XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemjunctions
结合DNA 4向Holliday连接的有机金属柱子
剑桥，鲁滨逊路，剑桥CB2 0RE，英国。§目前针对Douglas F. Browning的讲话，阿斯顿大学生物科学学院，伯明翰B4 7et，英国，摘要：Holliday 4-Way连接是重要的生物DNA过程的关键（插入，插入，推荐和维修），并且是富有成效的结构，是开放式或封闭式构造的动力结构，采用开放式构造表现出开放式的活跃形式。四元素金属 - 苏普拉电柱在圆柱核周围显示芳基面，从而使它们具有与开放式DNA连接的中心空腔相互作用的理想结构。结合了实验研究和MD模拟，我们表明，Au柱可以以开放形式结合DNA 4向连接（Holliday连接），这是一个以前由合成剂访问的结合模式。Au pil-larplexes也可以结合设计的三向连接，但是它们的尺寸较大，使他们可以打开并扩展该连接，破坏了基本配对，这表现出增加的流体动力大小和较低的连接热稳定性。在高载荷时，它们将4路和3路连接重新安排到Y形DNA叉中，以增加可用的连接样结合位点。结构相关的Ag菌粒显示出相似的DNA连接结合行为，但溶液稳定性较低。这种柱状结合与（但补充）的金属 - 苏普拉电圆柱体形成对比，该圆柱体更喜欢3路交叉，我们表明可以将4向连接点重新布置为3路交界结构。在人类细胞中的研究，确认柱子确实到达了细胞核，其抗增生活性的水平与顺铂相似。pillexes结合开放的四向连接的能力会产生令人兴奋的可能性，以调节和切换生物学中的这些结构，以及合成核酸纳米结构中，它们是关键的组件。这些发现提供了一个新的路线图，用于使用金属 - 苏普拉氨分子方法来靶向高阶连接结构，并扩展了可用于将生物活性连接器固定器设计到有机化化学的工具箱。
接受的手稿 - UCL Discovery重新访问（PD，PT，AU）/Tio2（P25）Schottky连接
1 paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心
Piezotronic Algan Nanowire Schottky在金属基板上生长的连接
包括GAN，INN，ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源，可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜，我们研究了在钼（MO）底物上生长的α纳米线（NWS）中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力，可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运，这是由于明显的Schottky屏障高度（SBHS）的变化，而Schottky屏障高度（SBHS）是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力，我们测量了SBH的增加为98.12 MeV，该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn，对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应，通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解，这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上，对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子，传感器和能源产生应用。
2D抗铁磁半导体CRP的垂直连接中的磁化振荡4
1 MOE的关键实验室，用于凝结物质的非平衡合成和调节，Shaanxi省级高级材料和介质物理学的主要实验室，XI'AN JIAOTONG大学，XI'AN，XI'AN，710049，710049，中国2个国家主要的实验室，是纳尼型纳米型材料和量化量的纳米级材料和量子量的国家主要实验室， 200433，中国3个州制造系统工程钥匙实验室，西安·贾东大学，西安，710049，中国4号材料材料纳米结构研究中心，国家材料科学研究所，1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-15-0044，日本305-0044，日本5日本6东南大学物理学院量子材料和设备的主要实验室，211189，中国南京7 Zhangjiang Fudan International Innovation Center，Fudan University，上海2011年
边缘粗糙度对磁隧道结电阻和开关电压的影响
摘要 — 我们使用非平衡格林函数形式研究了边缘粗糙度对磁隧道结电传输特性的影响。我们将边缘粗糙度建模为磁隧道结横截面轮廓的随机变化，其特征是相关函数的拉伸指数衰减。形状和尺寸的随机变化改变了横向能量模式轮廓，并导致磁隧道结的电阻和开关电压发生变化。我们发现，由于量子限制效应，随着磁隧道结尺寸缩小，变化会变得更大。提出了一种模型，通过将横截面几何形状近似为具有相同横截面积的圆来有效计算边缘粗糙度效应。可以通过将横截面积近似为椭圆来获得进一步的改进，其纵横比由对应于 2D 横截面的第一个横向特征值确定。这些结果将有助于可靠地设计具有超小磁隧道结的自旋转移力矩磁性随机存取存储器（STT-MRAM）。
基于碳电极的单分子连接的结构转变动力学
监测单个分子的结构转变具有重要意义，因为它有助于深入探索分子的性质，并为分子在化学、生物和材料科学领域的应用提供多样化的可能性。本综述总结了利用单分子电学方法在单分子水平上实时研究分子结构转变的策略。具体而言，通过利用稳定的单分子装置进行实时电监测，可以研究单个分子结构转变的过程，从而有助于探索化学和生物系统中分子的性质。特别是，该检测方法已经扩展到对生物大分子的研究，用于监测不同系统中核苷酸链的构象变化，例如双螺旋DNA、适体和DNA酶。最后，我们讨论了探测单分子结构转变的未来挑战，并为该领域的进一步突破提供了前景。
单层石墨烯电极的分子连接中欧姆定律的分解
hm的定律，历史上有1个对电路至关重要的第一个数学关系，指出通过宏观材料的当前I与所施加的偏置电压V成正比。这是通过经验测量值的经验测量来支持的，这些电流和长度尺度在许多数量级上有所不同，并且绝大多数材料都具有。考虑到由于原子或离子在经典力学框架内的快速散射而导致的电子曲折运动中施加的电场引起的加速度，Drude Model 2成功地揭开了净电子漂移，平均速度与现场成比例，并因此是ohm ohm的第一个微观依据。在自由电子模型中考虑了费米统计数据，Sommerfeld 3能够对金属中的欧姆定律提供第一个量子机械依据。固体的量子理论将各种宏观固体的欧姆电导率与表征特定能带结构表征的带隙的（非）存在之间的差异。4取决于频带隙的存在和/或线性库比波响应理论5，6明确考虑实际带结构的明确考虑允许估计欧姆（也称为零偏置或线性电导率）g并提供微观材料为什么某些材料为导电者，某些半径和某些胰岛素是某些材料，某些材料是某些半径和某些岛化的。在1920年代，在量子力学的前夕，人们对欧姆定律产生了重新兴趣，欧姆定律被认为在原子量表上失败了。7电子在短距离上的运动是连贯的，与宏观材料中发生的不一致的电子碰撞形成了鲜明的对比，从而引起焦耳
补充信息，以控制相变的约瑟夫森连接处半流通状态的可控操作
所研究的设备包含平面JJS，由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁，然后由Ga+聚焦离子束（FIB）FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割，名义宽度为零，在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的，其斑点尺寸约为7 nm，而“短” JJ1是用10 kV fib制成的，其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积，FIB切割的深度在纵横比（深度/宽度）〜2处是自限制（请参阅参考文献中的讨论[1]）。结果，JJ1既比JJ2更宽又深，如图3（a），导致临界电流的相应差异。