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更改单分子磁的相互作用...
图1：TBRPPCO在PB（111）和BCS能量间隙的光谱上吸附。（a）Pb上的TBRPPCO分子岛的STM图像（111），中央CO原子显得最明亮（偏置电压：100 mV，隧道电流：50 PA，比例尺：1 nm）。超结构由1和2跨越。岛边缘的单个分子由虚线圆表示。白色箭头标记为110⟩方向。（b）孤立的TBRPPCO分子的STM图像（100 mV，50 PA，比例尺：1 nm）。（c）TBRPPCO在PB上计算出的松弛吸附几何形状（111）。（d）D I/ D V的光谱在干净的Pb上方的超导PB尖端（111）上方获得，并在嵌入岛上的TBRPPCO的Co Atom Center上，并在基板露台上分离（反馈环参数：10 mV，50 PA）。h +，h - 表示由于尖端和样品BCS DOS的对齐的冷凝峰引起的与隧道相关的光谱峰的高度； δ标记由冷凝峰距离定义的能隙宽度。（e）TBRPPCO岛（100 mV，50 PA，比例尺：2 nm）的STM图像，带有指示的特性镜检查位点。（f）宽度δ（反向三角形）和不对称η（三角形）从（e）中标记的十个分子上获得的d i/ d v光谱获得。阴影区域描绘了δ的不良边缘。
实验和模型
摘要：提出了一个分析子阈值摇摆（SS）模型，以观察当堆叠的SIO 2-中的FERROCTRIC结构用作无连接双门（JLDG）MOSFET的氧化物膜时，SS的变化。60 mV/dec的SS对于在保持晶体管性能的同时减少功率耗散至关重要。如果使用具有负电容（NC）效应的铁电材料，则可以将SS降低到60 mV/dec以下。使用2D电势分布，SS与从漏极电流和栅极之间的关系得出的SS相吻合。作为分析SS模型得出的结果，发现通过调节硅频道，SIO 2和铁电的厚度，也可以在15 nm通道长度下获得60 mV/dec的SS。，随着SIO 2的厚度的增加，SS根据铁电厚度的变化饱和，并且随着硅通道的厚度减小，几乎是恒定的。
Yaskawa MV1000 中压交流驱动器... - Motion Ai
安川电机的质量始终引领着驱动器行业，每一代产品都建立在上一代产品的基础上。上一代中压产品 (MV1S) 的现场平均无故障时间 (MTBF) 已证实超过 300,000 小时。MV1000 建立在上一代 MV 驱动器的成功基础之上，采用同样严格的设计规则和质量控制/质量保证 (QC/QA) 实践。MV1000 的组件数量也减少了。随着现场使用单位和小时数的增加，MV1000 将超越上一代 MV 驱动器已经非常出色的性能。
不同的温度泄漏机制（al
（Al 2 O 3）X（HFO 2）具有不同组合物的1-X膜通过血浆增强的原子层沉积（PEALD）沉积在硅底物上，并制造了金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物层沉积物（MOS）电容器。通过电气测量检查了不同诱导的Al含量对HFO 2介电特性的影响。结果表明，增加的含量增加了平坦的电压，降低了界面状态密度（D IT），并显着降低了给定电压下的泄漏电流。此外，室温I-V测量值表明Schottky发射（〜0.8-4.8 mV/cm），Poole-Frenkel（PF）发射（〜4.8-7.3 mV/cm）和Fowler-Nordheim（FN）（FN）隧道（〜7.3-8.3 mV/cm）是众多机制。在较高的温度（75–100°C）下，富含AL的样品（50-100％）的泄漏机制从FN隧道转移到高电场的PF发射（〜3.3-6.87 mV/cm）。使用X射线光电子光谱（XPS）和紫外线（UV）分光光度法表征膜的组成和能带对准，表明将Al引入HFO 2会增加带盖，从而增加了介电常数，可减少介电常数，并显着降低氧气空间。因此，进一步证明，具有适当含量的HFO 2膜可以有效地增强介电特性并调整介电层的材料参数。
Ecu - 滤波电池充电器/直流电源
标称电压额定值 12、24、48、110、120、220 或 240 伏 典型工作电压 通常比标称额定值高 10% 至 25%，具体取决于充电模式、电池类型和电池数量 调节 +0.5% 线路和负载调节 电流限制 预设为额定电流的 105%，可在 60% 至 110% 之间调节 充电特性 恒定电压、电流限制、多速率 充电模式控制 用户可选择浮动、定时均衡或电池互动自动均衡模式 标准输出滤波 12、24、48V：30 mV rms（电池） 4 倍 AH 充电器安培额定值；100 mV rms（不含电池） 110、120、220、240V：1% rms（电池）； 2% 不带电池 可选输出滤波 110、120、220、240V：电池时 30 mV rms；不带电池时 100 mV rms（110、120 V 装置）；不带电池时 200 mV rms（220、240 V 装置） 动态响应 使用电池时，输出电压保持在初始电压的 5% 以内，负载电流阶跃变化为 20% 至 100% 和 100% 至 20%。在 200 毫秒内恢复到稳定状态电压的 1% 以内。电池消除器操作 无需电池即可稳定运行。联系工厂获取有关不带电池的恒功率负载（如逆变器）的使用建议 温度补偿 启用或禁用。远程传感器可选。两个斜率程序 反极性保护 声音警告、内部二极管、直流断路器 并联运行 有源负载共享将输出电流保持在 10% 以内 输出保护 电流限制、2 极断路器、瞬态电压抑制
em Microelectronic
参数符号最小单位工作温度1）T A -40 +125°C正电源电压2）V DD 1 5.5 V表2 1）通过在初始设备资格下进行采样确认最大工作温度。生产中，所有设备均在 +25°C 2）v dd = 1V = 1V（在 +25°C下保证）（见图14有关更多信息）电气特性t a = +25°C，除非另有指定的参数符号测试条件最小。typ。最大Unit Supply current I DD V DD = 5V, output open 38 50 µ A Threshold voltage V TH C, I, O 2.94 3.02 3.10 V V TH D, J, P 3.62 3.72 3.82 V V TH F, L, R 4.27 4.39 4.51 V Threshold hysteresis V HYS 5 mV RES Output Low Level V OL V DD = 1.6V, I OL = 1mA 200 270 mV V OL V DD = 2.5V, I OL = 2mA 195 250 mV V OL V DD = 3.5V, I OL = 3mA 198 250 mV V OL V DD = 5V, I OL = 4mA 185 250 mV RES Output High Level V OH V DD = 1.6V, I OH = -1mA 1.25 1.36 V V OH V DD = 2.5V, I OH = -1.5mA 2.2 2.3 V V OH V DD = 3.5V，i OH = -2.5mA 3.15 3.15 3.27 v oh v dd = 5V，i OH = -3.5mA 4.65 4.65 4.65 V输出泄漏电流1）I泄漏V DD = 5V 0.005 1 µ A仅适用于版本B，H和N参数符号符号测试条件。typ。最大单位电源电流i dd v dd = 5V，输出打开19 31 µ a阈值电压v t b，h，h，n 2.56 2.65 2.74 V阈值滞后v hys v hys 32 mv