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通过层间策略提高平面片上锌离子微电池的电化学性能
必须开发具有高容量电极和更环保、更经济、更稳定的系统的平面片上微电池，这对于为即将推出的微型片上系统智能设备供电至关重要。然而，由于制造工艺复杂、循环过程中微电极的稳定性以及在有限的设备体积内保持更高容量的挑战，高稳定性微电池领域的研究受到限制。为了满足这一需求，本研究专注于提供高度稳定和高容量的微电极。这涉及在电极材料和集电器之间添加 PEDOT 层，应用于平面聚苯胺阴极和锌阳极设备结构中以增强电荷存储性能。这种简单的策略不仅可以提高设备在长期循环中的稳定性并降低电荷转移阻力，还可以将 0.1 mA cm − 2 时的电荷存储容量从 17.64 μ Ah cm − 2 提高到 19.75 μ Ah cm − 2 。因此，锌离子微电池实现了显著的峰值面积能量和功率，分别为 18.82 μ Wh cm − 2 和 4.37 mW cm − 2。这项工作提出了一种有效的策略来提高平面微电池的电化学性能，这对先进便携式电子产品的发展至关重要。
由LANIO3/LAMNO3超级晶格的接近效应和层间电荷转移引起的分层铁磁结构
摘要：磁接近性诱导的磁性磁性在过去十年中刺激了密集研究。然而，到目前为止，在相关异质结构中LNO层中的磁顺序尚未达成共识。本文报告了（111） - 定向LNO/LAMNO 3（LMO）超级晶格的分层铁磁结构。发现，超级晶格的每个时期都由一个绝缘的LNO间相相（厚度五个单位细胞，〜1.1 nm），一个金属LNO-INNER相位，是一个金属LNO-INNER相，一个导电性LMO-Interflacial相（厚度较差，厚度为3.0.7 nm），以及一个绝缘的LMO-inners nersners-nernernnernernernnernernernnernernernnernernernnernernnernernnernernernnernernernnernernernnernernernnernernnernernernnernernnernernnernernnernernnernernnernernnerners nernernnerners nerners nernernnernerners。所有这四个阶段都是铁磁性的，显示出不同的磁化。MN到Ni Interlayer电荷转移负责层次磁性结构的出现，这可能会在LNO/LMO界面上引起磁相互作用，并在LMO间接层内的双重交换。这项工作表明接近效应是操纵复杂氧化物的磁态和相关特性的有效手段。关键字：LANIO 3，LAMNO 3，接近效应，电荷转移，分层铁磁结构
隐藏的声子高速公路促进了扭曲过渡金属二分法异质结构中的光诱导的中间层中的能量转移
垂直堆叠的范德华（VDW）异质结构具有独特的电子，光学和热特性，可以通过扭曲角工程来操纵。然而，双层界面处的弱语音耦合施加了基本的热瓶颈，以实现未来的二维设备。使用超快电子衍射，我们直接研究了照片诱导的MOS 2 /WS 2中的非平衡声子动力学，在4°扭曲角度和WSE 2 /Mose 2的旋转角度为7°，16°，16°和25°和25°。，我们确定了一个层间传热通道，其特征时间尺度为约20个皮秒，假设初始内部内部热化的分子动力学模拟比分子动力学模拟快约一个数量级。涉及声子散射的原子计算表明，此过程起源于初始层间电荷转移和散射之后的非热声子种群。我们的发现通过调整非平衡声子种群来提出VDW异质结构中热管理的途径。
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
由于电隔离的 GaAs 量子阱双层中的激子凝聚而导致的强层间电荷转移
我们介绍了一种电隔离的“浮动”双层 GaAs 量子阱 (QW) 设计，其中施加可控且高度可重复的大栅极电压会诱导电荷，这些电荷在移除栅极电压后仍被捕获在双层中。在较小的栅极电压下，双层通过厚绝缘屏障与外部电极完全电隔离。这种设计允许完全控制两个耦合的 2D 电子系统的总密度和差分密度。浮动双层设计提供了一种独特的方法来研究无法通过简单的传输测量进行研究的系统。它还提供了测量层间电荷转移的能力，即使 2D 系统的平面电阻率不同。我们测量了 QW 双层的电容和层间隧穿光谱，并独立控制顶层和底层电子密度。我们的测量显示，在 v T ¼ 1 时，层间隧穿电流大大增强，这是强层间关联双层系统激子凝聚的标志。由于各个层的密度完全可调，浮动双层 QW 系统提供了一个多功能平台来获取有关电子双层系统中量子相的先前无法获得的信息。
用于高稳定、高效锂掺杂 Spiro-OMeTAD 基钙钛矿太阳能电池的多面二茂铁中间层
近年来，金属卤化物钙钛矿作为光伏器件中很有前途的光收集层，引起了越来越多的研究关注。迄今为止，使用螺环-OMeTAD 作为空穴传输层 (HTL) 是生产 PSC 的先决条件，其最高 PCE 可达 25% 以上。[1–3] 然而，在实现创纪录的 PCE 的同时，使用螺环-OMeTAD 也显著导致了钙钛矿层的快速降解。使用螺环-OMeTAD 给 PSC 带来的额外不稳定性源于添加到螺环-OMeTAD 中的掺杂剂，这些掺杂剂是改善 HTL 低固有电导率所必需的。[4–6] 截至撰写本文时，性能最高的 PSC 是使用锂双（三氟甲烷磺酰基）酰亚胺 (LiTFSI) 掺杂的螺环-OMeTAD 制备的，能够
功能梯度材料 (FGM) 中间层在激光熔化沉积 (LMD) 和电弧增材制造 (WAAM) 法制造英科乃尔-不锈钢双金属结构中的作用
摘要：通过直接沉积制备的双金属结构由于异种金属的组织和性能突然变化而存在缺陷。激光金属沉积（LMD）-电弧增材制造（WAAM）工艺可以通过沉积功能梯度材料（FGM）层（例如使用LMD的薄中间层）来缓解两种不同材料之间的缺陷，并可用于使用WAAM以较高的沉积速率和相对较低的成本制备双金属结构。本研究进行了LMD-WAAM工艺，并研究了制备的IN625-SUS304L双金属结构的微观组织。LMD-WAAM样品的FGM区的微观组织主要为细小的等轴枝晶形貌。相反，WAAM区构成了粗大的柱状枝晶形貌。LMD-WAAM样品的主要合金元素的成分随着沉积层高度而逐渐变化。 LMD-WAAM 样品的显微硬度随 Inconel 含量的增加而增加。对于 LMD-WAAM 样品，断裂发生在 25% IN625 和 0% IN625 之间的界面附近；对于 WAAM 样品，最终断裂发生在界面附近的 SUS304L 中。LMD-WAAM 样品的拉伸强度与激光功率成反比。结果表明，LMD-WAAM 样品的拉伸强度比仅使用 WAAM 制造的样品高 8%。
金属单核化异质结构中的厚度和扭曲角度依赖的层间激子WenkaiZheng§，⊥，lixiang§，⊥
金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，
Hu等人：通过在铁电HF上插入Al 2 O 3 Interlayer的SI Channel FeFet内存窗口的扩大0.5 Zr 0.5 Zr 0.5 O 2 1 1
afnia（HFO 2）基于硅河道铁电场效应晶体管（HFO 2 Si-fefet）已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7]，这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口（MW）大约是文献报告中的1-2 V [9-12]，该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近，通过优化铁电层和栅极侧层间层[13]，在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是，它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW，通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场，从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是，仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。