在外部束放射治疗期间,患者暴露于次级辐射源,导致具有潜在的长期不良影响的非领域剂量。了解光子和电子能谱对于评估现代放射疗法的次要效应至关重要。这项研究旨在评估几个小放射治疗场的光子和电子功能光谱和平均能量以及范围边缘的平均能量。该研究使用了三个常用的线性加速器生成的6 mV光子光束,使用了国际原子能局(IAEA)相空间文件来产生小型和标准场。在三个线性加速器和预先固定的6 mV光谱的多个深度和轴距离处计算平均光子和电子能。研究发现,光子功能光谱在很大程度上取决于空间位置,并且随着深度,距离距离,范围距离,范围大小和Linac模型的函数的显着变化。此外,电子的行为是深度依赖性的,在该领域的边缘之外,在该领域,表面附近的平均电子能量大于内部区域,尤其是在小型领域,导致表面剂量增强。
嵌入式设备可以在本地实时处理生物医学信号,因此临床研究和治疗应用的生物医学信号分析可以受益匪浅。一个例子是分析癫痫患者的颅内脑电图 (iEEG) 以检测高频振荡 (HFO),这是致痫脑组织的生物标志物。混合信号神经形态电路提供了构建紧凑、低功耗神经网络处理系统的可能性,该系统可以实时在线分析数据。在这里,我们介绍了一种神经形态系统,该系统在同一芯片上结合了神经记录头端和脉冲神经网络 (SNN) 处理核心来处理 iEEG,并展示了它如何可靠地检测 HFO,从而实现最先进的准确性、灵敏度和特异性。这是首次使用混合信号神经形态计算技术实时识别 iEEG 中相关特征的可行性研究。
a 瑞典皇家理工学院,应用物理系,阿尔巴诺瓦大学中心,斯德哥尔摩,SE-114 21,瑞典 b 中子散射和成像实验室,保罗谢勒研究所,CH-5232,Villigen PSI,瑞士 c 纳米科学中心,尼尔斯玻尔研究所,哥本哈根大学,Nørre All e 59,DK-2100,哥本哈根 O,丹麦 d 都灵理工大学应用科学与技术系,Corso Duca Degli Abruzzi 24 10129,都灵,意大利 e 维也纳科技大学固体物理研究所,Wiedner Hauptstraße 8 e 10,1040,维也纳,奥地利 f 瑞典皇家理工学院 PDC 高性能计算中心,SE-100 44,斯德哥尔摩,瑞典 g Nordita,瑞典皇家理工学院和斯德哥尔摩大学,Hannes Alfv ens v € ag 12,SE-106 91,斯德哥尔摩,瑞典 h 东京大学固体物理研究所中子科学实验室,柏,千叶 277-8581,日本 i 东京大学跨尺度量子科学研究所,东京 113-0033,日本 j 高能加速器研究机构材料结构科学研究所,茨城 305-0801,日本 k 牛津大学无机化学实验室,牛津 OX1 3QR,英国 l 印度理工学院物理系,坎普尔 208016,印度 m 塔塔基础研究所 DCMPMS,孟买 400005,印度 n 查尔姆斯理工大学物理系,SE-412,哥德堡,瑞典
定量测量微电子设备中电场的定量测量由位于原位的STEM Victor Boureeau 1,Lucas Bruas 2,Matthew Bryan 2,Matthew Bryan 2,Jean-LucRouvière3和David David Cooper 2** 1* 1。电子显微镜跨学科中心,EPFL,洛桑,瑞士。2。大学。Grenoble Alpes,CEA,Leti,Grenoble,法国。3。大学。Grenoble Alpes,CEA,Irig-Mem,Grenoble,法国。*通讯作者:David.cooper@cea.fr纳米尺度上字段的定量映射对于了解设备的行为并提高其性能至关重要。从历史上看,这是通过过轴电子全息图执行的,因为该技术已经成熟并提供了可靠的定量测量[1]。近年来,硬件的改进使扫描传输电子显微镜(STEM)实验期间的衍射模式的记录成为可能,从而生成所谓的4D-STEM数据集。越来越多的数据处理方法与特定的采集设置相结合,导致了广泛的像素化词干技术[2]。在这里,我们探讨了以像素化的茎构型进行的差异相位对比度(DPC)技术[3] [4]。它允许根据衍射平面中发射光束的强度位移对电场进行定量测量。我们将展示如何受显微镜和数据处理的配置影响类似DPC的像素化的茎测量值。结果将与电子全息图和仿真进行比较。样品在图1和图2中显示。1(c)。开始,我们将在掺杂的硅P -N结上进行工作,并以对称1 E 19 cm -3的浓度掺杂,在-1.3 V的反向偏置下进行检查。使用此样品,平均内部电位(组合电位)没有变化,偏置电压会增加内置电场。通过聚焦的离子束制备了连接的横截面,并在FEI Titan显微镜中使用Protochips Aduro 500样品支架附着在芯片上进行原位偏置实验,该实验在200 kV下运行。1(a,b),晶体厚度为390 nm,如收敛束电子衍射测量。使用二级离子质谱掺杂剂测量作为输入,用Silvaco软件对结中的电场进行建模。整个连接处的轮廓如图通过离轴电子全息图测量了偏置连接的电场,请参见图。1(c,d),并在除去非活动厚度后与建模很好地一致[1]。反向偏见的P-N连接的电场的大小约为0.65 mV.cm -1,耗尽宽度约为60 nm。已经研究了不同的像素化的茎构和处理方法,以测量连接处的电场。当探针大小大于特征场变化长度时,导致射击梁内部强度重新分布时,使用了一种算法(COM)算法。当传输梁小于场变化并经历刚性变速时,使用模板匹配(TM)算法[5]。2(a)。电场图如图首先,使用低磁化(LM)茎构型,使用的一半收敛角为270 µRAD,相机长度为18 m。连接处的衍射图显示了传输梁边缘处强度的重新分布,因此使用COM加工,请参见图。2(e)和图中绘制了一个轮廓。2(i)。连接点的耗尽宽度似乎约为100 nm,这表明由于LM茎配置的探针大小较大,
这份由标准政策跨部门委员会 (ICSP) 半导体和微电子工作组编写的报告概述了联邦政府半导体和微电子标准活动,并推荐了 ICSP 考虑的标准重点领域和优先事项。报告的“向 ICSP 提出的战略标准重点领域的建议”部分列出了联邦政府目前参与的与半导体和微电子相关的标准制定组织,确定了五个重点领域和优先事项,并确定了未来可能产生影响的差距和机会。概况回顾部分概述了每个参与机构的相关半导体和微电子标准活动,包括其使命、半导体和微电子目标、参与标准制定组织、半导体和微电子重点领域和优先事项以及半导体和微电子差距和机会。国家关键新兴技术标准战略表明了半导体和微电子工作组如何与国家关键新兴技术标准战略保持一致。
“中国航天科技集团是中国航天领域的主要承包商之一。它是一家大型国有企业,拥有许多研发设施和子公司。中国航天科技集团多年来一直参与由英国贸易投资署和中国商务部 (MofCOM) 组织的中英航天工作组,预计将成为最近成立的航天分工作组的主要参与者,该分工作组将于今年 7 月在英国首次举行会议。(格拉斯哥英国航天会议。)
计算结果表明,电子催化策略显着降低了将N 2转换为AZO化合物的活化能。与非催化反应相比,该反应需要3.44 eV(在正常条件下几乎不可能),电子催化的途径将活化能降低至仅为0.14 eV,从而使反应在动力学上可行。此外,该策略表现出广泛的适用性,扩展到偶氮合成超出各种芳基卤化物和亲核芳香族化合物,为合成高价值增添化学物质的有效方法提供了有效的方法。
pia.schweizer@cea.fr电子探针微分析(EPMA)是一种可靠且广泛使用的技术,可用于对科学和工业应用进行非破坏性,准确的材料表征。尽管对锂具有极大的兴趣(LI),并且迫切需要在微米级进行准确的非破坏性分析,但使用EPMA对LI的LI量化尚未成功进行。最近开发的周期性多层允许围绕特征性的li k发射〜50 eV [1]的能量范围的光谱,但是配备有弯曲的晶体光谱仪和标准商业化多层的微型探针检测和定量没有衍射光栅仍然具有挑战性。LI检测的困难是由不同的因素引起的:LI的荧光产量极低,很少有Li 1S核心孔的衰减产生的特征光子,有利于螺旋电子的发射。由于其低能量,光子甚至在离开样品及其最终涂层之前就被强烈吸收。因此,信号主要来自可能受到污染的薄表面层,并且可能对电子轰击敏感。微探针成分,尤其是通过分离窗口的进一步吸收光子,将降低测得的强度。由于Li K发射(2p - 1s转变)涉及价电子,因此Li发射带的形状高度依赖于价带中的状态密度(DOS),并且高度依赖于锂原子的化学状态。SCI。 2021,11,6385。 2022,51(4),403。SCI。2021,11,6385。2022,51(4),403。某些EV和强峰形变化的化学位移可能会发生,对于光元的EPMA应该是预期的[2,3],使定量分析变得复杂。这项工作显示了不同材料中LI定量EPMA的一些有希望的结果,包括电池化合物和LI浓度降至2%的金属合金。在整合新检测系统以及使用适用于低压EPMA的实际标准和校正程序进行定量程序之后,这是可能的。即使需要进行额外的调查,研究人员的锂表征也引起了极大的兴趣。我们表明,即使EPMA包含在重矩阵中,EPMA是对LI进行定量分析的强大工具,其元素显示出与LI相同的光谱范围内的特征发射带。这种新颖的LI量化方法比使用SEM或配备了多层光栅的ENER或电子微探针检测到其他技术更容易访问,并且比检测更便宜。[1] Polkonikov,V.,Chkhalo,N.,Pleshkov,R.,Giglia,A.,Rividi,N.,Brackx,E.,Le Guen,K.[2] Schweizer,P.,Brackx,E.,Jonnard,P。,X射线光谱。[3] Hassebi,K.,Le Guen,K.,Rividi,N.,Verlaguet,A.,Jonnard,P.,X-Ray Spectrom。(http://doi.org/10.1002/xrs.3329)在印刷中。
他们还发现了另一个不寻常的电子现象:整数量子异常霍尔在多种电子密度中的效应。分数量子异常霍尔效应被认为是在电子“液体”相中出现的,类似于水。相比之下,团队现在观察到的新状态可以解释为电子“固体”阶段 - 与电子“冰”的形成相互作用 - 当系统的电压在超低温度下仔细调谐时,该状态也可以与分数量子异常的霍尔同存。
