所有固定状态锂金属电池(ASSLB)由于其高能量密度和高安全性而引起了人们的兴趣。然而,由于对机制的理解不足,LI树突生长和高界面耐药性仍然具有挑战性。在这里,我们开发了两种类型的多孔菌丝中间层(Li 7 N 2 I –碳纳米管和Li 7 N 2 I – Mg),以使Li能够在Li/Interlayer界面处的LI板,并可逆地渗透到多孔的层中。实验和仿真结果表明,岩石性,电子和离子电导率以及层间的孔隙率的平衡是以高容量稳定的LI板板/剥离的关键促进器。一个微调的LI 7 N 2 I –碳纳米管中间层使LI/LNI/LI对称细胞在25°C时在4.0 mAh cm -2下实现4.0 mA cm -2的高临界电流密度; the Li 7 N 2 I–Mg interlayer enables a Li 4 SiO 4 @LiNi 0.8 Mn 0.1 Co 0.1 O 2 /Li 6 PS 5 Cl/20 µm-Li full cell to achieve an areal capacity of 2.2 mAh cm −2 , maintaining 82.4% capacity retention after 350 cycles at 60 °C at a rate of 0.5 C. The interlayer design principle opens opportunities to develop safe and high energy ASSLBs.
摘要。二维材料可以作为单层板分离。这些严格的原子薄结构使新的拓扑物理学和开放的化学问题有关如何调整床单的结构和特性,同时将床单保持为孤立的单层。之间的相互作用与它们产生的属性之间的相互作用仍然相对忽略,这是由于其作为单层的特性的重点。在这里,我们研究了将二维的多孔纸去除成角质的单层,但在氧化后聚集,从而产生可调的层间电荷转移的吸收并刺激了移位的光致发光。这种光学行为类似于层间激子,由于其长期发射而被深入研究,但仍难以通过合成化学调整。取而代之的是,可以通过控制溶剂,电解质,氧化状态和框架构建块的组成来调制这些框架纸的层间激子。与其他二维材料相比,这些框架纸显示出最大的已知层间结合强度,这归因于纸张中特定组件之间的相互作用。总的来说,这些结果为通过分子合成化学在范德华材料中操纵远程光电行为提供了微观基础。
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摘要:我们通过使用依赖偏振的超频率拉曼光谱的纯3R和2H堆叠顺序研究了MOS 2中的层间剪切和呼吸声子模式。我们在MOS 2中最多观察到三层剪切分支和四个呼吸分支,厚度为2至13层。呼吸模式显示出两种多型型的拉曼活性行为,但是2H呼吸频率始终比3R呼吸频率高几个波数,这表明2H MOS 2的层间层间层间lattice晶格偶尔略高于3R MOS 2。相比之下,剪切模式拉曼光谱在2H和3R MOS 2中截然不同。虽然最强的剪切模式对应于2H结构中的最高频率分支,但它对应于3R结构中的最低频率分支。3R和2H多型的如此独特和互补的拉曼光谱使我们能够从最高到最低分支中调查MOS 2中的广泛剪切模式。通过结合线性链模型,群体理论,有效的键极化模型和第一原理计算,我们可以考虑实验中的所有主要观察结果。
堆叠自由度是调整材料特性的关键因素,并且已在分层材料中进行了广泛的研究。最近发现Kagome超导体CSV 3 SB 5在T CDW〜94 K下方显示出三维CDW相位。尽管对内平面调制进行了彻底的研究,但平面外调制仍然模棱两可。在这里,我们的极化和温度依赖性拉曼测量结果揭示了C 6旋转对称性的破坏,并且在大约120°的三个不同域的存在下,彼此之间存在三个不同的域。观察结果表明,CDW相可以自然解释为2C交错阶相,相邻层显示相对π相移。此外,我们在大约65 K处发现了一阶结构相变,这是由于堆叠断层而引起的堆叠顺序diSorder相变,并受到CS相关唱片模式的热磁滞行为的支持。我们的发现突出了CSV 3 SB 5中堆叠自由度的重要性,并提供了结构见解,以理解超导性和CDW之间的纠缠。
Abstract The assembly of monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) in van der Waals heterostructures yields the formation of spatially separated interlayer excitons (IXs) with large binding energies, long lifetimes, permanent dipole moments and valley-contrasting physics, providing a compelling platform for investigating and engineering spatiotemporal IX propagation with highly tunable动力学。进一步扭曲堆叠的TMD单层可以创建具有空间修改的带结构和不同的Moiré电位的长期周期性Moiré模式,具有定制的陷阱,这些陷阱可以引起与密度依赖性相变的强相关性,以调节激子运输。TMD异质结构中丰富的激子景观,加上Valleytronics和Twistronics的进步,对探索激子综合电路的巨大希望基于操纵激烈的扩散和运输。在这篇综述中,我们全面概述了了解IXS和Moiré激子的最新进展,特别关注了TMD异质结构中新兴的激子扩散和运输。我们强调通过各种方法对激子通量进行空间操纵,包括激子密度,介电环境,电场和结构工程,以进行精确控制。这种操纵激子扩散的能力为相互交流和信号处理提供了新的可能性,为在高性能光电上的激发应用铺平了道路,例如激发设备,valleytronic晶体管和光电探测器。我们终于通过概述了利用IX电流的观点和挑战来结束这项审查,用于下一代光电应用。
图 1. (a) 单层 (1L) MoSe 2 和 ReS 2 晶体结构。上图显示晶体结构的侧视图,下图显示晶体结构的顶视图。侧视图显示了这些层状材料上偶极子平面内取向的示意图。(b) 样品 1 (S1) 的 ReS 2 -MoSe 2 异质结构的光学图像。插图是样品侧视图的示意图。(c) MoSe 2 、ReS 2 和 HS 区域的拉曼光谱。HS 拉曼光谱由来自各个 1L 区域的不同振动模式组成。(d) 在透明蓝宝石基板上制作的类似异质结构的三个不同区域的吸收光谱数据(样品 2,S2)。MoSe 2 A 和 B 激子峰清晰可见,ReS 2 较低能量吸收峰用箭头标记。HS 光谱由两个 1L 区域的峰组成。
第二次谐波生成(SHG)是一个非线性光学过程,其中两个光子连贯地组合成两个光子的能量的两倍。的效果SHG。在这里,我们显示了反转对称晶体中非线性光学过程的调整。这种可调节性基于双层MOS 2的独特性能,该特性显示出强烈的光学振荡器强度,但也显示了层间激子的共振。当我们通过改变激光能将SHG信号调谐到这些共振上时,SHG振幅通过几个数量级增强。在谐振情况下,双层SHG信号达到的幅度与单层的两个共振信号相当。在施加的电场中,可以通过鲜明的效应来调节层间激子能量。因此,取消了层间激子退化性,并通过我们的模型计算得出的良好再现了两个数量级,进一步增强了双层SHG响应。
原子上薄的半导体异质结构提供了一个二维(2D)设备平台,用于产生高密度的冷,可控制的激子。中间层激元(IES),绑定的电子和孔定位于分开的2D量子井层,具有永久的平面外偶极矩和长寿命,从而可以根据需要调整其空间分布。在这里,我们采用静电门来捕获并控制它们的密度。通过电气调节IE鲜明的偏移,可以实现2×10 12 cm-2以上的电子孔对浓度。在此高IE密度下,我们观察到指示了指示IE离子化过渡的线宽扩大,而与陷阱深度无关。该失控的阈值在低温下保持恒定,但增加了20 K,与退化IE气体的量子解离一致。我们在可调静电陷阱中对IE离子化的演示代表了朝着实现固态光电设备中偶极激子冷凝物实现的重要步骤。
增材制造 (AM) 通常会导致钛合金强度高但延展性差。混合 AM 是一种能够同时提高延展性和强度的解决方案。在本研究中,通过将定向能量沉积与层间加工相结合,实现了 Ti-6Al-4V 的混合 AM。通过检查微观结构、残余应力和显微硬度,可以解释层间加工如何在保持与打印样品相同的强度的同时使延展性提高 63%。层间加工在打印中引入了反复中断,从而导致加工界面处针状 α 板条在缓慢冷却下变粗。选择性加工层上的粗 α 板条增加了拉伸载荷下的位错运动并提高了整体延展性。本出版物中强调的结果证明了混合 AM 提高钛合金韧性的可行性。关键词:混合增材制造、铣削、定向能量沉积、钛 1. 简介