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Veramaris® Pets：宠物专用最高效力的 Omega-3，含有 60% EPA 和 DHA
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omega-3 DHA的可持续，可扩展和可靠的来源
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Alpha和Omega半导体启动了3阶段驱动器IC，增加了无线电动工具的电池寿命和E-Mobility
AOZ32063MQV features high-side 100 percent duty cycle operation with integrated bootstrap diode, adjustable deadtime, and multiple protections for 3-phase BLDC motor drive designs SUNNYVALE, Calif., Feb. 20, 2024 – Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) (Nasdaq: AOSL), a designer, developer, and global supplier of a broad range of discrete power设备，宽带间隙电源设备，电源管理IC和模块今天宣布发布用于BLDC电动机应用的AOZ32063MQV Gate驱动程序。是一个3相驱动程序IC，可提供出色的驾驶能力，可编程的死亡时间和睡眠模式支持。这些功能可提供高电动机运行效率和低备用功耗，从而有助于大大提高无绳电动工具和电子操作性应用的电池寿命。AOZ32063MQV也是3相无刷直流（BLDC）电动机的最佳驱动器IC解决方案。
RWE 在德克萨斯州和亚利桑那州完成三个美国电池存储项目，总计 190 兆瓦
RWE 继续实施其绿色增长战略。在美国，该公司进一步扩大了其绿色能源组合，最近在德克萨斯州和亚利桑那州建成了三个总计 190 兆瓦（361 兆瓦时）的新型电池储能系统 (BESS)。这三个 BESS 项目（Bright Arrow、Big Star 和 Mesquite 4）使 RWE 在美国电池储能总容量达到约 512 兆瓦。该公司在美国还有更多电池项目在建，总容量为 770 兆瓦。在全球范围内，RWE 的电池储能总容量现在约为 700 兆瓦，还有超过 1 吉瓦在建。RWE 清洁能源首席执行官 Andrew Flanagan 表示：“电池储能变得越来越重要，它可以快速部署风能和太阳能项目，帮助稳定美国电网，更好地确保有足够的电力供应满足需求。作为我们绿色增长战略的一部分，我们计划到 2030 年将全球电池组合增加到 6 千兆瓦，这三个新系统将为实现这一目标做出贡献。”电池储能系统在最需要时提供灵活且经济实惠的电力，使其成为可再生能源的理想合作伙伴。这三个新的 BESS 与太阳能配对，使它们能够储存多余的电力并在稍后将其送回电网。
异构芯片集成打造超级芯片
D 集成是先进封装和异构集成中的关键技术——它有助于系统级性能扩展。虽然封装的发展引入了 3D 集成，从封装系统发展到堆叠集成电路 (IC) 和 3D 片上系统，但该行业目前正在见证另一个重要转折点：背面供电网络 (BSPDN)。在传统的扩展方法中，信号和供电共存于晶圆的正面。然而，对电力（尤其是供电）日益增长的需求，越来越限制了实现可扩展解决方案的能力。高效的晶体管扩展对于实现更高的晶体管密度至关重要，这需要按比例扩展供电网络。然而，这遇到了巨大的 IR 压降挑战，导致晶体管性能受损。此外，信号和电源的互连设计变得高度相互依赖，构成了供电布线过程的很大一部分（至少 20%）。此外，随着扩展到下一个节点，功率密度会迅速增加。行业共识是通过实施 BSPDN 来分离信号和电源。这涉及隔离晶圆正面的信号网络，并利用晶圆对晶圆键合来高效地访问晶体管背面以进行电源分配和管理。主要优势包括更宽的电源线和更低的 IR 压降、更均匀的电压分布，以及最重要的，更多的设计空间，从而进一步缩小标准单元高度。BSPDN 消除了在晶圆正面共享信号和电源线之间互连资源的需要。顾名思义，背面供电将电源重新定位到背面
异构芯片集成打造超级芯片
本文介绍了一种新型超大面积集成电路 (ELAIC) 解决方案（我们称之为“巨型芯片”），适用于将不同类型的多个芯片（例如，内存、专用集成电路 [ASIC]、中央处理器 [CPU]、图形处理单元 [GPU]、电源调节）组合到通用互连平台上的单个封装中。巨型芯片方法有助于重新构建异构芯片平铺，以开发具有所需电路密度和性能的高度复杂系统。本文重点介绍了最近关于大面积超导集成电路连接多个单独芯片的研究，特别关注了在单个芯片之间形成的高密度电互连的处理。我们重新制造了各种巨型芯片组件，并使用多种技术（例如扫描电子显微镜 (SEM)、光学显微镜、共聚焦显微镜、X 射线）对其进行了表征，以研究集成质量、最小特征尺寸、硅含量、芯片间间距和间隙填充。二氧化硅、苯并环丁烯 (BCB)、环氧树脂、聚酰亚胺和硅基电介质用于间隙填充、通孔形成和重分布层 (RDL)。对于巨型芯片方法，通过减少芯片间 (D2D) 间隙和增加硅含量来提高热稳定性，从而使组装人员能够缓解不同基板/模块集成方案的热膨胀系数 (CTE) 不匹配的问题，这对于实现从回流到室温甚至低温操作的宽温度范围稳定性非常重要。 Megachip 技术有助于实现更节省空间的设计，并可容纳大多数异构芯片，而不会影响稳定性或引入 CTE 不匹配或翘曲。各种异构芯片