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补充信息，以控制相变的约瑟夫森连接处半流通状态的可控操作
所研究的设备包含平面JJS，由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁，然后由Ga+聚焦离子束（FIB）FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割，名义宽度为零，在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的，其斑点尺寸约为7 nm，而“短” JJ1是用10 kV fib制成的，其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积，FIB切割的深度在纵横比（深度/宽度）〜2处是自限制（请参阅参考文献中的讨论[1]）。结果，JJ1既比JJ2更宽又深，如图3（a），导致临界电流的相应差异。
在铁磁异常的约瑟夫森连接中切换电流分布
我们研究了铁磁异常的约瑟夫森连接的开关电流分布，该连接构成线性增加的偏置电流。我们的研究发现了开关电流分布的位置与关键系统参数之间的显着相关性，例如自旋 - 轨道耦合的强度和吉尔伯特阻尼参数。这表明可以通过实验测量直接确定这些参数。通过对噪声，磁化，相动态和开关电流分布的统计特性之间的相互作用进行全面分析，我们加深了对这些有趣的低温旋转型旋转设备的理解。这些发现有可能在量子计算体系结构和信息处理技术领域的应用中进行应用。
弹道式nanoflag josephson连接
高质量的III – V狭窄带隙半导体材料具有强旋转 - 轨道耦合和大地E G-FACTOR为高速电子，旋转型和量子计算的领域的下一代应用提供了一个有希望的平台。抗抗氧化抗抗酮（INSB）提供狭窄的带隙，高载体迁移率和较小的有效质量，因此在这种情况下非常吸引人。实际上，近年来，这种伴侣引起了极大的关注。然而，高质量的杂质二维（2D）INSB层非常困难地意识到，由于所有常见的半导体底物的较大晶格不匹配。另一种途径是独立式单晶2D INSB纳米结构，即所谓的纳米层的生长。在这里，我们证明了基于INSB纳米型ags的弹道约瑟夫森结构设备的制造，其ti/nb接触显示，显示出栅极可触发的接近性诱导的超恒电流，最高50 na，在250 mk和可观的多余电流。这些设备显示了次谐波间隙结构的明确特征，表明连接处的相位交通运输和接口的高透明度。这将INSB纳米型植物视为高级量子技术的多功能且方便的2D平台。
紧凑的量子相位滑动连接的描述
量子电路理论是一种强大且不断发展的工具，可预测超导电路的动力学。在其语言中，量子相滑（QPS）被认为是约瑟夫森效应的确切双重。然而，这种双重性使QPS连接的整合到一个统一的理论框架中非常困难，并且正如我们所表明的那样，会导致不同的形式主义的严重矛盾，在某些情况下，包括时间依赖时间依赖于时间依赖的流量驾驶。我们建议通过减少和压实描述QPS过程的希尔伯特空间来解决这些问题。我们的治疗方法是第一次对Aharonov-Bohm和Aharonov casher效应的统一描述，适当地定义了对环境的有效归纳相互作用的有效形式，并允许对最近如何包括电动力来考虑最近的见解。最后，我们表明，紧凑型对于正确预测涉及QPS连接的量子结构的可用计算空间同样重要。
低维有机金属卤化物的柔性晶体异质界实现颜色可调的空间分辨光学波导
带有光波导的分子发光材料在发光二极管，传感器和逻辑门中具有广泛的应用前景。但是，大多数传统的光学波导系统都是基于脆性分子晶体，该晶体限制了在不同的应用情况下的柔性设备的制造，运输，存储和适应。迄今为止，在同一固态系统中具有较高柔韧性，新型光学波导和多端口色调发射的光功能材料的设计和合成仍然是一个开放的挑战。在这里，我们已经构建了新型的零维有机金属卤化物（Au-4-二甲基氨基吡啶[DMAP]和DMAP），对于光学波导而言，弹性很小，损失系数很少。对分子间相互作用的理论计算表明，2分子晶体材料的高弹性是原始的，它是从其人字形结构和滑移平面的。基于2个晶体的一维柔性微脚架和Mn-Dmap的2维微板，具有多色和空间分辨光学波导的异质界面。杂合的形成机理是基于表面选择性生长，因为接触晶体平面之间的低晶格不匹配比。因此，这项工作描述了具有高灵活性和光学波导的基于金属壁的晶体异质结的首次尝试，从而扩展了用于智能光学设备（例如逻辑门和多路复用器）的传统发光材料的前景。
在石墨烯josephson连接Zhujun Huang 1，Bassel Heiba Elfeky 2，Takashi Taniguchi 3，Kenji Wata
Observation of half-integer Shapiro steps in graphene Josephson junctions Zhujun Huang 1 , Bassel Heiba Elfeky 2 , Takashi Taniguchi 3 , Kenji Watanabe 4 , Javad Shabani 2 , Davood Shahrjerdi 1 1 Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, New York 11201, USA 2 Center for Quantum Information纽约大学物理系物理学，纽约10003，美国3国际材料纳米构造学院，国家材料科学研究所，1-1 Namiki Tsukuba，Ibaraki，Ibaraki，Ibaraki 305-0044，日本4，日本4，日本4研究中心，美国国家材料研究所，国家材料研究所，NINGAL SCOCY SCICACH，1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1。 jshabani@nyu.edu，davood@nyu.edu，我们研究六角硼硝化硼的AC Josephson效应封装石墨烯（BGB）Josephson交界器（JJS）。我们的实验揭示了具有高电子载体密度的N型状态中半级shapiro步骤的出现。我们将这种观察结果归因于石墨烯连接的栅极可调透明度。由于高连接透明度，我们的数值模拟与半智能夏皮罗步骤的外观一致，从而导致当前相位关系偏斜和高阶谐波的存在。
在主传感器与空间物体连接期间对等离子体波进行空间观测
本研究描述了现场实验，在配备无线电等离子体波接收器的空间物理卫星与其他空间物体结合时测量甚低频 (VLF) 等离子体波 (1-30 kHz)，以了解次级空间物体在另一颗卫星附近的快速通过是否可以被检测到。地球电离层中的物体在其轨道运动后会形成一个离子密度稀疏区域，这可以作为物体探测的基础。2022 年，现场实验尝试在太空无线电等离子体传感器快速穿越次级空间物体尾流期间将这些离子密度稀疏检测为宽带 VLF 等离子体波噪声。这是为了回答空间物体是否可以通过其轨道运动在地球电离层中引起的等离子体离子密度扰动来探测。加拿大空间物理卫星 CASSIOPE 启动了其无线电等离子体物理包，并在 CASSIOPE 与次级物体之间预测已知的近距离接近之前、期间和之后的时间记录了电场数据。 CASSIOPE 旨在测量地球的极光、粒子和场，其偏心轨道为 330 x 1200 公里，可偶然采集地球电离层中的各种等离子体状态。此外，对于太空领域意识社区来说，该轨道定期穿过人口密集的轨道壳层，例如 Starlink、Iridium、OneWeb 和其他太空物体，从而定期提供合相机会来尝试测量等离子体振荡。在合相之前，CASSIOPE 从其交叉偶极子无线电接收仪 (RRI) 收集了电场测量值，该仪器可检测到跨度约为 1-35 kHz 的等离子体电场振荡。2022 年初，共描述了 35 次合相。当物体穿过或靠近次级物体的预测尾流时，四次合相表现出 VLF 宽带噪声能量，范围从离子回旋频率 (~36 Hz) 到下混合谐振频率 (~5-6 kHz)。然而，我们发现与次级物体最接近时间的相关性从弱到强。其他会合中，次级物体从 CASSIOPE 后面经过，而 RRI 未穿过次级物体的尾迹，其波能并未超过环境背景辐射 - 这与空间物体离子声马赫锥外的等离子体将表现出未受干扰的等离子体行为的预测一致。虽然空间物体尾迹中的密度稀疏似乎与 VLF 范围内的会合有微弱的关联，但这些发现表明，应从等离子体波的角度来检查检测到的波能与次级物体运动之间的空间和时间分离，其中波能相对于空间物体尾迹几何约束之外的地磁场线传播。
硅在电力设备中的最后一场战斗：超界...
Florin Udrea是半导体工程学的教授，也是剑桥大学高压微电子和传感器实验室的负责人。Florin Udrea教授自1998年以来一直是剑桥大学工程系的学者。他目前正在领导一个在过去30年中赢得国际声誉的电力半导体设备和固态传感器的研究小组。UDREA教授在期刊和国际会议上发表了500多篇论文。他在电源半导体设备和传感器中拥有200多个专利。Prof. Florin Udrea founded five companies, Cambridge Semiconductor (Camsemi) in power ICs – sold to Power Integrations, Cambridge CMOS Sensors (CCS) in the field of smart sensors – sold to ams, Cambridge Microelectronics in Power Devices, Cambridge GaN Device in high voltage GaN technology and Flusso in Flow and thermal conductivity sensors.由于他对英国工程的杰出贡献，他获得了皇家工程学院的银牌。2015年，弗洛林·乌德雷（Florin Udrea）教授当选为皇家工程学院的院士。在2018年，Udrea教授获得了几项主要奖项，包括皇家学会的穆拉德勋章。 在2020年，他获得了Ohmi奖，作为ISPSD硅碳化物鳍片的合着者。 在2021年，他被《商业周刊》（Business Weekly）授予英国年度学术企业家。 在2022年，他第二次获得了OHMI奖，作为SIC FinFET Power Devices中的第一篇论文。在2018年，Udrea教授获得了几项主要奖项，包括皇家学会的穆拉德勋章。在2020年，他获得了Ohmi奖，作为ISPSD硅碳化物鳍片的合着者。在2021年，他被《商业周刊》（Business Weekly）授予英国年度学术企业家。在2022年，他第二次获得了OHMI奖，作为SIC FinFET Power Devices中的第一篇论文。在同一会议上，他还获得了与Cambridge Gan Devices Ltd的Icegan Smart Power设备开发的最佳海报奖。
接受的手稿 - UCL Discovery重新访问（PD，PT，AU）/Tio2（P25）Schottky连接
1 paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心
与离子和纳米粒子金属坐标交联连接
我们提供了对双结功能性共同聚合物网络的规范介绍，该网络结合了高功能和低功能（F）动态交联连接，以赋予负载，消散和自我修复能力。这种独特的网络配置类型提供了由共价和可逆的交叉链接组成的传统双开关网络的替代方法。高F连接可以提供类似于共价交联的承重能力，同时保留自我修复和当前赋予刺激性反应性的能力，这是由高F连接物种引起的。我们使用金属配位聚合物水凝胶网络证明了该设计基序的机械性能，这些金属凝胶网络通过金属纳米颗粒（高F）和金属离子（低F）交联连接的不同比率进行动态交联。我们还展示了纳米颗粒交联聚合物的自发自组装到各向异性板上，这可能是可以推广的，用于设计具有低体积分数渗透高f网络的双结功能性网络。©2022作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1122/8.0000410