XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemindium
非晶态基底上具有高紫外至可见透明度的相关金属透明导体
传统透明导电氧化物 (TCO) 的技术策略是采用简并掺杂宽带隙半导体来实现两个关键特性：电导率和光学透明度。宽带隙半导体被选为主体材料，其带间跃迁高于可见光谱，而掺杂剂则增加载流子密度，从而提高电导率。锡掺杂氧化铟 (ITO) 因其在可见光谱中实现了高电导率和光学透明度的最佳平衡而得到广泛应用。[3] 然而，由于铟矿的供应有限，ITO 用作 TCO 的使用越来越多，导致 ITO 成本上升。[4] 同时，许多其他应用，如日盲探测、紫外 (UV) 光刻、紫外发光二极管和紫外固化，都需要紫外光谱中的透明导体。[5–8] 然而，传统的高电导率 TCO 在光谱的紫外侧表现出低透射率。 [1]
多层 CdHgTe 基红外探测器：2D/3D 微断层扫描、同步辐射和室温及 100 K 下应力分布的有限元建模
在几种温度下加工后，对基于 CdHgTe 的红外探测器的机械行为进行了评估，以确定热机械负荷对残余应力和可靠性的影响。首先，依靠 SEM、X 射线微层析成像和衍射分析，对探测器的结构进行了全面表征，以便了解所有组成层（特别是铟焊料凸块）的性质、形态和晶体取向。结果特别显示了铟凸块的意外单晶外观，具有可重复的截锥形几何形状。为了获得加工后结构在工作温度范围内（从 430 K 到 100 K）的热机械响应，随后开发了一个 3D 有限元模型。正如预期的那样，数值结果显示，从高温到低温，结构中的应力梯度发生了变化，在 100 K 时，CdHgTe 中的局部高应力约为 30 MPa，这主要是由于不同层之间的热膨胀系数不匹配。它们强调了凸块的几何形状和单晶性质以及不同材料的行为规律的重大影响。
使用Versatile Fine Pitchμ-pump Technology Mokoto Motoyoshi 1，Junichi Takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo AR
使用多功能的精细pitchμ-thecky Makoto Motoyoshi 1，Junichi takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo Arai 3和Mitsumasa koyanagi 2 1 1 1 1 1 1 tohoku-Microtec Co.，ltd。（T-Micro）（T-Micro）＃203333， Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan E-mail: motoyoshi@t-microtec.com 2 Tohoku University, New Industry Creation Hatchery Center 6-6 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan 3 KEK, High Energy Accelerator Research Organization Institute of Particle and Nuclear Studies 1-1 Oho, Tsukuba，Ibaraki 305-0801，日本摘要 - 本文介绍了2.5μmx2.5μm的3D堆叠技术（indium）凸起连接，并带有粘合剂注射[1]。不是使用简单的测试设备，而是使用实际电路级测试芯片验证了该技术。发现，堆叠过程的完成会受到堆叠的每个层的布局模式的影响。为了最大程度地减少这些效果，我们优化了布局，过程参数和设备结构。
flip-chip体系结构中的超导速度
翻转芯片架构最近实现了多数电路的显着扩展，并已用于组装混合量子系统，这些系统结合了不同的底物，例如用于量子声学实验。标准的流芯芯片方法使用两个基板之间的超级电源电量连接，通常是使用复杂的辅助晶粒晶片键入系统实施的，这些系统可提供高度可靠且可固定的组件，但价格昂贵，但在设计中却有些影响，并且需要具有强大的底物，并且需要稳健的底物，从而可以维持对较大的压缩力对Coldium of Coldium decls of Coldium decls of Coldem bongs offers of Colds键。一种简单得多的方法是使用非常低强度的触点和气管胶粘剂组装模具，尽管这并不能在模具之间提供电力接触。在这里，我们证明了后一种技术可用于可靠地对量子电路，其中Qubits在单独的模具上，而无需电力连接。我们证明了两个模具中每个量子的全部矢量控制，并具有高度有限的单次读数，并进一步证明了纠缠产生的激发掉期，并基准了两个死亡的两个Qubit的受控Z纠缠栅极。这是一种简单且廉价的组装方法，用于二维量子电路集成，该方法支持使用精致或异常形状的底物的使用。
InP和GaAs双栅极MOSFET的设计与分析
摘要 本文分析了一种由III族材料（铟、镓）和V族材料（磷化物、砷化物）统一构成的新型双栅极MOSFET（DG MOSFET）。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力，DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中，我们研究了基于磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模，并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看，基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A，优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词：DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
New-Guidance-45X-先进制造生产-...
1 适用的关键矿产包括特定形式的铝、锑、砷、重晶石、铍、铋、铈、铯、铬、钴、镝、铒、铕、萤石、钆、镓、锗、石墨、铪、钬、铟、铱、镧、锂、镥、镁、锰、钕、镍、铌、钯、铂、镨、铑、铷、钌、钐、钪、钽、碲、铽、铥、锡、钛、钨、钒、镱、钇、锌和锆。