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超导体/铁磁异质结构
Al 中的自旋寿命。（c）由不同自旋轨道耦合强度参数（b 分别为 0.1、0.02 和 0.005）的隧道磁阻 (TMR) 比推导的自旋寿命的温度依赖性。（d）超连续磁共振涡旋介导的自旋电流示意图。上平面：自旋角动量和超连续磁共振涡旋涡度之间的嬗变。下图：磁性绝缘体 (MI)/SC/MI 结构中通过超连续磁共振涡旋液体进行自旋传输的理论预测。（e）用于探测磁振子和涡旋之间耦合的 Nb/Py 异质结构的器件结构。金电极用作天线来激发和检测 Py 中的磁振子自旋波。（f）归一化的磁振子自旋波传输图与平面外磁场和自旋波频率的关系。两个带隙特征与第一和第二布拉格散射条件吻合得很好。 (bc) 改编自参考文献 [8]，经许可，版权归 Springer Nature 2010 所有。(d) 改编自参考文献 [9]，经许可，版权归 APS 2018 所有。(ef) 改编自参考文献 [41]，经许可，版权归 Springer Nature 2019 所有。
单次二维异质结构的进步 -
二维（2D）材料表现出许多显着的物理特性，包括2D超导性，磁性和依赖层的带隙。但是，单个2D材料很难满足复杂的实际要求。通过Verti Cally堆叠不同种类的2D材料获得的异质结构，由于其丰富的电子特征，吸引了研究人员的注意力。使用异质结构，可以克服晶格匹配的约束。同时，已经探索了针对电子和光电设备的高应用电位，包括隧道晶体管，柔性电子和光电视。具体来说，通过插入的基于石墨烯的范德华异质结构（VDWH）正在涌现，以实现各种基于功能异质结构的电子设备。外延石墨烯下的插入原子可以有效地从底物中解脱石墨烯，并有望实现石墨烯中丰富的新型电子性能。在这项研究中，我们系统地回顾了基于石墨烯的VDWH中单元素插入的进展，包括互嵌套机制，互化修饰的电子特性以及2D互化异质结构的实际应用。这项工作将激发2D材料科学前沿中的边缘切割想法。
准二维异质结构（km1-xte）（late3）...
（[[rq] 1+δ）m（m''q 2）n（r = pb，sn，bi，bi，稀土元素; m“ = ti，v，cr，nb，ta; q = s，se），9-10
两个/quasi-two二维钙钛矿基于异质结构
抽象的二维（2d）/Quasi-2d有机无机卤化物钙钛矿被视为自然形成的多个量子孔，其由长的有机链分离出来的无机层，这些层被长的有机链分离出来，这些链条表现出分层结构，大激子结合能，强大的非线性光学效应，强烈的非线性光学效应，可调节的频带通过层次或化学构图，并改善了层次或化学的构图，改善了构图，并改善了稳定的构图，并改善了稳定性。长长的有机链的广泛选择endows 2d/quasi-2d perovskites具有可调电子偶联强度，手性或铁电特性。尤其是，2D/Quasi-2d Perovskites的分层性质使我们能够将它们去角质以与其他材料集成以形成异质结构，这是光电设备的基本结构单元，这将极大地扩展了2D/Quasi-2d perovskites的多样性的功能。在本文中，回顾了2D/Quasi-2d钙钛矿的最新成就。首先，引入了2D/Quasi-2d Perovskites的结构和物理性质。然后，我们讨论了基于2D/Quasi-2d钙钛矿的异质结构的构建和表征，并突出了构造的异质结构的显着光学特性。此外，2D/Quasi-2d钙钛矿的潜在应用基于光伏设备，发光设备，光电轨道/光传递器和Valleytronic设备是
用于神经形态计算的重金属异质结构
提出了一种基于反铁磁/重金属 (AFM/HM) 异质结构的光触发和电控制超快神经形态计算处理器的概念。基于 AFM/HM 的人工神经元由短 THz 范围脉冲激发，从而触发 AFM 中的进动。HM 层中的偏置电流可用于修改进动的共振频率。进动通过逆自旋霍尔效应转换为 HM 层中的电流。因此，提出了一种神经形态处理器模型，该模型由基于 AFM 的兴奋性人工神经元（振荡器）和处理神经元（检测器）组成。我们表明，使用光激发可以在低功耗下显著提高神经形态计算的处理速度。演示了最简单逻辑运算（OR、AND）的实现示例。
2DHetero：hBN/石墨烯 2D 异质结构
石墨烯是一种二维材料，以其出色的电子特性而闻名。然而，为了在实际设备中利用这些特性，必须大大减少与基板和任何周围材料的电子耦合。六方氮化硼 (hBN) 是另一种二维材料，在这方面非常有前景。它既可用于将石墨烯与基板隔离，也可用于作为栅极介电材料。虽然通过机械剥离和转移获得的设备确实证实了石墨烯/hBN 异质结构的强大潜力，但可扩展且可靠的生长技术仍有待证明：开发制造二维异质结构的新方法非常重要。通过结合项目合作伙伴的专业知识和资源，拟议研究的目的是探索和开发在与 Si 微电子兼容的基板上制造石墨烯/hBN 异质结构的各种方法。为了实现这些目标，石墨烯/hBN 异质结构将通过两种主要方法生长：分子束外延和化学气相沉积。该项目过程中开发的特定成核增强横向图案化技术可能会改善该工艺。将应用先进的显微镜和光谱技术来提供有关薄膜形态、晶体学、化学和电学特性的信息。将通过从头算密度泛函理论进行原子计算，并辅以大规模动力学蒙特卡罗模拟，以了解生长机制和最佳工艺条件。
与范德华异质结构
摘要X射线光学的科学和技术已经走了很远，从而使X射线专注于高分辨率X射线光谱，成像和辐照。尽管如此，在X射线制度中，许多形式的裁缝波对光学状态的应用产生了重大影响。从根本上讲，这种差异源于所有材料在高频上接近统一的折射率的趋势，这使得X射线光分量（例如镜片）和镜像更难创建，并且通常效率更低。在这里，我们提出了一个新概念，用于X射线聚焦，基于将弯曲的波前诱导到X射线生成过程中，从而导致X射线波的内在聚焦。这个概念可以看作是有效地将光学元件整合为发射机制的一部分，从而绕过X射线光学组件施加的效率限制，从而实现了具有纳米级焦点斑点大小和微米尺度的纳米镜的创建。特别是，我们通过设计由自由电子驱动时会塑造X射线的大约VDW异质结构来实现此概念。聚焦热点的参数，例如侧向尺寸和焦点深度，是层间间距chirp和电子能量的函数。期待，创建多层VDW异质结构的持续进展开放了X射线纳米梁的焦点和任意形状的前所未有的视野。
散布（Bi1àxfex）电子的vo4异质结构
对这两个问题的实质性解决方案。3随着纳米技术的发展，高级氧化过程（AOP）有些克服了这些问题。4,5 AOP是最环保的技术，用于去除由于其化学稳定性而无法通过传统方法处理的顽固有机污染物。6,7水和废水处理的概念主要在1980年发现。8在AOP过程中，产生活性氧（ROS），包括单线氧（O），臭氧（O 3），过氧化氢（H 2 O 2），羟基自由基（OH C）等物种。与其他氧化剂（如O，O 3和H 2 O 2）相比，其中OH C是一种高度氧化剂，具有2.8 eV的高度氧化剂，具有2.8 eV且不稳定，其氧化潜力分别为1.67、2.07和1.77 eV。10个光催化剂是产生强氧化剂的材料，即，o，o 3和oh c。11在AOPS中，Pho-Tocatalysts或半导体材料可以将太阳能直接转换为化学能，这是可再生能源生产和环境补救措施的一种非常便捷的方法。12,13光催化降解近年来引起了很大的关注，因为它具有稳定，清洁和无毒的方向以减少环境污染。14,15普通
范德华异质结构的腔电动力学
*通讯作者。1 Max Planck物质结构和动态研究所，德国汉堡。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。 3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。 4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。 5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。 6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。 7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。 8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。法国德国大学学院10大学。
范德华异质结构的超干净装配
图1：VDW异质结构的无机组装。（a）几个从硅芯片伸出的悬臂的SEM显微照片。（b）示意图和（c）横截面高角环形暗场（HAADF）扫描透射电子显微镜（STEM）图像，显示了悬臂的多层金属涂层，可容纳2DM标本（样品中显示了多层MOS 2晶体中的样品）。（d）使用能量色散X射线光谱法在（c）中显示的区域的元素映射。（E）涂层过程后悬臂表面的AFM显微照片。均方根粗糙度值（r rms）在图像e上指示。 （F-H）采用的步骤将HBN晶体拾起到制造的悬臂上：（f）对齐，（g）接触和（h）升降。sem（l）和悬臂的光学（M）显微照片，拾取了厚（约40 nm）HBN晶体后。（i，j）拾取石墨烯晶体的步骤：对齐（I），接触和升降（J）。（n）光学显微照片显示了SIO 2上与石墨烯接触的悬臂（用虚线突出显示）。悬臂的灵活性可以准确控制层压过程。（k）石墨烯/HBN堆栈沉积在底部HBN晶体上。在整个底部HBN晶体被悬臂覆盖以选择性释放堆栈而不是将其捡起之前，层压过程要停止。（O）光学显微照片显示了氧化硅晶片上产生的异质结构，显示了较大的均匀区域。可以在补充第2节中找到有关其他样本的更多数据。