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![Della Pelle，Flavio； Bukhari，Qurat ul ain； Ruslan的ÁlvarezDiduk； [等]。 «独立激光引起的自我con的两维异质结构](/simg/g:\will\search\icon\source\5\5f023e6793757170cb901974c328a0f3b818133d.webp)
Della Pelle，Flavio； Bukhari，Qurat ul ain； Ruslan的ÁlvarezDiduk； [等]。 «独立激光引起的自我con的两维异质结构
具有有利的电化学特征的2D/2D异质结构（HTS）的生产具有挑战性，特别是对于半导体过渡金属二甲硅烷基（TMDS）而言。在这项工作中，我们引入了一项基于CO 2激光绘图仪的技术，用于实现包括氧化石墨烯（RGO）和2D-TMDS（MOS 2，WS 2，MOSE 2，MOSE 2和WSE 2）的HT膜。该策略依赖于激光诱导的异质结构（LIHTS）的产生，在辐照后，纳米材料在形态和化学结构中显示出变化，成为导电易于转移的纳米结构膜。LIHT在SEM，XPS，Raman和电化学上详细介绍了LIHT。激光处理诱导GOS转化为导电性高度去角质的RGO，并用均质分布的小型TMD/TM-氧化物纳米片装饰。所获得的独立式LIHT膜被用来在硝酸纤维素上构建独立的传感器，其中HT既可以用作传感器和传感表面。所提出的硝酸纤维素传感器制造过程是半自动化和可重现的，可以在相同的激光处理中生产多个HT膜，并且模具印刷可以定制设计。证明了不同分子（例如多巴胺（神经递质），儿茶素（黄酮醇）和过氧化氢）在电分析检测中的卓越性能，从而获得了生物学和农业样本中的纳米摩尔限制，并获得了高纤维抗性的纳摩尔限制。考虑到强大而快速的激光诱导的HT产生以及涂鸦所需模式的多功能性，提出的方法是通过可持续和可访问的策略开发电化学设备的破坏性技术。
引用：Arteev DS、Sakharov AV、Nikolaev AE、Zavarin EE、Tsatsulnikov AF，基于 2DEG 的多层 AlGaN/GaN 异质结构，具有较低的 sh
由于 III-N 材料体系的独特性质，AlGaN/GaN 基异质结构可用于制造高电流 (> 1 A/mm [1, 2]) 和高功率 (> 40 W/mm [1]) 的高电子迁移率晶体管和肖特基势垒二极管等器件。此类结构中二维电子气 (2DEG) 浓度的典型值为 N s = 1.0–1.3·10 13 cm -2，电子迁移率 μ ~ 2000 cm 2 V -1 s -1 。通过增加势垒层中的 Al 摩尔分数进一步增加浓度会受到应变弛豫的阻碍 [3]。此外，当 2DEG 密度增加时，2DEG 迁移率通常会大幅下降 [4]，因此电导率保持不变甚至变得更低。使用具有多个 2DEG 的多通道设计的结构可能是实现更高电导率的替代方法 [5, 6]。有关 GaN 多通道功率器件的进展、优点和缺点的更多详细信息，请参阅最近的评论文章 [6]。这种设计能够在不降低迁移率的情况下增加总电子浓度。然而，强的内部极化电场会导致导带能量分布发生显著改变，因此一些无意掺杂的结构的通道可能会完全耗尽，总电导率会明显低于预期。另一方面，向势垒层引入过多的掺杂剂可能会导致寄生传导通道的形成。因此，需要优化设计。在本文中，我们研究了单通道和三通道 AlGaN/AlN/GaN 异质结构的设计对其电学性能的影响。
araştırmamakalesi/使用高分辨率X射线diffractio
使用X射线衍射（XRD）方法对纳米结构进行表征提供了有关结构的组成，晶格应变和异次层状层的信息。这些信息对于光电设备的制造过程很有用。在本文中，我们对常用材料Gaalas提供了基本描述。此外，X射线衍射方法对材料表征的重要性为材料的生长和开发过程提供了至关重要的信息。使用X射线衍射（XRD）方法分析外延生长GAAS/GAALA异质结构的结构表征。rigaku全球拟合模拟程序进行比较，以比较实验结果，模拟和实验结果彼此一致。
单光子发射器和基于自旋的量子传感器
层状二维 (2D) 材料主要通过范德华键相互作用，这为不受外延晶格匹配要求约束的异质结构创造了新的机会 [1]。然而，由于任何钝化的、无悬空键的表面都会通过非共价力与另一个表面相互作用，因此范德华异质结构并不仅限于二维材料。具体来说，二维材料可以与多种其他材料（包括不同维度的材料）集成，形成混合维度范德华异质结构 [2]。此外，化学功能化为调整二维材料的性质和异质界面间的耦合程度提供了更多机会 [3]。在本次演讲中，我们将探讨混合维度异质结构在量子光子科学和技术中的前景，特别关注化学功能化如何操纵和增强应变二维过渡金属二硫属化物中的单光子发射 [4]。除了技术含义之外，本次演讲还将探讨几个基本问题，包括能带排列、掺杂、陷阱态以及跨混合维异质界面的电荷/能量转移。
III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
Adriano Muzzio教授的课程 div>
自2001年以来的研究兴趣集中在硅（SIGE）异质结构和设备的外延生长和应用上。Over almost 20 years of activity, I had the chance to explore the wealth of possibilities offered by strain and bandgap engineering in SiGe heterostructures in a variety of application fields including: quantum transport in Ge quantum wells (QW), near- and mid- infrared integrated optics in SiGe waveguides and MQW modulators, thermoelectric generation in low-dimensional semiconductors, spintronics in Ge异质结构，在图案化底物上的外延生长，浓度掺杂的GE的等离激子效应以及基于GE的孔状态的Qubits的发展。总的来说，我的研究活动导致了国际期刊上280多个同行评审出版物的出版物（H-Index 40）。
电子材料与应用（EMA 2025）
拟议的会议主题• 2D 量子材料及其块体对应物的合成• 具有新兴电子、光子和磁性的新型 2D 异质结构• 电子、光电子和自旋电子 2D 器件• 2D 材料的结构表征• 2D 材料和异质结构中的准粒子（例如，声子、磁振子、激子）• 2D 材料和器件特性的理论模拟• 2D 材料中的量子缺陷• 通过 2D 器件进行神经形态计算• 2D 半导体、2D 磁体、2D 铁电体和 2D 半金属。
