纳米过滤(NF)提供了一种可扩展且节能的方法,用于从盐湖中提取锂。然而,由于其水合离子半径的紧密相似性,锂与镁的选择性分离,尤其是在镁浓度高的盐水中,仍然是一个重大挑战。有限的LI + / mg 2 +当前NF膜的选择性主要归因于对孔径和表面电荷的控制不足。在这项研究中,我们报告了结合功能化的磺化carge胶以调节界面聚合过程的层间薄膜复合材料(ITFC)膜的发展。该集成的层间在控制胺基单体的扩散和空间分布中起着至关重要的作用,从而导致形成致密的纳米条纹聚酰胺网络。与常规的TFC膜相比,这些结构改进,包括精致的孔径和减少负电荷可显着提高LI + /Mg 2 +选择性(133.5)和渗透率增加2.5倍。此外,纳米条纹结构优化了膜过滤区域,同时最大程度地降低了离子传输抗性,从而有效克服了离子选择性和渗透性之间的传统权衡。这项研究强调了ITFC膜在达到高锂纯度和恢复的潜力,为大规模从盐水中提取大规模锂的途径有前途的途径。
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2025-t5www orcid:https://orcid.org/0009-0009-2330-0241 content content content contem content not chemrxiv未通过chemrxiv进行同行查看。许可证:CC BY-NC-ND 4.0
在这里,我们报告了Inn纳米线太阳能电池的第一个实验证明,该电池是通过以1.78 eV的带隙能量溅射来沉积的。通过在N -Inn/ P -SI结构中添加无定形Si(A -SI)缓冲液,我们在保持其材料质量的同时,提高了所得设备的光伏性能。我们首先通过DC溅射在Si(100)上优化了Si的沉积,获得了带隙能量为1.39 eV的无定形材料。然后,我们研究了A-SI缓冲层(0 - 25 nm)对Inn纳米线对Si(100)底物的结构,形态,电气和光学性质的厚度的影响。使用15 nm缓冲液N -Inn/A-Si/P-Si纳米线异质结式太阳能电池表现出令人鼓舞的短路电流密度为17 mA/cm 2,开路电压为0.37 V,填充因子为35.5%,指向2.3%以下2.3%以下(Am 1 Sun)(AM 1.5G)(AM 1.5G)。这些工作降低了距离溅射的A-SI的组合,可以用作潜在的钝化层,而纳米结构的活性层的光捕获增强可提高溅射的III-nitride设备的光伏效率。
用高科技合金制造结构件的成本很高,因此,缺陷或磨损的修复对工业生产来说是一项重要的资产[1]。在众多新技术中,激光熔覆(又称直接能量沉积)正处于新兴领先地位。与其他修复工艺相比,熔覆中的能量输入是空间局部的,受热影响区较小[2–4]。在激光熔覆修复的部件中,基材和熔覆区之间会形成一个具有微观结构梯度的界面。它决定了修复部件的内聚力和寿命[5, 6]。工艺参数和部件的具体几何形状共同控制着热输入、熔池形状、空间温度梯度和冷却速度,而这些因素决定着材料的微观结构。材料体积可以经过多次凝固-再熔化循环,打印上述各层,具体取决于熔池深度和形状,熔池深度和形状可能非常复杂,正如 Biegler 等人在 [7] 中通过实验展示的那样。材料随后也会经历退火,因为部件一直处于高温下,直到工艺结束 [8, 9]。
我们证明,与层间配对的多层超导性可以自然分解为一系列弱耦合的双层和三层超导块,以最大程度地减少其总自由能。我们的工作是由层间配对的最新提案,这是由层间互相交换在双层和三层镍超导体中的近半填充D Z 2轨道的相互作用所引起的。我们探讨了层间配对超导性的一般特性,并对有效的多层模型进行系统的Ginzburg-Landau分析。对于实际材料,我们的结果意味着强大的超导级参数调制和沿Z轴(垂直于层)的短相干长度。这揭示了多层超导与中间配对的独特特征,并为将来的实验和理论研究提供了一个基本框架。
国家固体微观结构实验室,物理学学院,材料科学和智能工程学院,南京大学高级微观结构合作中心,南京大学,南京210093,B北京国民北京国家实验室,北京国民实验室,北京凝聚力物理学,物理学,研究所,中国北非科学院,北非。 d在上海微型系统与信息技术研究所(SIMIT),中国科学学院,上海200050年中国E上海同步辐射设施,上海高海高级研究所中国科学院,中国科学院中国科学院,中国科学院,中国科学院,中国科学学院,中国国家科学院,中国纽约州纽约大学及化学实验室,CORIDIANTION,COMODIANTION,CONEDINAL NENAN CONEMINISTION,CHICORINATION CHICORINIAND,COMODINAIDE,CHICORINATY CONIDIANT,CHICORINATY CONIDINAL,CHICONINIDER,南京210023,中国Nanjing 211806,中国h国家同步加速器辐射实验室,中国科学技术大学,Hefei 230029,中国I Songshan Lake材料实验室,Dongguan 523808,中国
原子上薄的半导体异质结构提供了一个二维(2D)设备平台,用于产生高密度的冷,可控制的激子。中间层激元(IES),绑定的电子和孔定位于分开的2D量子井层,具有永久的平面外偶极矩和长寿命,从而可以根据需要调整其空间分布。在这里,我们采用静电门来捕获并控制它们的密度。通过电气调节IE鲜明的偏移,可以实现2×10 12 cm-2以上的电子孔对浓度。在此高IE密度下,我们观察到指示了指示IE离子化过渡的线宽扩大,而与陷阱深度无关。该失控的阈值在低温下保持恒定,但增加了20 K,与退化IE气体的量子解离一致。我们在可调静电陷阱中对IE离子化的演示代表了朝着实现固态光电设备中偶极激子冷凝物实现的重要步骤。
为高性能选择应用设计二维卤化物钙钛矿需要深入了解控制其兴奋性行为的结构 - 陶艺关系。然而,尚未开发出由A位点和间隔阳离子进行修饰的内部和层间结构的设计。在这里,我们使用压力来协同调整内部和层间结构,并发现结构调制,从而改善了光电子的性能。在施加的压力下,(Ba)2(ga)Pb 2 I 7表现出72倍的光致发光和光电导率增长10倍。基于观察到的结构变化,我们引入了一个结构描述符χ,该结构描述χ描述了内部和间层间特性,并在χ和光致发光量子量产率之间建立了一般的定量关系:较小的χ与最小化的捕获激子的激子以及来自自由激子的最小生效发射。根据此原理构建,我们设计了一个钙钛矿(CMA)2(FA)Pb 2 I 7,该7 7具有较小的χ和令人印象深刻的光致发光量子产率为59.3%。
垂直堆叠的范德华(VDW)异质结构具有独特的电子,光学和热特性,可以通过扭曲角工程来操纵。然而,双层界面处的弱语音耦合施加了基本的热瓶颈,以实现未来的二维设备。使用超快电子衍射,我们直接研究了照片诱导的MOS 2 /WS 2中的非平衡声子动力学,在4°扭曲角度和WSE 2 /Mose 2的旋转角度为7°,16°,16°和25°和25°。,我们确定了一个层间传热通道,其特征时间尺度为约20个皮秒,假设初始内部内部热化的分子动力学模拟比分子动力学模拟快约一个数量级。涉及声子散射的原子计算表明,此过程起源于初始层间电荷转移和散射之后的非热声子种群。我们的发现通过调整非平衡声子种群来提出VDW异质结构中热管理的途径。
增材制造 (AM) 通常会导致钛合金强度高但延展性差。混合 AM 是一种能够同时提高延展性和强度的解决方案。在本研究中,通过将定向能量沉积与层间加工相结合,实现了 Ti-6Al-4V 的混合 AM。通过检查微观结构、残余应力和显微硬度,可以解释层间加工如何在保持与打印样品相同的强度的同时使延展性提高 63%。层间加工在打印中引入了反复中断,从而导致加工界面处针状 α 板条在缓慢冷却下变粗。选择性加工层上的粗 α 板条增加了拉伸载荷下的位错运动并提高了整体延展性。本出版物中强调的结果证明了混合 AM 提高钛合金韧性的可行性。关键词:混合增材制造、铣削、定向能量沉积、钛 1. 简介