机构名称：
¥ 1.0
（Al 2 O 3）X（HFO 2）具有不同组合物的1-X膜通过血浆增强的原子层沉积（PEALD）沉积在硅底物上，并制造了金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物层沉积物（MOS）电容器。通过电气测量检查了不同诱导的Al含量对HFO 2介电特性的影响。结果表明，增加的含量增加了平坦的电压，降低了界面状态密度（D IT），并显着降低了给定电压下的泄漏电流。此外，室温I-V测量值表明Schottky发射（〜0.8-4.8 mV/cm），Poole-Frenkel（PF）发射（〜4.8-7.3 mV/cm）和Fowler-Nordheim（FN）（FN）隧道（〜7.3-8.3 mV/cm）是众多机制。在较高的温度（75–100°C）下，富含AL的样品（50-100％）的泄漏机制从FN隧道转移到高电场的PF发射（〜3.3-6.87 mV/cm）。使用X射线光电子光谱（XPS）和紫外线（UV）分光光度法表征膜的组成和能带对准，表明将Al引入HFO 2会增加带盖，从而增加了介电常数，可减少介电常数，并显着降低氧气空间。因此，进一步证明，具有适当含量的HFO 2膜可以有效地增强介电特性并调整介电层的材料参数。
不同的温度泄漏机制（al
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