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¥ 2.0

图4。MOS 2 /WS 2杂波的压力依赖性电荷和能量转移。(A-B)(a)导带和(b)价带的电荷密度是沿平面方向压力的函数。(c)示意图证明了随着压力增加的电荷密度和电荷转移。直和波浪箭分别表示电荷转移和辐射衰减。(d)MOS 2 / WS 2异质结构的带状电荷密度,与MOS 2(底部) / WS 2(顶)异质结构的侧视图叠加。p1,p2和p3是代表性压力点,在电荷或轨道对传导带中的显着变化分别对应于〜13 GPA,〜22 GPA和〜30 GPA。

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