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具有 3D 波浪图案表面的可拉伸基板可增强氧化铟锡电极的机械稳定性
柔性电子设备在可穿戴设备、植入式设备、机器人和显示器等许多未来技术中都有着广阔的应用前景。在各种机械柔性中，可拉伸性是一项重大挑战。一个特别艰巨的目标是实现一种高性能透明电极，这种电极既能承受拉伸，又能大规模生产，同时又能避免对设备密度产生额外的限制。在这项研究中，通过对 3D 波纹图案和平面表面的统计比较，证明了 3D 波纹图案表面使沉积的氧化铟锡电极的应变性能提高了三倍，其中氧化铟锡电极被拉伸至电气故障。此外，该平台减轻了残余薄膜应力，使基板的处理更加容易。这项研究证明了使用可扩展平台实现未来电子设备可拉伸性的可行性，该平台仅使用常规材料和制造步骤就结合了高性能透明电极材料。
用于集成路径差分吸收激光雷达的双激光磷化铟光子集成电路
摘要 — 演示了一种用于大气二氧化碳 (CO 2 ) 集成路径差分吸收激光雷达的磷化铟光子集成电路 (PIC)。PIC 由两个宽调谐采样光栅分布布拉格反射器 (SGDBR) 激光器、定向耦合器、相位调制器、光电二极管和半导体光放大器 (SOA) 组成。一个 SGDBR 激光器（前导）使用片上相位调制器和台式 CO 2 Herriott 参考单元锁定在 1572.335 nm 处的吸收线中心。另一个 SGDBR 激光器（跟随器）在 1572.335 nm 附近以 ± 15 GHz 的频率步进，以扫描目标 CO 2 吸收线。跟随器激光器通过光学锁相环偏移锁定到前导激光器。跟随器激光器后的 SOA 在每个频率步进处产生一个脉冲，以创建对目标 CO 2 吸收线进行采样的脉冲序列。根据目标性能要求对 PIC 组件和子系统进行特性描述和评估。与自由运行相比，引导激光器在锁定状态下的频率稳定性标准偏差提高了 236 倍，而与引导激光器相比，在 2 GHz 编程偏移下，跟随激光器的频率稳定性标准偏差为 37.6 KHz。
自下而上设计可调铟镓锌氧化物薄膜原子层沉积的超循环配方
摘要：我们提出了一种自下而上的成功方法，设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方，以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合，已用于优化薄膜的沉积工艺和质量，方法是识别和解决生长挑战，例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比，可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比，我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能，同时防止热诱导偏析。关键词：IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
确定与inxga1 -xn中金属 - 胰蛋白过渡相对应的临界依赖组合物（0.06⩽X⩽0.135）层
在X GA 1 x N合金中的低温电导率（0.06 6 x 6 0.135）被分析是inimium成分（x）的函数。尽管我们的X GA 1 x N合金位于金属 - 绝缘体过渡的金属侧，但Kubo-Greenwood和Born方法都无法描述X GA 1 x N合金中的运输特性。此外，所有X GA 1 x N合金中的所有内容都在其电导率较低的Ioeffe -Regel制度下方进行。在缩放理论的框架中讨论了观察到的行为。随着依赖性组成的减少，观察到热活化能的降低。对于金属 - 绝缘子的跃迁，在x Ga 1 x N合金中获得临界依赖组成为x c = 0.0543。2009 Elsevier B.V.保留所有权利。
使用二氧化物（ITO）（ITO）启用与光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信
学术共识引用学术共享引用O'Keefe，John T.，“使用二锡氧化物（ITO）的光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信”（2024）。博士学位论文和硕士论文。870。https://commons.erau.edu/edt/870
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
综述了晶体硅，三硫酸镉，硒化铜，硒化铜，染料敏感，有机和钙钛矿太阳能电池的特定降解：了解成熟技术的可靠性如何增强新兴技术
• Loss of absorption due to absorber layer degradation (intrinsic, moisture or photoinduced) (A) • Migration of dopant from interlayer to absorber layer (A) • Phase separation (A) • Crystallographic changes (A) • Change in energy levels (A, I) • Hole/electron transport layer degradation (I) • Dopant diffusion into active layer (I) • Change of uniformity of interlayers (I)
唾液有毒金属和局部免疫。 ...
摘要。最近，科学家和临床医生对利用唾液作为诊断媒介的非侵入性诊断方法的兴趣越来越大。特定唾液微元素水平的变化在龋齿，牙周疾病加剧，局部免疫疾病中起着至关重要的作用。由于入口门处的免疫系统的状态与急性呼吸道感染的频率有关，因此我们的研究旨在探索唾液研究不足的毒性微元素的影响与经常性呼吸道感染儿童的局部免疫力的指标。目的：研究小学时代儿童唾液中有毒和潜在有毒金属的水平，并分析其与口腔局部免疫标记物的相关性。这项研究涉及30名5-7岁的儿童，患有复发性呼吸道感染（主要组）和10名经历过发作性急性呼吸道感染（对照组）的实际健康儿童。主要组中急性呼吸道感染发作的数量为7.64（1.02）（M（SD）），而在对照组中为1（0.63）。这项研究是根据赫尔辛基医学协会宣布涉及人类受试者的医学研究的伦理原则进行的。唾液样品的有毒金属水平，包括铝（Al），铅（Pb），钡（BA），thallium（TL），镉（CA），腹膜（SR），Bismuth（bi），bismuth（bi）和潜在有毒金属和潜在有毒金属，例如银（AG），胆汁（AG），壁炉（ga）和Indium（ga）和Indium（ga）和Indium（in Indium）。测量。在测试系统的帮助下，使用微板块的光度计（HIPO MPP-96）测量了分泌性IgA和溶菌酶作为局部免疫力的指标。对主要
基于凹的微型阵列阵列制造技术，带有添加的预流湿蚀刻和退火
摘要：基于依赖的微型倒数阵列，除其他外，用于红外光估算器和焦平面阵列的键合。在本文中，研究了具有光滑表面形态的微米大小凹凸的制造技术的几个方面。已优化了乳化剂的热蒸发，以实现〜8 µm厚的层，其表面粗糙度为r a = 11 nm，表明原子的堆积密度很高。这确保了整个样品的凸起均匀性，并防止在重新流之前的列内氧化。描述了一系列优化优化inimumbump制造技术的实验，包括单列的剪切测试。在10％HCl溶液中预蚀刻im缩柱之前，开发了一种可靠，可重复，简单和快速的方法。
二维柱状纳米粒子的密度泛函理论研究
图 1：单层结构，(ab) 碘化铅-PbI 2 ，(cd) 氧化铅 PbO ，(ef) 氧化锡 SnO ，(gh) 硫化铟-InS ，(ij) 硒化铟-InSe ，分别为顶视图和透视侧视图。(k) PbO 和 SnO ，(l) PbI 2 ，InS 和 InSe 的第一布里渊区路径。原子颜色代码：黑色=Pb，紫色=I，红色=O，浅蓝/灰色=Sn，浅粉色=In，黄色=S，绿色=Se