机构名称：
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摘要：提出了一个分析子阈值摇摆（SS）模型，以观察当堆叠的SIO 2-中的FERROCTRIC结构用作无连接双门（JLDG）MOSFET的氧化物膜时，SS的变化。60 mV/dec的SS对于在保持晶体管性能的同时减少功率耗散至关重要。如果使用具有负电容（NC）效应的铁电材料，则可以将SS降低到60 mV/dec以下。使用2D电势分布，SS与从漏极电流和栅极之间的关系得出的SS相吻合。作为分析SS模型得出的结果，发现通过调节硅频道，SIO 2和铁电的厚度，也可以在15 nm通道长度下获得60 mV/dec的SS。，随着SIO 2的厚度的增加，SS根据铁电厚度的变化饱和，并且随着硅通道的厚度减小，几乎是恒定的。
实验和模型
主要关键词
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