Elemental 的石墨烯是乱层石墨烯,即层间相互作用较低的多层石墨烯,这意味着层堆叠遵循一定的旋转角度,从而产生错位。乱层石墨烯相互作用点较少,因此其特性和功能与单层石墨烯相似。
是由在压力下在LA 3 Ni 2 O 7中高T C超导性的最新报道所激发的,我们从理论上分析了这种化合物中正常和超导状态中的磁激发,可以通过无弹性中子散射或RIX来测量。我们表明,自旋响应的双层结构允许以非常有效的方式阐明层间相互作用的作用和库珀对的性质。特别是,我们通过比较自旋敏感性的均匀和奇数通道中的相应响应,展示了电位S±和D波间隙之间的关键差异。我们表明,大多数是层间驱动的粘结 - 抗抗反键S±Cooper Pairing仅在X点附近的奇数通道中产生一个大型自旋共振峰,而奇数和偶数通道中的旋转共振在D-Wave场景中都可以预测。
本文探讨了3D打印之前的细丝预擦的效果。根据孔隙率,微观结构和聚合物链键合评估了脱离和预先干燥的3D印刷PLA之间的比较。检查了三个条件:一种新的PLA作为参考,使用的PLA细丝存储在带有50克干燥剂的真空袋中,并使用PLA暴露于湿度为48h,96h和150h。在所有条件下,干燥和3D打印的参数设置都是恒定的。结果,将细丝进行预干导致多孔的微结构,较短的层间间隙和更好的层间粘附。预先干燥的方法提供的微观结构比Undred细丝更好。由于挤出过程中质量流量的改善,预先干燥样品的密度增加了。最后,FTIR分析表明,预先干燥的细丝表现出从O-H区域宽峰中的O-H分子,该分子没有或几乎没有水的存在(H 2 O)。
交换相互作用与磁结晶各向异性之间的竞争可能会带来具有极大兴趣的新磁状态。可以进一步使用施加的静水压力来调整其平衡。在这项工作中,我们研究了沿易于轴施加的外部磁场中双轴an- tiferromagnet的磁化过程。我们发现,在静液压压力下,在这种材料中观察到的ISIN类型的单磁管转变为两个过渡,这是一阶自旋flop跃迁,然后是二阶阶层向极化铁磁状态的二阶转变,接近饱和。通过使用高静水压力改变层间距离,在低温下,在层次的Bulk CRSBR中获得了这种可逆的调节,该磁相可以有效地作用于层间磁力交换上,并通过磁光谱光谱探测。
最近发现的高温超导镍的双层结构la 3 ni 2 o 7为研究相关性和超导性提供了一个新的平台。从双层哈伯德模型开始,我们表明,由于Hubbard的相互作用和大型层间耦合,粘合带形成了分子莫特绝缘子极限。这个分子莫特绝缘子从转移到抗抗议带的电子中以较弱的层间偶联强度自载。自掺杂的分子莫特绝缘子类似于在铜层中研究的掺杂的莫特绝缘子。我们提出的LA 3 Ni 2 O 7是一种自掺杂的分子莫特绝缘子,其分子mott限制是由两个近两个退化的抗对称d x 2-y 2和d z 2轨道形成的。较高能量对称d x 2-y 2轨道的部分职业导致自兴奋剂,这可能导致LA 3 Ni 2 O 7中的高温超导性。
我们研究了双层kitaev蜂窝模型的相图,并通过层间相互作用,通过扰动理论得出有效的模型,并执行majoragarana含义层次的理论计算。我们表明,会发生各种磁性和拓扑相变的阵列,具体取决于层间相互作用的方向以及Kitaev相互作用的相对符号。当两个层具有相同的基塔夫相互作用的迹象时,就会发生从基塔耶旋转液体到磁序状态的一阶过渡。沿Ising轴的磁性点,它是(反)铁磁相互作用的(抗)铁磁。但是,当两个层具有相反的基塔夫相互作用的迹象时,我们观察到磁有序趋势的显着削弱,而基塔伊夫自旋液体可以生存,直至更大的层中层交换。我们的平均值分析表明,中间间隙z 2旋转状态的出现,最终在粘膜凝结后变得不稳定。通过高度沮丧的120°指南针模型来描述汇总阶段。我们还使用扰动理论来研究模型,沿着z ˆ轴或位于xy平面的ising轴指向。在这两种情况下,我们的分析都揭示了一维伊斯丁链的形成,这些链在扰动理论中保持脱钩,从而导致了典型的地面变性。我们的结果突出了双层量子自旋液体中拓扑顺序和磁性顺序趋势之间的相互作用。
我们在石墨烯双层中发展了热传输中流动驱动现象的理论。我们在电子流体力学方面工作,并专注于双重电荷中性点。尽管在中立点,电荷转运与流体动力流相关,但电子密度的热闪光导致层之间的阻力和热传递。双层系统中的热传输受这两种现象的控制。我们以层间距离和电子液体的内在电导率来表达拖动摩擦系数和层间导电性。然后,我们获得热电导矩阵,并确定系统中流体动力速度和温度的空间依赖性。对于较短的系统,热阻力是由阻力确定的。在更长的系统中,实现了完美的热阻力的情况,其中两层的流体动力速度在系统的内部相等。给出了单层和双层石墨烯设备的估计值。我们的理论的预测可以通过高分辨率热成像和Johnson-Nyquist非局部噪声温度计来测试。
1。物质中的电子激发在各种物理现象中起关键作用,包括光吸收和运输。这些激发的特征受宿主材料的强烈影响。激子是绑定的电子 - 孔对,在过去十年中出现的低维半导体中表现出出色且异常强的电子 - 孔结合。1当彼此堆叠两个原子薄的半导体时,两层之间的原子比对可以表现出周期性的变化,从而导致一种新型的平面超级晶格,称为Moire Super晶格。Moire ́结构最近引起了极大的关注2-12,其中包括由于Moire的电势,2个Interlayer,5、6和内部电荷电荷转移而引起的空间限制。9此外,Moire的电子特性́晶格可以通过频带比对和层之间的扭曲角度调节,从而使Moire ́结构具有巨大的希望,是在未来十个十年中探测电子和光子量子现象的令人兴奋的平台。12
不均匀性对量子材料的特性至关重要,但是可以测量它们的方法仍然有限,并且只能访问相关可观察的一小部分。例如,诸如扫描隧道显微镜之类的局部探针已经证明,在纳米长度尺度上,丘比特超导体的电子特性是不均匀的。但是,需要解决高阶相关性的互补技术以阐明这些不均匀性的性质。此外,局部隧道探针通常仅远低于临界温度。在这里,我们开发了一种二维的Terahertz光谱法,以测量来自近乎掺杂的丘陵中层间间的隧道共振的Josephson等离子体回声。这项技术使我们能够研究材料中层偶联的多维光学响应,并从外部无均匀的无均匀宽扩展中拓宽了材料中的固有寿命扩大,以实现中间层间隧道隧道。我们发现,不均匀的扩展持续到临界温度的很大一部分,而这在高于热量增加的寿命拓宽之上可以克服。
与薄膜电池不同,6限制为6 cm 2的6个限制,大量LLZO可以实现高功率和能量应用。然而,最近在SE/ CC报告中调查了LI成核行为的最新研究表明,LI镀以不均匀的形态,导致高度异质的界面。8,9这将抑制锂作为膜状阳极的生长,从而导致出乎意料的过早短路。8–10有趣的是,当SE表面通过人工互层(例如AGC,11 AG,12-14或AU)修饰时,锂生长特性可以显着改善。15–17这些材料与锂的合金合金非常接近Li/Li +氧化还原反应,从而抑制了成核屏障。15,18这与Si或SN的情况相反,19,20,在与锂合金合金的同时发生了重大的结构变化。因此,在电池运行过程中,Ag或Au Interlayer的作用可能会有效地调节CC处的锂沉积,作为用于同质锂再分配的一种动态缓冲层。15,18