摘要:胶体纳米晶体 (NC) 的自组装在固态材料的多尺度工程中具有巨大前景,通过这种技术,原子工程 NC 构件被排列成具有协同物理和化学性质的长程有序结构 超晶格 (SL)。迄今为止,报告主要集中在球形 NC 的单组分和二元系统上,产生的 SL 与已知的原子晶格同构。通过组合各种形状的 NC,可以预期获得远远超出已知晶格范围的更大结构空间。本文报道了空间稳定的 CsPbBr 3 纳米立方体 (5.3 纳米) 与圆盘状 LaF 3 NC (直径 9.2 - 28.4 纳米,厚度 1.6 纳米) 共组装成二元 SL 的过程,产生了具有 AB、AB 2 、AB 4 和 AB 6 化学计量的六柱状结构,这在之前和我们的参考实验中均未观察到,参考实验中使用由球体和圆盘组成的 NC 系统。本文使用填充密度计算合理化了立方体形状的这种惊人效果。此外,在尺寸相当的纳米立方体(8.6 纳米)和纳米盘(6.5 纳米、9.0 纳米、12.5 纳米)系统中,还观察到了其他非柱状结构,例如 ReO 3 型 SL,其特征是盘和立方体的紧密混合和面对面排列,纳米立方体的面心立方或简单立方亚晶格,以及每个晶格位置有两个或三个盘。层状和 ReO 3 型 SL 采用大型 8.6 纳米 CsPbBr 3 NC,表现出集体超快光发射 超荧光 的特征,源自激发态发射偶极子的相干耦合。关键词:胶体纳米晶体、纳米晶体形状、自组装、二元超晶格、电子显微镜、卤化铅钙钛矿、超荧光 I
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建筑结构的响应以多尺度运动学为特征,其复杂关系及其对工程荷载响应的影响仍未完全了解,因此需要进一步研究。更确切地说,缺乏能够提供多尺度数据的实验方法仍然是一个关键问题。本文介绍了对定向能量沉积制造的薄壁拉胀金属晶格进行的压溃试验的实验和数值分析。这项工作重点关注发生在 (a) 晶胞微观尺度和 (b) 对应于均质连续体的宏观尺度上的两尺度应变局部化。感兴趣的结构被定义为 2D 拉胀线框的挤压,并允许应用专门用于识别两个考虑尺度上的运动学的改进的数字图像相关方案。具体而言,通过跟踪晶格交叉的变形来研究微观运动学,而从虚拟晶胞角的运动推导出宏观应变。结果表明,晶格的整体弹塑性响应完全由特定位置的塑性铰链形成所驱动,从而导致特征变形模式,并最终导致相邻晶胞的集体行为。配套有限元计算与实验结果非常吻合,因此能够评估建模假设、晶胞几何形状、应变率和几何缺陷对建筑材料整体响应的影响。
我们提出了一种新方法,通过操纵三维(3D)物质波孤子(MWS)的深度和中心来实现不同光学势阱之间的变换。通过平方算子法获得3D MWS,并通过使用分步傅里叶方法进行时间演化将其转换为其他类型(椭圆形/环形/项链形)。通过将变换后的孤子与使用平方算子法迭代获得的孤子进行比较,证明了我们方法的有效性和可靠性。由于电位的调制,可以观察到MWS的重新分布。在某些复杂的光学势阱中,我们展示了通过这种转换方法产生奇异的MWS,例如双回转模式。总体而言,可控孤子变换为全光切换、光信息处理和各种其他应用提供了绝佳的机会。
摘要:扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态,例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而,缺乏全面的理解,因为当电场应用以改变电子填充时,低能带的结构会发生强烈的变化。在这里,我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配,我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯(TBG)和扭曲的双重双层石墨烯(TDBG)的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比:可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体,将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中,我们发现了低能带的复杂行为,结合了非单调带宽变化和可调间隙开口,这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度,并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字:扭曲的双层石墨烯,Moire ́超级晶格,扁平带,微摩尔,原位门控,带宽重归于
摘要:由于各个单元之间的相互作用,可以从有序的发射器集合中出现集体光学性质。卤化物钙钛矿纳米晶体的超晶格表现出集体光发射,受偶极子 - 同时激发的纳米晶体之间的偶极子相互作用。与未偶联的纳米晶体的发射相比,这种耦合改变了发射能和速率。我们证明了量子限制如何控制合奏中纳米晶体之间耦合的性质。通过控制纳米晶体的大小或对BOHR半径的组成控制来改变限制的程度。在由弱受限制的纳米晶体制成的超晶格中,集体发射以更快的发射速率进行红移,显示了超荧光的关键特征。相比之下,更强的量子限制纳米晶体的集体发射以较慢的发射速率进行蓝色。两种类型的集体发射都表现出相关的多光子发射爆发,显示出不同的光子束发射统计。量子限制改变了纳米晶体内过渡偶极子的首选比对,并切换邻居之间的相对偶极子方向,从而产生了相反的集体光学行为。我们的结果将这些集体效应扩展到相对较高的温度,并更好地了解固态处的激子相互作用和集体排放现象。关键字:纳米晶体,铅卤化物钙钛矿,超晶格,纳米晶体耦合,超荧光,量子限制T
摘要二维原子晶体(2DAC)和范德华异质结构(VDWH)启发了一种无键的方法,用于构建除传统外观外观方法以外的异质结构。本演讲始于对范德华(VDW)相互作用的早期探索,以将不同的材料与原始电子界面整合在一起。我将重点关注我们最近在合成和探索各种各样的VDW超级晶格(VDWSL)家族方面的进步,该家族由2DACS的交替层和具有可自定义的化学化学组合物和结构基序的自组装分子层组成。i将强调这些分子中间层如何定制2DAC的电子和光学特性,并特别强调手性分子互晶的超晶格超晶格,这些超晶格超晶格表现出强大的手性诱导的自旋选择性和吸引人的手性超导性。使用多功能分子设计和模块化装配策略,2D分子VDWSL为量身定制电子,光学和量子性能提供了无限的机会,为新兴技术创建了丰富的平台。
机制是一项复杂的任务,需要对理论和实践攻击以及对量子计算等未来威胁的期望进行深入了解。我们全球领先的密码师团队已经开发了一种基于NTRU Lattices的量子安全签名计划,NTRU Lattices是一个著名的密码学概念,已有二十年了。Falcon是NIST PQC标准化决赛入围者之一,与Dilithium and Sphincs+一起,体现了这些努力。它以与椭圆曲线签名相似的稳健安全性,紧凑的签名和有效的验证时间而闻名。然而,由于猎鹰的实现涉及严重的复杂性,因为它依赖快速傅立叶正交化技术(FFO)技术。
要计算WSE 2层的Moir´e电子结构,我们需要求解未介绍的TMD的K和-K谷(τ= 1和-1)周围的有效连续模型,然后将它们折叠到Moir'e Bz中s3(a),其中蓝色区域代表具有τ= 1的连续模型,红色区域代表带有τ= - 1的连续模型。这两个区域在动量空间中远距离分离,因此两个连续模型在单粒子水平上被解耦]。我们将Bz中的山谷表示为±K,而Moir´e Bz中的山谷为κ和κ'。为简单起见,我们还使用±k表示某处τ=±1的连续模型。为了获得Moir´e潜在参数(v I,φi),(i = V,c),我们使用自旋轨道耦合(SOC)来利用密度功能理论(DFT)软件VASP [6-8]来计算WSE 2 / WSE 2 / WS 2 HETEROBILAYER系统。Moir´e的电势作用在相应的价和配置带的D轨道上,可以解释为Valence带最大值(VBM)的变化,而传导带最小值(CBM)是Moir´e超级突出的位置R的函数。如上所述,可以将这些变化映射到VBM和CBM的变化,并在AA堆叠的WSE 2 / WS 2 BILAYER中具有不同的层间层中位移D,其扭曲角度为零。在此,我们计算了三个高对称堆叠配置的带状结构[5]。基于金属原子和相反层的金属原子和chalcogen原子的比对,将三种构造称为SE / W,AA和W / S。例如,SE / W表示顶层中的SE原子与底层中的W原子对齐。真空距离在平板模型中设置为20°A,并且在不同结构构造中的层间距离是通过
电荷掺杂代表调节材料特性的最成功的方法之一。常规化学掺杂不可避免地涉及淬灭疾病的侧面影响,有时会受到掺杂元素的选择限制。相反,静电掺杂使以干净的方式将载体注入材料;但是,在具有高背景载体浓度的材料中,由于筛选长度极短,静电掺杂的工作距离受到限制。在这项工作中,基于频段对齐的考虑,我们通过将srrruo 3的单单核电储存层插入srRuo 3 / ndnio 3的人工晶格,以各种周期性的定期级别的ndnio 3 matrix插入ndnio 3 matrix。通过X射线吸收光谱揭示了从SRRUO 3到NDNIO 3的电子转移,并随附轨道重建。这种电子掺杂大大调节了ndnio 3的金属 - 磁性和抗铁磁过渡。此外,在超级晶格中观察到散装的E'抗反磁性顺序,NDNIO 3层降低到单个单位细胞,该单元与界面离子交换相关,这与超级限制的强电子传递增强了。我们的工作提高了使用有效的调节掺杂定制人工氧化物材料的前景,这可能导致自然晶体无法实现的新兴功能。