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H 2 /NH 3 反应离子束刻蚀磁性隧道结材料特性
摘要 利用 H 2 /NH 3 的反应离子束蚀刻 (RIBE) 系统蚀刻磁隧道结 (MTJ) 材料，例如 CoFeB、Co、Pt、MgO，以及硬掩模材料，例如 W 和 TiN。与使用纯 H 2（无蚀刻）和 NH 3 的蚀刻相比，使用 H 2 和 NH 3 的混合气体，尤其是 H 2 /NH 3 (2:1) 比例，可以观察到 MTJ 相关材料的更高蚀刻速率和相对于掩模材料的更高蚀刻选择性 (>30)。此外，在蚀刻的磁性材料表面上没有观察到明显的化学和物理损伤，对于通过 H 2 /NH 3 (2:1) 离子束蚀刻的 CoPt 和 MTJ 纳米级图案，可以观察到高度各向异性的蚀刻轮廓 >83 ◦，没有侧壁再沉积。与 H 2 离子束或 NH 3 离子束相比，H 2 /NH 3 (2:1) 离子束对磁性材料（如 CoFeB）的蚀刻速率更高，这被认为与挥发性金属氢化物（MH，M = Co、Fe 等）的形成有关，这是通过暴露于 NH 3 离子束中在 CoFeB 表面形成的 M-NH x（x = 1 ∼ 3）的还原形成的。人们认为，H 2 /NH 3 RIBE 是一种适用于蚀刻下一代纳米级自旋转移力矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM) 设备的 MTJ 材料的技术。
Yuheng Chen的投资组合Yuheng Chen的投资组合
编程：精通Python，Pytorch，Tensorflow，Java，JavaScript，C/C ++，MATLAB用于机器学习，多模式模型，计算机视觉，图像分割，数据增强，回归分析，回归分析，量子计算。仿真和设计：Lumerical（FDTD/RCWA），COMSOL，KLAYOUT，ZEMAX，LABVIEW，ANSYS-FEA，SOLIDWORKS，AUTOCAD。设备制造：6年的洁净室经验在Nanodevice原型设计和制造方面：过程优化，石版画（EBL，UV暴露），蚀刻（Ribe，Ibe，Ibe，ICP，湿蚀刻），AFM/SEM/SEM/SEM/SEM/显微镜光学表征。
钼硅质超导纳米线单...
第二，具有侵略性的干蚀刻和湿清洁，对于最佳波导图案至关重要，可能会损害纳米线的制造产量和整体检测器性能。根据所选过程流量，可以实施几种缓解策略。在检测器优先的方法中（在波导蚀刻之前制造纳米线），可以应用封装层以减少纳米线降解。22相反，波导优先的方法（在波导蚀刻后产生纳米线）自然会暴露于侵袭性化学物质中。但是，这种方法可能导致纳米线制造过程的波导质量降解，从而增加了光损失。此外，波导的表面粗糙度可以影响检测器的产量。21在这种情况下，缓冲层20在随后的处理过程中为波导提供了保护，同时也有可能降低表面粗糙度。纳米线的产量也可以通过使用无定形超导体来提高，因为它们的底物要求较少。22
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
GaN微管挠曲电学研究平台的建立
摘要。本文提出了一种经济高效的工艺流程设计与开发，用于研究 GaN 微管的挠曲电性能，微管直径为 2 - 5 μm，微管壁厚为 50 nm。研究了设计以及电化学蚀刻参数（施加电压、阳极氧化持续时间）对获得的通道尺寸的影响。所提出的技术路线意味着在高蚀刻速率下在环保电解质中对 n-InP 半导体晶体进行电化学蚀刻。通过实验优化了工艺流程。建议引入一个垂直通道，微管将放置在该通道中，以便在测量过程中在平台上达到更高的稳定性。
半导体制造及封装技术
[2025 年 1 月 20 日至 31 日，16:00 至 20:00] ▪ 半导体制造 - 制造半导体器件（如集成电路 (IC)）的过程 ▪ CMOS 制造 ▪ 晶体生长和清洗 ▪ 热氧化和后端技术 ▪ 光刻和蚀刻 ▪ 扩散和离子注入 ▪ 沉积和蚀刻（PVD、CVD、PECVD） ▪ 半导体键合、封装和测试 - 保护半导体器件并将其连接到外部环境的过程 ▪ 组装和包装 ▪ 半导体封装中使用的材料，如陶瓷和塑料 ▪ 用于连接组件的引线键合或倒装芯片键合技术 ▪ 测试封装设备以确保其符合性能规范
Bosch 工艺中 Al2O3 硬掩模的蚀刻机理
通过 Bosch 工艺在硅中蚀刻高深宽比结构对于微机电系统 (MEMS) 和硅通孔 (TSV) 制造等现代技术至关重要。由于蚀刻时间长，该工艺对掩模选择性的要求非常高，并且事实证明 Al 2 O 3 硬掩模在这方面非常合适，因为与传统的 SiO 2 或抗蚀剂掩模相比，它提供了高得多的选择性。在这项工作中，我们结合使用扫描电子显微镜 (SEM)、光谱椭圆偏振仪 (SE) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖析来仔细研究 Al 2 O 3 掩模蚀刻机理，从而探究超高选择性的来源。我们证明，通过增加钝化步骤时间，在 Al 2 O 3 上会形成更厚的氟碳聚合物层，然后以微小的平均蚀刻速率 ~0.01 nm/min 去除 Al 2 O 3。 XPS 深度剖析显示，在采用 Bosch 工艺进行深反应离子蚀刻 (DRIE) 的过程中，聚合物和 Al 2 O 3 之间会形成一层 AlF x 层。由于 AlF x 不挥发，因此需要溅射才能去除。如果聚合物层足够厚，可以衰减进入的离子，使其能量不足以导致 AlF x 解吸（例如当使用较长的钝化时间时），则掩模不会被侵蚀。通过研究不同次数 DRIE 循环后的表面，我们还获得了有关 AlF x 的形成速率以及 DRIE 工艺过程中 Al 2 O 3 和聚合物厚度变化的信息。这些发现进一步扩展了对 DRIE 的认识，并可帮助工艺工程师相应地调整工艺。