdS、NiS、CoS 和 CuS,可用于气体传感器、LED、光伏电池、光催化和其他应用。CuS 纳米结构是硫族化合物之一,是 p 型半导体材料,由于其在环境温度下的带隙低至 2.2 eV,因此非常有利于光热、光电应用。这是由于光吸收过程中光子原子分子与光吸收之间的相互作用。具有各种形态的过渡金属氧化物作为光电材料的开发引起了人们的新兴趣,最近发现的一类具有有趣光物理特性的纳米材料的报道正在促进
对于解决地热井中HPHT条件引起的钻井问题的可能性,需要进行热稳定的地热钻泥系统的发展。这是由于高温对HPHT条件下泥流体的降解影响而发生的。挑战在于设计一种可以承受高压,高温(HPHT)条件的合适钻孔液。本研究旨在提供既便宜又环保的新添加。在应用于HPHT钻井环境时,添加剂有可能匹配或超过现有添加剂的性能。几层石墨烯(FLRGO)是通过根据Hummer方法制备的氧化石墨烯获得的。然后,还用两种类型的纳米颗粒装饰了还原的石墨烯表面,以通过简单的溶液混合技术获取两种不同组合物的纳米复合材料。使用氮化硼(BN)纳米颗粒制备了第一个石墨烯纳米复合材料(RGB),其比率不同,以产生三组从1到3。使用氮化钛(TIN)纳米颗粒获得了第二个(RGBT),其百分比不同,以产生六组从1捐赠至6。The prepared reduced graphene oxide along with its nitrides nanocomposites were intensively investigated using several characterization techniques including scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), Fourier transfer infrared spectroscopy (FTIR), X-ray diffraction (XRD), and thermal gravimetric analysis (TGA).因此,0.2、0.6和1 wt。在高温和压力下(230°C,17000 psi)到(80°C,2000 psi),研究对纳米复合材料均研究了如何影响水基钻孔液的流变学和过滤特性。%用作泥样样品的添加剂,并相对于参考泥浆进行了评估。的结果强调,在温度和压力升高时,带有60%石墨烯的RGBT样品,参考样品塑料粘度,20%硝酸硼和20%氮化钛的含量增强了10%至59%,17%至17%至61%至61%至61%和20%至67%(0.2 wt%),(0.2 wt%),浓度(0.6 wt),(0.6 wt tostive)和(0.6 wt t t t t t t t。同样,产量点分别提高了44%至88%,49%至88%和50%至89%。两种纳米复合材料在HPHT条件下均显着降低了滤液损失。这些发现表明,发达的纳米增强钻孔液可以抵抗高级钻孔操作中遇到的严重条件,并在较高温度下具有更好的热稳定性。
Chimie ParisTech-CNRS,巴黎文理学院研究型大学,法国巴黎 为推动对海洋和海上潜在资源的评估和勘探,必须开展精心策划的小规模和大规模研究和工业努力,以提高材料的耐久性。在过去的几十年中,随着更环保的防腐解决方案的开发,人们提出了基于微生物的新兴技术,以延长结构金属的使用寿命。微生物可以以有利的方式影响腐蚀行为,即所谓的 MICI(微生物影响的腐蚀抑制),这一事实开辟了不同的研究方向。到目前为止,已经提出了不同的 MICI 机制,包括在金属表面形成阻隔膜、氧消耗、分泌抑制酶和通过生物矿化抑制腐蚀。有证据表明,微生物与金属表面相互作用的结果可以形成有效的保护层,从而提高金属的耐腐蚀性,这为我们的 MICOATEC 项目开发受自然启发的防腐解决方案的新方法奠定了基础 [1-5]。主要目标是将天然生物过程转化为非生物防腐技术过程,而无需复制生物膜本身或将活性生物化合物掺入涂层基质中。为了达到上述主要目标,需要了解微生物/金属相互作用自然形成的保护层的生长过程和化学物理特性。在此背景下,AA 5083 的几个样品因其耐腐蚀性而常用于海洋工业,它们已在热那亚户外实验海洋站 (GEMS) 浸泡了不同时间。目标是评估复杂海洋环境中存在的微生物多样性(细菌、藻类等)对腐蚀过程的影响,这些微生物多样性以各种方式影响腐蚀过程。经过 15 天、1 个月和 2 个月的暴露,对 AA 5083 的表面和界面进行了表征,结合 ToF-SIMS、XPS 和 SEM/EDX 等先进分析技术,以更全面地了解生物条件下保护层的化学成分和形成机理,从而了解其对铝合金耐腐蚀性的影响。这项工作得到了 ANR 的资助,属于 MICOATEC 项目 (ANR-19-CE08-0018)。[1] MJF Marques 等人,Eurocorr 会议记录,葡萄牙埃斯托里尔,9 月 1 日至 5 日(2013 年)[2] Navdeep K. Dhami 等人,微生物学前沿,4,外。 (2013) [3] MJF Marques 等人,Eurocorr 论文集,塞维利亚,西班牙,9 月 9-13 日(2019) [4] Z. Guo 等人,Frontiers in Microbiology,10,1111(2019) [5] Y. Shen 等人,Bioelectrochemistry,132,107408(2020) 2829 个字符(含空格)(最多 3000 个)
GREEN SYNTHESIS OF ECO-FRIENDLY POTASSIUM NANOPARTICLES AND ITS APPLICATION IN AMARATHUS VIRIDIS, SOLANUM LYCOPERSOCUM AND HIBISCUS SABDARIFFA PLANTS Nathan D. Aliyu *1 Gideon Wyasu 1 , Bako Myek 1 and Jamila B. Yakasai 2 1 Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Physical Sciences, Kaduna State University (KASU), Tafawa Balewa Way, PMB 2339, Kaduna, Nigeria 2 National Water Resources Institute, Mando – Kaduna *Corresponding Author Email Address: nathandikko2@gmail.com ABSTRACT Potassium Chloride and Polyalthia longifolia leaves extract were used for the synthesis of Eco-friendly Potassium Nanoparticles for application in Amarathus viridis, Solanum Lycopersocum和芙蓉Sabdariffa。通过扫描电子显微镜 - 能量色散X射线(SEM-EDX)和傅立叶变换红外(FTIR)来表征合成的纳米颗粒。SEM揭示了200nm的尺寸范围,并具有近乎球形的纳米颗粒。EDX揭示了19%钾,4.46%氯,33.04%碳,28.31%氧和14.30%铁的元素组成。ftir在3235.3cm-1、2109.7cm-1、1640.0cm-1和1069.7cm-1时显示了四个独特的,对于多硫杆菌的钾颗粒(PL-KNP)。确定并与受控植物进行比较时,所有叶子的叶子都显着增加:Amaranthus viridis叶片记录的最高增长率为56.81%,索拉纳姆番茄红素的茎记录的最高茎增长了46.15%,其中Hibiscus sabdariffa的总体最高百分比为224.24.24.24.24%的attribs intibed in 24.27%。关键字:纳米颗粒,P。longifolia,肥料,Solanum L,Amaranthus V,Fhibiscus S.,2020)。在所选叶子应用的PL-KNPS植物参数上观察到的这种独特的增加是证实绿色合成钾纳米颗粒在农业领域的重要性。引言纳米技术在各种化学构成和尺寸的范围内产生了各种可靠的纳米材料合成(Kaushick等,2010),并且在农业中的纳米纤维化剂变得更加相关(Rafique等,2018:Rizwan,2019年,2019年)。由于降雨量有限,干旱,灌木不足导致土壤肥力降低和有机肥料等因素,作物产量下降了(Batsmanova et al。尽管将化肥用于补充土壤生育能力和最大化农作物的产量,但气候调节,食物和饲料生产的不平衡,生态系统中的碳储存和水的保留有助于土壤降解(Batsmanova等人。,2020)。为提高土壤质量并提高生产率,肥料是解决方案。它们在农作物耕作中的连续和密集使用中最终仅使用少于50%的施加量,而另一个因作物未利用的作物而被水解,光解,浸出,浸出和固定的微生物和
Alex Robinson 1,Jack Wells 1,2,Daniel Nicholls 1,Giuseppe Nicotra 3,Nigel Browning,Nigel Browning 1,4 1 Senseai Innovations Ltd.,英国利物浦,2分布式算法算法,博士培训中心,英国利物浦,英国3 Cnr-immmmmmmmmm,liver-immmmm,liver-imm,liver-imm,liver-imm,italy italy,4扫描透射电子显微镜(Stem)可以捕获与材料的结构和化学性质相对应的多种信号。这些方法的示例包括明亮/暗场成像,能量分散X射线光谱(EDS)或电子能量损失光谱(EELS)[1]。由于其对低质量元素的敏感性以及确定其氧化态,化学键合和空间分布的能力,因此特别感兴趣。由于信号较低,梁的能量扩散以及检测器的灵敏度,鳗鱼光谱挑战很大。此外,由于采集速度,样本的稳定性被妥协,这是信号限制和相机读出速度的组合。克服这些局限性的一种解决方案是使用探针子采样,仅获取相对于典型扫描网格的探针位置的子集。这已显示出适用于各种茎技术,例如2-D成像,EDX和4-D茎[2,3]。我们的目标是将这些相同的策略应用于鳗鱼的获取,以提高速度,同时维持材料的结构和化学分析。将聚焦的电子探针对齐,并将扫描线圈连接到扫描发生器,以允许定制的扫描模式。此过程如图然后将电子探针定位在子采样的探针位置,并获得了鳗鱼光谱。对于实时成像,可以使用Beta过程因子分析(BPFA)算法[4]的GPU实现来覆盖能量损失的子集[4],以使探针更加比对。对于离线分析,数据被重塑以形成一个3-D数据集,其中第一个两个维度对应于探针位置,最终维度是特定的能量损失。然后,使用3D补丁的BPFA对此数据进行覆盖。1。为了测试这种方法,我们使用碳脸上生长的石墨烯的硅卡宾枪样品模拟了一个亚采样的鳗鱼实验[5]。数据集包含17x104探针位置,扫描步骤为0.13nm,相机上的能量宽度为0.25EV(2048通道)。仅使用原始数据的25%测试数据集。结果(图1中给出)表明,可以恢复数据,以实现与原始,全采样数据集的功能相同的结果。这项工作表明,通过对采样网格的测量,可以实现原子分辨率鳗鱼。通过采用这些方法,干eels可以更快,较低的剂量,并且重要的是
此材料的间隙允许减少设备尺寸,权重和切换损耗[2]。此外,SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用,例如用于核应用的电源开关(空间,航空,核反应堆和军事)。然而,尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET,但其对空间应用的采用却很少见[3],[4]。尽管SIC材料具有稳健性,但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠(SEB)[7] - [10],单事件门破裂(SEGR)[11],[12]和单个事件泄漏电流(SELC)[13]敏感。在SIC MOSFET中,由于极端的内部漏极到通过SIC源电场,不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB,主要粒子(作为中子,质子或离子)会对设备产生影响,因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子,电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍,因此SIC中的功率密度高100倍,并触发冲击电离。强烈的局部局部,因此高密度电流会产生热瞬态和失控,从而导致灾难性失败。在本文中,对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14],[15],[15],[15],[15],能量转移(LET)[8],设备技术[7],偏置电压(V DS和V GS)[16],[17]的影响。先前的研究表明,由于MOSFET漂移层中电场的增加,SEB灵敏度随施加的漏气偏置(V DS)而增加[16],[17]。在[18]中,作者提出了损害类型(氧化物潜在损害,降解,晶体潜在损害和SEB)类型的地图,作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部,对于未表现出SEB的质子辐照的设备,在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子,在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后,SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图,在每个步骤中介绍了结果,分析和风险评估(用于成功分析)。在分析电I-V特性后,用能量分散性X-射线光谱法(EDX)进行了扫描电子显微镜(SEM)研究,揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析,制定了微探索的解释。