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阳离子-π相互作用促进罗丹明/石墨烯异质结构中的分子附着和光载流子转移
相互作用包括π-π、[1]氢键[2]和范德华力[3]等。最近，阳离子分子与石墨烯中离域π电子之间的阳离子-π相互作用被认为是另一种重要的分子-石墨烯相互作用。Xie等人证实了罗丹明染料和石墨烯等π共轭体系之间的阳离子-π相互作用，这种相互作用导致罗丹明分子的荧光发射降低，因为激发的染料分子通过罗丹明染料/石墨烯界面上的非辐射途径衰变。[4]另一方面，Tang等人报道了通过阳离子-π相互作用锚定在石墨烯片上的罗丹明B分子在制备PVA /石墨烯复合材料时有助于石墨烯在聚乙烯醇（PVA）中的分散。 [5] 分子-石墨烯阳离子-π 相互作用的一个显著影响是分子中功能阳离子对石墨烯的掺杂。[6]
由掺杂的原子薄的半导体异质结构中强的电子脱位诱导的超导性
我们研究了一种在原子薄的半导体中诱导超导性的机制，激子介导电子之间的有效吸引力。我们的模型包括超出声子介导的超导性范式的相互作用效应，并连接到玻色和费米极性的良好限制。通过考虑TRIONS的强耦合物理，我们发现有效的电子相互作用会形成强频率和动量依赖性，并伴随着经历了新兴的BCS-BEC交叉的系统，从弱绑定的S-波库珀对Bipolarons的超浮雕。即使在强耦合时，双丙酸也相对较轻，从而导致临界温度占费米温度的10％。这使二维材料的异质结构有望在通过电子掺杂和Trion结合能设置的高临界温度下实现超导性。
金属有机骨架薄膜和异质结构的 GIWAXS 表征：量化结构和方向
对于金属有机骨架 (MOF) 薄膜的光电应用，能够制造相对于基底表面法线高度取向的薄膜和异质结构非常重要。但是，如果没有足够详细的沉积薄膜结构表征，实现此目标的工艺优化将非常困难。结果表明，实验室系统的 2D 掠入射广角 X 射线散射 (GIWAXS) 数据对于提供此类表征大有帮助，并且可以 1) 比 1D 扫描更好地测试结构模型，2) 提供具有所需表面取向纹理（2D 粉末）的沉积薄膜部分的定量估计（可用于工艺优化），以及 3) 提供此类信息作为薄膜深度的函数（可用于异质结构表征）。本文在理解 MOF 薄膜的背景下介绍了 GIWAXS 数据收集和分析，然后展示了如何通过最小化溶液中的成核作用将通过蒸汽辅助转化制备的 UiO-66 的所需取向分数（2D 粉末分数）从 4% 提高到 95% 以上。最后，证明了一旦优化合成方案，就可以生长 UiO-66 和 UiO-67 的异质结构，其中两层都是高度有序的（UiO-66 83%，UiO-67 > 94%）。
调节无缓冲直接键合 GaN/Si 异质结构的层间微结构和残余应力
1 英国布里斯托大学 HH Wills 物理实验室器件热成像与可靠性中心 (CDTR)，Tyndall Avenue，布里斯托 BS8 1TL，英国。2 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室，北京 100083，中国。3 中国科学技术大学纳米科学与技术研究所，合肥 230026，中国。4 上海高压科学与技术先进研究中心，上海 201203，中国。5 哈尔滨工业大学理学院，深圳 518055，中国。 6 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室，北京 100124，中国 7 大阪市立大学电子信息系统系，大阪住吉杉本 3-3-138，日本 558-8585 8 大阪都立大学工程研究生院，大阪住吉杉本 3-3-138，日本 558-8585
通过各向异性导电异质结构中的超快电流控制
摘要。对跨纳米界界面的光诱导电荷电流的精确和超快控制可能导致在能量收集，超快电子和连贯的Terahertz来源中的重要应用。最近的研究表明，几种相对论机制，包括逆旋转效应，逆Rashba - Edelstein效应和逆旋转轨道扭转效应，可以将纵向注入的自旋极化电流从磁性材料转化为横向电荷电流，从而使Terahertz Generation均可使用这些电流。但是，这些机制通常需要外部磁场，并且在自旋极化速率和相对论自旋转换的效率方面表现出局限性。我们提出了一种非递归和非磁性机制，该机制直接利用界面上的光激发高密度电荷电流。我们证明了导电氧化物RUO 2和IRO 2的电动各向异性可以有效地将电荷电流偏向横向，从而导致有效和宽带Terahertz辐射。重要的是，与以前的方法相比，这种机制具有更高的转化效率，因为具有较大电动各向异性的导电材料很容易获得，而进一步提高重金属材料的旋转台角度将具有挑战性。我们的发现提供了令人兴奋的可能性，可直接利用这些光激发的高密度电流，用于超快电子和Terahertz光谱。
基于Batio3/Moo3/ag的三元异质结构，用于高效且可重复使用的光催化应用
这项工作表明了通过将铁电batio 3（BTO）整合为底层，半导体MOO 3作为中间层和等离激元银纳米颗粒（Ag nps）作为顶层，将有效的三元异质结构光催化剂制造为底层，半导体MOO 3。Batio 3 /Moo 3 /ag（BMA）异质结构在紫外线batio 3 /ag（BA（BA）和MAO时，在UV -Visible Light Plintination下，若丹明B（RHB）染料的光降解和光催化效率为100％，在60分钟下显示为60分钟。BMA异质结构中的光催化活性增加归因于其增强的界面电场，这是由于BTO -MOO 3和MOO 3 -ag界面的电动双层形成。对BMA异质结构观察到的表面等离子体共振（SPR）峰的较高蓝光清楚地表明，在光照明下，电子向顶部AG NPS层的转移增加了。较高的电阻开关（RS）比，电压最小值的差异增加以及改善的光电流产生，从I – V特性中可以明显看出，这说明了BMA异质结构中增强的电荷载体的产生和分离。在BMA异质结构的Nyquist图中观察到的较小的弧形半径清楚地展示了其增加的界面电荷转移（CT）。还研究了BMA异质结构的CT机制和可重复使用性。
fe3gate2/wse2/fe3gate2 van der wa der waals异质结构
磁性隧道连接点（MTJ）是非挥发性随机访问记忆（MRAM）技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成，提供快速开关速度，高耐力和低功耗。3，随着大数据和物联网的不断增长，优化了MTJ的运营，以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆，并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ，正在使用电场，该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此，实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维（2D）范德华（VDW）磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径，与原子尖锐的互相互相互相互相耦合，6 - 14，这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来，在全VDW MTJ中，在带有隧道屏障HBN，MOS 2和INSE的全VDW MTJ中，在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而，在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战，迄今为止，VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远，发现2D VDW铁磁（FM）金属Fe 3 Gate 2，22，其在室温高于室温（居里温度≈350 - 380 K）上表现出强烈的铁磁作用，并稳健的大型垂直磁性各向异性，可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。
在悬浮石墨烯/HBN异质结构中的热电子
1 College of Advanced Interdisciplinary Studies & Hunan Provincial Key Laboratory of Novel Nano-optoelectronic Information Materials and Devices, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073, People's Republic of China 2 Nanhu Laser Laboratory, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan 410073, People's Republic of China 3 State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Institute of Opto-Electronics, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 4 Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 5 State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Institute of Laser Spectroscopy, Shanxi University, Taiyuan 030006, People's Republic of China 6 Institute for新加坡新加坡国立大学功能智能材料，新加坡117544，新加坡材料科学与工程系，新加坡国立大学，新加坡117575，新加坡
通过子频带光吸收
抽象过渡金属二甲化合物（TMD）分层半导体在光子，电子，光电和传感器设备的设计中具有巨大的潜力。然而，从近红外（NIR）到短波长红外（SWIR）的TMD的子频率光吸收不足以超出带隙极限。在此，我们报告说，MOS 2 /AU异质结构的子频率光响应可以通过所采用的电极制造方法进行牢固调节。我们在MOS 2 /AU异质结构中观察到多达60％的亚带gap吸收，其中包括杂交界面，其中通过溅射沉积应用了AU层。sub-Bandgap光的吸收大大增强是由于MOS 2和AU形成的平面腔。因此，可以通过改变MOS 2层的厚度来调整吸收光谱。在SWIR波长范围内的光电流增加，由于吸收增加而增加，这意味着可以从可见到SWIR的宽波长检测。我们还以1550 nm的激发波长达到了快速的光响应（〜150 µs）和高响应性（17 mA W -1）。我们的发现展示了一种使用金属电极工程的光学性质调制方法，并在宽带2D材料中实现SWIR光电进行。
当前泄漏机制与在Si（001）上生长的GE富含螺纹脱位有关
目前的工作研究了螺纹位错密度（TDD）在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上（001）的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错（TD）的影响，而不会与加工诱导的缺陷相互作用，例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度，但具有三种不同的TDD值：3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明，泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明，通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道，在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下，无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度（> 100°C）下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里，我们看到材料中SRH的贡献减少，其中最小的TDD（3×10 6 cm -2），我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。