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超导性有助于垂直磁各向异性的变化，v/mgo/fe连接
控制薄膜中垂直磁各向异性（PMA），近年来由于其技术重要性而受到了相当大的关注。基于PMA的设备通常涉及重金属（氧化物）/铁磁 - 金属双层，在此，由于界面自旋 - 轨耦合（SOC），磁化的平面内（IP）稳定性被损坏了。在这里我们表明，在v/mgo/fe（001）中，具有竞争的面板内和平面外（OOP）磁各向异性的外延连接，SOC介导的相互作用（Fermagnet（FM）（FM）和超导体（SC）之间的相互作用可增强有效的PMA以下超导管过渡的有效PMA。这会产生部分磁化重新定位，而除了最大的连接外，没有任何应用领域，其中IP各向异性更强大；对于最小的连接，由于IP和OOP各向异性之间的竞争更强，诱导完全OOP转变（H OOP）所需的场所降低。我们的结果表明，在存在超导性和施加的电场的情况下，有效PMA的程度可以由连接横向大小控制。我们还讨论了HOOP场如何受到磁性杂散场与超导涡流之间的相互作用的影响。我们的实验发现，由铁磁体 - 螺旋体相互作用的数值建模，开放途径，可以主动控制新兴无耗散的超导旋转电子产品中的磁各向异性的开放途径。
纳米线/纳米线连接在...中发挥的作用
图3：（A-B）基于Si Nanonet的两个可能的晶体管配置的方案：（a）多平行 - 通道FET（MPC-FET）和（b）nanonet-fet（nn-fet）。对于MPC-FET，电流可以直接流过SINW，直接桥接源和排水管，而对于NN-FET，电流必须通过涉及SINWS和SINW/SINW连接的渗透路径流动。对应于源量距离的通道长度（L C）从5 µm到100 µm不等，而通道宽度（W C）固定为200 µm。（c）用10 ml胶体SINW悬浮液详细阐述的典型Si纳米纳特的SEM图像，对应于0.23NWS.μm-2的密度。（d）处理后Si Nanonet磁场效应晶体管的SEM顶视图。200 µm x 200 µm正方形对应于源/排水接触板。
紧密连接在胚胎模型中的关键功能
“从广义上讲，这项研究表明，干扰 iPS 细胞的先天特性可以调节它们对细胞外信号的敏感性，并改变它们的细胞命运轨迹，”Gladstone 前高级研究员、这项研究的资深作者 Todd McDevitt 博士说。“这一原理可能会改变游戏规则，释放 iPS 细胞的潜力，产生更多同质的分化细胞群，用于治疗应用。”
SNS连接的动态电压电流特性
简介。热力学相变描述了在外部参数的绝热变化下颗粒的宏观集合状态的变化。例如，某些电气导体从电阻状态（即正常导体n）转到临界温度以下以下的无耗散状态（超导体S）。同样，由两个S触点弱连接的约瑟夫森连接（JJ），当由大于临界电流i c大的直流电流驱动时，从零电阻态转换为电阻状态。当系统由迅速变化的参数驱动时，会发生动态相变，以使系统没有时间平衡。在这里，我们研究了超导体 /正常金属 /超导体连接（即SNS，即JJ，弱连接由正常金属组成的JJ）中的这种动态相变，该振幅和频率分别大于I C，并且分别在N中大于n，弱连接是正常金属组成的）。
电扫描探针显微镜方法研究太阳能电池连接和设备
J. Alvarez* a，b，c，C.Marchaet A，B，C，A。Morisset A，B，D，L。Dai A，B，E，F，J.-P。 Kleider A，B，C，RaphaëlCabald，P.R。 B Sorbonne University，CNRS，巴黎电力和电子工程实验室，法国75252； C ile -de -France（IPVF）的C光伏研究所，30 Rd 128，91120 Palaiseau，法国； D同型太阳能电池实验室，新能源技术研究所（CEA -LITEN），50 Avenue du LacLéman，73375，Le Bourget -Du -Du -Du -Du -lac，法国； E界面和薄层物理实验室（LPICM），CNRS，Ecole Polytechnique，91128 Palaiseau，法国； f冷凝物质物理学实验室（LPMC），ÉcolePolytechnique，91128 Palaiseau，France
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。
通过超导Josephson连接
编辑器：J。Hisano通过引人入胜的𝑈（1）𝐵-𝐿标准模型的扩展，可以很好地激发携带𝐵-𝐿电荷之间的颗粒之间的新第五力。量规玻色介质Féeton也是暗物质候选人。在这封信中，我们提出了一种新型的实验设计，以检测使用超导约瑟夫森连接的第五力引起的量子相差异。我们发现，当仪表玻色子质量范围内时，实验对量规耦合具有最佳的敏感性。01 eV至10 eV，这是Féeton暗物质的一个有趣的质量区域。这为毫米以下小规模的新物理学测量开辟了新的途径。
一维-二维横向范德华异质结中的高整流和栅极可调光响应
4 这些作者贡献相同 *通信地址：muhaoran@sslab.org.cn (HM)；linshenghuang@sslab.org.cn (SL) 收稿日期：2024 年 9 月 11 日；接受日期：2024 年 12 月 16 日；在线发表日期：2024 年 12 月 23 日；https://doi.org/10.59717/j.xinn-mater.2024.100113 © 2025 作者。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。引用：Wang P.、Mu H.、Yun T. 等人 (2025)。1D-2D 横向范德华异质结中的高整流和栅极可调光响应。创新材料 3：100113。自钝化表面和减少的隧穿漏电流使得在范德华 (vdW) 半导体异质结中创建理想的肖特基接触成为可能。然而，同时实现高整流比、低反向漏电流和快速光响应仍然具有挑战性。在这里，我们提出了一种一维 (1D)/二维 (2D) 混合维异质结构光电二极管来解决这些挑战。该结构中显著的价带偏移和最小的电子亲和能差异确保了高整流比和高效的电荷收集。此外，1D 和 2D 材料之间的尺寸差异，其特点是接触面积较小和厚度差异显著，导致低反向漏电流和高电流开关比。此外，它能够实现栅极可调的能带结构转变。我们的器件在室温下表现出 4.7 × 10 7 的出色整流比和 5 × 10 7 的高开关比（V ds = 2 V 和 V g = 30 V）。在 20 V 的栅极电压下，光电二极管实现了 4.9 × 10 14 Jones 的比探测率 (D * )、14 μs 的快速响应时间和接近 1550 nm 的扩展工作波长。混合维度设计和能带工程的战略组合产生了具有出色灵敏度、可重复性和快速响应的 1D-2D pn 异质结光电二极管，凸显了 vdW 半导体在先进光电应用方面的潜力。