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fu-acsnano-cr5te8-2024.pdf - 普渡大学物理学
摘要：二维（2D）磁体作为2D材料家族的重要成员，已成为自旋电子器件的一个有前途的平台。在此，我们报道了在惰性云母基底上化学气相沉积（CVD）生长高度结晶的亚毫米级自插金属2D铁磁（FM）三角碲化铬（Cr 5 Te 8）薄片。通过磁光和磁输运测量，我们揭示了这些2D薄片的特殊磁性能。三角Cr 5 Te 8薄片表现出强的各向异性FM序，居里温度高于220K。值得注意的是，在居里温度附近超薄Cr 5 Te 8薄片的MOKE信号中观察到一种新兴的反铁磁（AFM）状态。AFM状态具有相对较弱的层间交换耦合，允许通过调节温度在层间AFM和FM状态之间切换。同时，三角 Cr 5 Te 8 薄片表现出巨大的反常霍尔效应 (AHE)，其反常霍尔电导率为 710 Ω − 1 cm − 1，零磁场下的反常霍尔角为 3.5%，超过了典型的流动铁磁体。进一步分析表明，三角 Cr 5 Te 8 中的 AHE 主要由斜散射机制驱动，而不是本征或外在的侧跳机制。这些发现证明了 CVD 生长的超薄 Cr 5 Te 8 薄片作为一种有前途的二维磁性材料的潜力，它具有出色的 AHE 特性，可用于未来的自旋电子应用。关键词：二维磁体、化学气相沉积、共存铁磁−反铁磁态、巨反常霍尔效应、碲化铬
在半导体杂体中观察四极和偶极激子
1 E. L. Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA 2 SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA 94025 3 Research Center for Electronic and Optical Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan 4 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki,日本Tsukuba 305-0044†这些作者同样为这项工作做出了贡献。*电子邮件：leoyu@stanford.edu **电子邮件：tony.heinz@stanford.edu van-der-waals（vdw）材料已经通过层组装开辟了许多通过层组装发现的途径，因为表现出电气可调节的亮度亮度，浓度和exciten contensect，cortensect，contensation and Exciten cortensation and ExciteN，contensation and ExciteNtion and ExciteNtion and ExciteN，并表现出。将层间激子扩展到更多的VDW层，因此提出了有关激子内部连贯性以及在多个接口处Moiré超级峰值之间的耦合的基本问题。在这里，通过组装成角度对准的WSE 2 /WS 2 /WSE 2杂体我们证明了四极激体的出现。我们通过从两个外层之间的相干孔隧道（在外部电场下的可调静态偶极矩）之间的相干孔隧穿来证实了激子的四极性性质，并降低了激子 - 外激体相互作用。在较高的激子密度下，我们还看到了相反对齐的偶极激子的相位标志，这与被诱人的偶性相互作用驱动的交错偶极相一致。我们的演示为发现三个VDW层及以后的新兴激子订购铺平了道路。
固体薄膜 799 (2024) 140399
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术，可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量，通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中，我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP，并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈，位于牺牲层上，该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标，我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导，并用高密度等离子 SiO 2 封装，并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标，以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理，我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值，以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明，无需应变补偿层，就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样，为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
类型-II T-J型模型和共享超导统治中的superexchange耦合la 3 ni 2 o 7
最近，在高压下在LA 3 Ni 2 O 7中发现了一个80 K超导体。密度函数理论计算d x 2 -y 2，d z 2是双层平方晶格上的活性轨道，每个位点的ni构造d 8 -x。在这里，x是孔掺杂水平。一个天真的期望是用两轨T -J模型来描述该系统。但是，我们强调了Hund的耦合J H的重要性，X = 0限制应视为旋转的Mott绝缘子。，显着的hund的耦合共享了D Z 2轨道的层间交换j j r，d Z 2轨道上D x 2-y 2轨道，这种效果无法通过常规的扰动或均值扰动或均值扰动方法来捕获。这项研究首先探讨了d z 2轨道被局部化的极限，处理的是一个轨道双层T -J模型，该模型的重点是D x 2 -2 -y 2轨道。值得注意的是，我们发现强大的层间配对可生存至x = 0。5孔由传输的J驱动，这解释了该掺杂水平的实验中高的TC超导体的存在。接下来，我们发现了更现实的情况，即D Z 2轨道略微掺杂，不能简单地集成。我们采用J H→+∞极限，并提出了一个II型T-J模型，具有四个旋转半旋转（D 7）状态和三个旋转的Dublon（D 8）状态。采用parton均值字段方法，我们恢复了与单轨t-j模型中相似的结果，但现在具有自动生成的j r的效果。
线粒体在与Desmin突变相关的心肌病的发展中的关键贡献
摘要：异质性超导性发作是Cuprate和基于铁的家族的高-T C超级导管的常见现象。它是由从金属到零抗性状态的相当广泛的过渡表现出来的。通常，在这些强烈的各向异性材料中，超构型（SC）首先显示为孤立域。这会导致t c以上的各向异性过量电导率，并且传输测量值提供了有关样品内部深处的SC结构域结构的宝贵信息。在大量样品中，这种各向异性SC发作给出了SC晶粒的平均形状，而在薄样品中，这也表明SC晶粒的平均大小。在这项工作中，在各种厚度的FESE样品中，测量了层中的和内层的电阻率。为了测量层间电阻率，使用FIB制造了跨层的FESE MESA结构。随着样品厚度的降低，观察到超导过渡温度T C的显着增加：T C在厚度〜40 nm的微生物中从散装物质的8 K提高到12 K。我们应用了分析和数值计算来分析这些数据和早期数据，并发现了FESE中SC域的纵横比和大小与我们的电阻率和Diamamnetic响应测量相一致。我们提出了一种简单且相当准确的方法，用于估计各种小厚度样品中T C各向异性的SC域的长宽比。讨论了FESE中的nematic和超导域之间的关系。我们还将分析公式推广到异质各向异性超级导管中的电导率，以与两个具有相等体积分数的两个垂直方向的细长SC结构域的情况，对应于基于Fe的各种FE基超导体中的nematic结构域结构。
Krishna Kishore Mugada 博士
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博士Shukla的Shukla -Rupnagar
06/2023-present Indian Institute of Technology Ropar , Department of Physics, India Assistant Professor Principle Investigator: Computational Materials Physics Laboratory 08/2022-05/2023 Technical University Dresden , Chair of Theoretical Chemistry, Germany 10 months Postdoctoral Fellow with Prof. Thomas Heine Current research focuses on the nature of the heterostructures (HSs) formed from novel magnetic 2D materials and the new physical他们提供的现象，具有变革性影响的潜力。该计划是研究具有山谷极化过渡金属二核苷的2D抗铁磁（AFM）半导体的HSS或/和2D超导体。我们旨在通过调整由于旋转比对，层间电荷转移和层的电子特性而导致的层间相互作用的强度和性质来控制HS性质。最终，借助我们的实验合作者，在2D HSS上的积累知识将被利用，以证明新型量子光电设备的工作范式。05/2021-06/2022查尔默斯技术大学，EMS实验室，微技术和纳米科学，哥德堡，瑞典，1年2个月研究人员Per Hyldgaard 05/2019-04/2021 Chalmers技术大学，EMS实验室，微技术和纳米科学，哥德堡，瑞典，瑞典，2年博士后研究员根据Hyldgaard，我的研究重点是解决有机界面问题的重要剩余挑战，并主张VDW-DF方法对生物化学问题的真正无参数探索的潜力。教育该项目包括有机系统的第一原理DFT研究的实施工作和促进。在适当的情况下，我还通过定义和启动与未来的生物化学和or-ganic金属界面相关的新的基于实验的基准套件来建立对方法的信任。这项工作涉及非本地DFT的分析和方法开发和代码实施，以及定义和启动新的台式标记的工作。
用于超级电容器应用的基于 MXene 的纳米材料
摘要 MXenes 吸引了方法和技术领域的研究人员，他们将其应用于各种应用，例如储能设备、超级电容器 (SC) 和弹性电池。由于其出色的自动化、物理化学、光学、电气和电化学效应，原始 MXenes 及其纳米材料在多种类型的 SC 中的应用正在不断增加。由于其出色的电气性能、更好的机械强度、不同的实用簇和充足的层间空间，MXene 基纳米材料 (NM) 已展示出强大的储能能力。在这篇评论文章中，我们展示了 MXene 基纳米材料 (NM) 在超级电容器 (SC) 中的合成方法和应用的时间表和进展。最后，我们以该领域的未来展望结束了主题。
补充材料：扭曲角度依赖的山谷极化Moir´e激子在Van der Waals超级晶格中
要计算WSE 2层的Moir´e电子结构，我们需要求解未介绍的TMD的K和-K谷（τ= 1和-1）周围的有效连续模型，然后将它们折叠到Moir'e Bz中s3（a），其中蓝色区域代表具有τ= 1的连续模型，红色区域代表带有τ= - 1的连续模型。这两个区域在动量空间中远距离分离，因此两个连续模型在单粒子水平上被解耦]。我们将Bz中的山谷表示为±K，而Moir´e Bz中的山谷为κ和κ'。为简单起见，我们还使用±k表示某处τ=±1的连续模型。为了获得Moir´e潜在参数（v I，φi），（i = V，c），我们使用自旋轨道耦合（SOC）来利用密度功能理论（DFT）软件VASP [6-8]来计算WSE 2 / WSE 2 / WS 2 HETEROBILAYER系统。Moir´e的电势作用在相应的价和配置带的D轨道上，可以解释为Valence带最大值（VBM）的变化，而传导带最小值（CBM）是Moir´e超级突出的位置R的函数。如上所述，可以将这些变化映射到VBM和CBM的变化，并在AA堆叠的WSE 2 / WS 2 BILAYER中具有不同的层间层中位移D，其扭曲角度为零。在此，我们计算了三个高对称堆叠配置的带状结构[5]。基于金属原子和相反层的金属原子和chalcogen原子的比对，将三种构造称为SE / W，AA和W / S。例如，SE / W表示顶层中的SE原子与底层中的W原子对齐。真空距离在平板模型中设置为20°A，并且在不同结构构造中的层间距离是通过