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综述了晶体硅，三硫酸镉，硒化铜，硒化铜，染料敏感，有机和钙钛矿太阳能电池的特定降解：了解成熟技术的可靠性如何增强新兴技术
• Loss of absorption due to absorber layer degradation (intrinsic, moisture or photoinduced) (A) • Migration of dopant from interlayer to absorber layer (A) • Phase separation (A) • Crystallographic changes (A) • Change in energy levels (A, I) • Hole/electron transport layer degradation (I) • Dopant diffusion into active layer (I) • Change of uniformity of interlayers (I)
![arxiv：2401.02716v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年6月12日](/simg/9\9d84400af818a541760be1b9e41181824c8b4977.webp)
arxiv：2401.02716v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年6月12日
我们报告了通过二维半导体WS 2的范德华异质结构的能量转移机理和具有不同层间距离的石墨烯，这是通过六角硼硝化硼（HBN）的间隔层实现的。我们在0.5 nm至5.8 nm（0-16 HBN层）之间记录了层间距离处的光致发光和反射光谱。我们发现能量转移由光锥外部的状态支配，这表明了f的转移过程，并在0.5 nm的层间距离下右手过程的额外贡献。我们发现，可以使用最近报道的热载荷载载流子的f ister传递速率进行定量描述发光强度对层间距离的测量依赖性。在较小的层间距离处，实验观察到的转移速率超过了预测，此外，取决于过量的能量以及激发密度。由于f”机制的转移概率取决于电子孔对的动量，因此我们得出结论，在这些距离上，转移是由非省力的荷载载流子分布驱动的。
![arxiv：2407.07569v2 [cond-mat.supr-con] 11月11日2024](/simg/c\cae74a535156e9604fac586e16b6aa80c868f5dd.webp)
arxiv：2407.07569v2 [cond-mat.supr-con] 11月11日2024
我们证明，与层间配对的多层超导性可以自然分解为一系列弱耦合的双层和三层超导块，以最大程度地减少其总自由能。我们的工作是由最近在双层和三层镍超导体中的近半填充D Z 2轨道的互相交换引起的层间配对的建议。我们探讨了层间配对超导性的一般特性，并对有效的多层模型进行系统的Ginzburg-Landau分析。对于真实的材料，我们的属性意味着沿z轴（垂直于层）的强大超导级参数调制和短相干长度。这揭示了多层超导与中间配对的独特特征，并为将来的实验和理论研究提供了一个基本框架。
ESTANE® AG 8451-E - 发行日期：2020 年 6 月
技术数据表 类型：脂肪族聚醚基热塑性聚氨酯 (TPU)，专门配制用于粘合夹层膜。它是一种适用于所有光学脂肪族应用的出色通用聚合物。 特性：这种聚合物可在广泛的加工温度下工作，具有出色的层压效果 用途：用于无表面底漆的玻璃包覆聚碳酸酯的粘合夹层。
在滑动铁电
先前的实验提供了分别在二维材料中滑动铁电性和光激发层间剪切位移的证据。在这里，我们发现通过激光照明，在H -BN双层中令人惊讶的0.5 ps中可以实现垂直铁电的完全逆转。综合分析表明，铁电偏振转换源自激光诱导的层间滑动，这是由多个声子的选择性激发触发的。从上层n原子的P z轨道到下层B原子的P z轨道的层间电子激发产生所需的方向性层间力，激活了平面内光学TOTO TOTO TOS TOTO to-1和LO-1声音声模式。由TO-1和LO-1模式的耦合驱动的原子运动与铁电软模式相干，从而调节了动态势能表面并导致超快铁电偏振反转。我们的工作为滑动铁电的超快偏振转换提供了一种新颖的微观见解。
在铁电体Hf0.5Zr0.5O2上插入Al2O3中间层扩大Si沟道FeFET存储窗口
基于AFNIA（HfO 2 ）的硅通道铁电场效应晶体管（HfO 2 Si-FeFET）在非挥发性存储器领域得到了广泛的研究[1-7]，这得益于掺杂HfO 2 中铁电性的发现[8]。文献报道中HfO 2 Si-FeFET的存储窗口（MW）大多在1-2 V左右[9-12]，不能满足其在多位存储单元应用的要求。为了提高MW，当前的措施主要通过降低掺杂HfO 2 铁电体与Si通道之间底部SiO x 夹层的电场，从而抑制掺杂HfO 2 /SiO x 界面处的电荷捕获[13-16]，同时增加SiO x 的数量。最近，有报道称MIFIS结构可以有效提高MW，并使用SiO 2 作为顶部夹层[17-21]。然而，Al 2 O 3 作为顶层尚未见报道。因此，我们报道 Al 2 O 3 层作为顶层中间层，以及 MW 对 Al 2 O 3 厚度的依赖性。
在无限层镍模型中的抗磁相关性和近红色特征的出现
我们报告了一个由无限层镍元的启发的决定性量子蒙特卡洛研究，重点是层间杂交在3 d x 2-2-y 2轨道之间的影响，该杂交源自ni（或ni和o）在一个层中源自ni（或ni和o），在一个层和稀有（r）5 d orbitals in ni层中，ni and ni and and and and the ni and the and and and and and and and and and and libit。对于平均两层之间共有一个电子的填充，层间杂交会导致Ni层中的“自掺杂”孔，并且缺乏抗磁磁体排序，而是旋转密度和电荷密度条纹状状态的外观。随着层间杂交的增加，Ni和R层都会产生抗铁磁相关性，即使两个单独的层都远离半填充。用于中间范围内的杂交，大致可与内部的邻居跳跃跳跃t ni相提并论，该模型会形成近核样物理的特征。
在压力下LA3NI2O7中的层间耦合驱动的高温超导性
在压力下，新发现的LA 3 Ni 2 O 7中新发现的高温超导性吸引了很多关注。表征电子特性的基本要素是双层NiO 2平面，该平面是通过中间氧原子的3 d Z 2轨道的层间键合结合的。在强耦合极限中，低能物理学由内征抗磁性自旋交换相互作用j K在3 d x 2-y 2轨道之间的j k和3 d z 2轨道之间的层间j k之间描述。考虑到每个站点上的规则并整合了3 d Z 2自由度的自由度，该系统将基于3 d x 2 -2 -y 2轨道的单轨道双层t -j模型还原为单轨道双层T -J模型。通过采用奴隶玻色子方法，求解了键合和配对阶参数的自动一致方程。在物理相关的1 4填充方案附近（掺杂δ¼0。3〜0。5），层间耦合j⊥将常规的单层D-波超导状态调整为S波。强的J⊥可以增强层间超导顺序，从而导致t c急剧增加。有趣的是，可能存在一个有限的制度，在这种制度中，出现了sÞID状态。
