抽象隔离的多MEVγ射线,持续时间,高准直和梁角动量(BAM)可能会在核物理学,天体物理学等中找到许多有趣的应用。在这里,我们提出了一种方案,通过非线性汤姆森散射生成这种γ-射线,该旋转相对论电子板由几个周期扭曲的激光脉冲驱动,与微滴定目标相互作用。我们的模型清楚地确定了激光强度阈值和载体 - 内玻璃相对隔离电子纸的产生的影响。三维数值模拟表明,γ射线发射的持续时间为320次,峰值光彩为9.3×10 24光子S -1 mrad -2 mm -2 mrad -2 mm -2每0.1%带宽在4.3 MEV时。γ-射线梁的大BAM为2.8×10 16ℏ,这是由有效的BAM转移来自旋转电子板的有效BAM转移,随后导致了独特的角度分布。这项工作应促进对大型激光设施中旋转电子片的非线性汤姆森散射的实验研究。
Neel 研究所拥有 Jeol NEOARM,它在光谱学、电场和磁场测量方面提供了卓越的可能性,可以与不同的原位选项相结合(加热、冷却和电偏置已经可用),实验室希望发展其在光谱学以及原位/操作分析(催化、生长、液体介质、电池运行等)方面的活动。NEOARM 配备了冷 FEG,能够在 60 至 200 kV 的电压下运行,配备了 STEM 像差校正器、多个 STEM 探测器,包括一个用于差分相衬的 8 段探测器、广角 EDX 探测器、用于电子能量损失光谱的 GIF 连续光谱仪、用于电子全息的双棱镜、Gatan Oneview 相机、使用 Medipix 3 技术的直接电子探测器、电子束感应电流以及电子束进动。提供多个样品架,可进行断层扫描、倾斜旋转、在氮气和氦气(正在开发中)温度下冷却,以及加热和原位电偏置。
J.黑斯廷斯等人。应用。物理。莱特。 89、184109(2006)。 P. Musumeci 等人,应用物理快报 97, 063502 (2010)。 R. Li 等人,Rev. Sci。仪器。 81, 036110 (2010)。 Y. Murooka 等人,应用。物理。莱特。 98、251903(2011)。 P. Zhu 等人,新物理学杂志。 17、063004(2015)。 S.Weathersby 等人,Rev.Sci。仪器。 86, 073702 (2015)。 S. Manz 等人,法拉第讨论。 177, 467 (2015) D.Filippetto 和 H. Qian, J. Atom. and Mol. And Opt. Phys. 49, (2016) F. Qi 等人, Phys. Rev. Lett. 124, 134803 (2020)。HW Kim 等人, Nature photonics 14, 245 (2020)
Connectomics 提供了必要的纳米分辨率、突触级神经回路图,有助于了解大脑活动和行为。然而,很少有研究人员能够使用高通量电子显微镜来快速生成重建整个回路或大脑所需的非常大的数据集。迄今为止,在通过电子显微镜 (EM) 收集图像后,人们已经使用机器学习方法来加速和改进神经元分割、突触重建和其他数据分析。随着处理 EM 图像的计算改进,获取 EM 图像现在已成为限速步骤。在这里,为了加快 EM 成像速度,我们将机器学习集成到单光束扫描电子显微镜的实时图像采集中。这种 SmartEM 方法允许电子显微镜对标本进行智能、数据感知成像。SmartEM 为每个感兴趣的区域分配适当的成像时间 - 快速扫描所有像素,但随后以较慢的速度重新扫描需要更高质量信号的小子区域,以保证整个视野的均匀分割性,但节省大量时间。我们证明,该流程使用商用单光束 SEM 将连接组学的图像采集时间加快了 7 倍。我们应用 SmartEM 重建小鼠皮层的一部分,其精度与传统显微镜相同,但所需时间更短。
图2。CS中的各向同性超导间隙(V 0.86 TA 0.14)3 SB 5。 a。 费米表面映射。 b。 在k F处的温度依赖性EDC在a中标记为黑线的切割。 c-e,分别与a,b和d fs一起进行k f。 f,检查的位置K f。 g,从拟合到k f的EDC的SC间隙幅度。 阴影区域表示错误条。CS中的各向同性超导间隙(V 0.86 TA 0.14)3 SB 5。a。费米表面映射。b。在k F处的温度依赖性EDC在a中标记为黑线的切割。c-e,分别与a,b和d fs一起进行k f。f,检查的位置K f。g,从拟合到k f的EDC的SC间隙幅度。阴影区域表示错误条。
摘要:对层堆叠的二维共轭金属 - 有机框架(2D C- MOF)的原子结构的了解是建立其结构 - 性质相关性的必要先决条件。为此,原子分辨率成像通常是选择的方法。在本文中,我们可以更好地理解有助于电子束弹性的主要特性以及2D C-MOF的高分辨率TEM图像中可实现的分辨率,其中包括化学组成,密度和C-MOF结构的电导率。结果,在所考虑的结构的最稳定的2D c-MOF中,在80 kV的加速电压下,在体和色素异常校正的tem的加速电压下,取下了0.95的。使用详细的从头算分子动力学计算来解释了通过与电子束的弹性相互作用在Cu 3(BHT)中诱导的复杂损伤机制。实验性和计算的敲入伤害阈值非常吻合。关键字:梁损伤,金属有机框架,高分辨率传输电子显微镜,结构剪裁,从头开始分子动力学
蚀刻设置 - up。尖端可以用作纯发射器作为纯发射器或在氧化物添加氧化涂层时以热效率/ Schottky模式操作。超出尖端的其他应用(尖端直径<100 nm)包括用作STM探针或纳米流动器。可以使用电流 - 电压特性,通过发射模式观察,通过测量液压和电子束的稳定性来分析隧道尖端性能。可以在我们的FI ELD发射显微镜中进行原位进行无涂层尖端的激活和Thermal-Fi ELD发射器(或Schottky发射器)的测试。A.Knápek等。 : - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”,微电动工程学,2017年,173:42-47 A.Knápek等。 : - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料,2019,9.12:1756。 A.Knápek等。 : - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜,2019,204:49-54。A.Knápek等。: - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”,微电动工程学,2017年,173:42-47 A.Knápek等。: - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料,2019,9.12:1756。A.Knápek等。 : - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜,2019,204:49-54。A.Knápek等。: - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜,2019,204:49-54。
2 桑迪亚国家实验室,美国新墨西哥州阿尔伯克基 87185 3 加利福尼亚大学机械工程系,加利福尼亚州圣巴巴拉 93106,美国 a) 通讯作者:aatalin@sandia.gov 了解和控制电荷载流子与埋藏绝缘体/半导体界面缺陷的相互作用对于实现现代电子产品的最佳性能至关重要。在这里,我们报告了使用扫描超快电子显微镜 (SUEM) 远程探测埋藏在厚热氧化物之下的 Si 表面的激发载流子的动力学。我们的测量结果展示了一种新颖的 SUEM 对比机制,即半导体中空间电荷场的光学调制会调制厚氧化物中的电场,从而影响其二次电子产量。通过分析 SUEM 对比与时间和激光能量密度的关系,我们证明了界面陷阱通过扩散介导捕获激发载流子。
图 1:四种钒基配合物的电子-质子超精细耦合与 V- 1 H 分离的关系,包括 B3LYP 计算的各向同性费米接触 (FC) 相互作用和各向异性空间自旋偶极 (SD) 贡献。[VO(C 3 H 6 S 2 ) 2 ] 2– 和 [VO(C 7 H 6 S 6 ) 2 ] 2– 的分子结构显示在数据上方:V - 粉色;O - 红色;S - 黄色;C - 灰色;H - 白色。
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