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选择性生长的 Bi2Te3 纳米带的拓扑表面态中的量子传输
拓扑绝缘体的准一维纳米线是基于马约拉纳费米子的量子计算方案的超导混合架构的候选结构。本文研究了低温下选择性生长的 Bi 2 Te 3 拓扑绝缘体纳米带。纳米带定义在硅 (111) 衬底上深蚀刻的 Si 3 N 4 /SiO 2 纳米沟槽中，然后通过分子束外延进行选择性区域生长过程。选择性区域生长有利于提高器件质量，因为不需要进行后续制造来塑造纳米带。在这些无意 n 掺杂的 Bi 2 Te 3 拓扑绝缘体纳米带的扩散传输区域中，通过分析角度相关的通用电导波动谱来识别电子轨迹。当样品从垂直磁场方向倾斜到平行磁场方向时，这些高频电导调制与低频 Aharonov-Bohm 型振荡合并，后者源自沿纳米带周边的拓扑保护表面状态。对于 500 nm 宽的霍尔棒，在垂直磁场方向上可识别出低频 Shubnikov-de Haas 振荡。这揭示了一个拓扑、高迁移率、2D 传输通道，部分与材料本体分离。
自组装两性离子芳族聚酰胺两亲物纳米带制成的防污表面涂层
两性离子表面因其具有抵抗蛋白质、细菌和细胞粘附的倾向而越来越多地被用作防污涂层，并且通常以聚合物系统的形式应用。据报道，强相互作用的小分子两亲分子的自组装可产生用于防污应用的纳米带。合成的两亲分子自发形成具有纳米级横截面的微米长纳米带，并且本质上在其表面上显示出致密的两性离子部分涂层。涂有纳米带的基质表现出浓度依赖性厚度和近乎超亲水性。然后探测这些表面涂层的防污性能，结果表明，与未涂层对照相比，蛋白质吸附、细菌生物膜形成和细胞粘附均显着降低。利用粘性小分子自组装纳米材料进行表面涂层为有效的防污表面提供了一种简便的途径。
通过二维电子光谱揭示的溶液中分离的石墨烯纳米纤维的电子结构
摘要：结构明确定义的石墨烯纳米纤维（GNR）是具有独特光电特性的纳米结构。在液相，强聚集通常会阻碍其内在特性的评估。最近，我们报道了一种新型的GNR，并用脂肪族侧链装饰，产生的分散体主要由孤立的GNR组成。在这里，我们采用二维电子光谱来阐明分离的GNR的光学特性，并阐明其宽阔且无特征的吸收带的过渡。我们观察到通常在建模中忽略的振动耦合在GNR的光学特性中起主要作用。此外，通过电子过渡的大型不均匀扩大，揭示了强烈的环境效应。最后，我们还表明，在150 fs的时间尺度上，光激发的明亮状态衰减达到了一个黑暗状态，该状态与亮状态保持在热平衡状态，该状态仍然负责纳米秒时尺度上的发射。关键字：石墨烯纳米纤维，超快光谱，二维电子光谱，不均匀扩展，振动耦合
通过二维电子光谱揭示的溶液中分离的石墨烯纳米纤维的电子结构
摘要：结构明确定义的石墨烯纳米纤维（GNR）是具有独特光电特性的纳米结构。在液相，强聚集通常会阻碍其内在特性的评估。最近，我们报道了一种新型的GNR，并用脂肪族侧链装饰，产生的分散体主要由孤立的GNR组成。在这里，我们采用二维电子光谱来阐明分离的GNR的光学特性，并阐明其宽阔且无特征的吸收带的过渡。我们观察到通常在建模中忽略的振动耦合在GNR的光学特性中起主要作用。此外，通过电子过渡的大型不均匀扩大，揭示了强烈的环境效应。最后，我们还表明，在150 fs的时间尺度上，光激发的明亮状态衰减达到了一个黑暗状态，该状态与亮状态保持在热平衡状态，该状态仍然负责纳米秒时尺度上的发射。关键字：石墨烯纳米纤维，超快光谱，二维电子光谱，不均匀扩展，振动耦合
银表面手性石墨烯纳米带的能带结构和能级排列
碳基纳米结构可以根据其精确的键合结构显示出异常多样的特性。这包括石墨烯纳米带 (GNR)，1-3 其中石墨烯晶格被限制为狭窄的一维条纹。具有扶手椅取向边缘的 GNR 显示出半导体带结构。相比之下，锯齿形甚至手性 GNR 是准金属的，并且会形成自旋极化边缘态，2-5 除非它们非常窄。在这种情况下，两侧的边缘态相互杂化，这会猝灭自旋极化并赋予带常规的半导体带结构。6,7 对于具有 (3,1) 手性矢量的带，维持准金属行为所需的最小宽度包括从一侧到另一侧的六条碳锯齿线。6 这一理论预测最近已通过合成和光谱表征 Au(111) 上不同宽度的 (3,1) 手性 GNR 得到实验证实。 8 然而，这些纳米带，就像纯锯齿状边缘的 GNR 9 或具有与周期性锯齿状边缘段相关的低能态的其他 GNR 10–12 一样，迄今为止仅在 Au(111) 上合成和表征。为了研究具有较低功函数的不同基底对纳米带电子特性的影响，我们在弯曲的 Ag 晶体 13 上合成了六条锯齿状线宽的 (3,1) 手性 GNR（(3,1,6)-chGNR，图 1a），该晶体相对于中心 (111) 表面取向向两侧跨越高达 ±15 度的邻位角（图 1b）。整个晶体的合成都是成功的，但样品每一侧的不同类型的台阶对纳米带的优选方位角排列有不同的影响。这为我们提供了一个理想的样品，可通过角分辨光电子发射 (ARPES) 研究沿纳米带纵轴和垂直于纳米带纵轴的能带色散。我们使用的反应物是 2',6'-二溴-9,9':10',9”-四蒽 (DBTA，图 1a)，合成方法见补充信息。8 它经过
雪佛龙石墨烯纳米纤维在（111）面向造币金属表面
Geagea Elieve，Daniel-Lopez，Luca Giovanelli，Laurent Nony，Christian Loppacher等。天文台C，2024，128（21），pp.8601-8610。10.1021/acs.jpcc。04729690
基于第一原理计算的单轴菌株的扶手椅抗氨基纳米管的理论研究
摘要：使用Ab始于从头算计算，研究了优化的几何形状，以及钝化边缘扶手椅抗氨基烯纳米纤维（ASBNR）的电子和传输特性。由于量子限制，当宽度分别从5 nm降低到1 nm时，带隙的大小可以从1.2 eV到2.4 eV（间接）调节。这项研究的重点是宽度为5 nm（5-ASBNR）的纳米容器，因为它的制造潜力较高，并且可以接受电子应用的带型带。应用单轴压缩和拉伸菌株会减少5-ASBNR膜的带隙。当引入超过4％以上的拉伸应力时，观察到直接带隙转变的间接转换。此外，当引入高于9％的压缩应变时，可以观察到半金属行为。通过施加压缩（拉伸）应变，孔（电子）有效质量降低，从而增加电荷载体的迁移率。研究表明，可以通过在丝带上施加拉伸或压缩应变来调节基于ASBNR的纳米电子设备的载体迁移率。关键字：2D材料，偶然，纳米式，压缩和拉伸应变，带状结构，状态密度■简介
利用多栅极结构实现原子级精度石墨烯纳米带的可调量子点
原子级精确的石墨烯纳米带 (GNR) 因其可大幅改变的电子特性而日益受到关注，这些特性可通过在化学合成过程中控制其宽度和边缘结构来定制。近年来，GNR 特性在电子设备中的开发主要集中在将 GNR 集成到场效应晶体管 (FET) 几何形状中。然而，由于存在单栅极，此类 FET 器件的静电可调性有限。本文报道了将 9 个原子宽的扶手椅型石墨烯纳米带 (9-AGNR) 集成到由超窄手指栅极和两个侧栅极组成的多栅极 FET 几何形状中的设备。高分辨率电子束光刻 (EBL) 用于定义窄至 12 纳米的手指栅极，并将它们与石墨烯电极相结合以接触 GNR。低温传输光谱测量揭示了具有丰富库仑钻石图案的量子点 (QD) 行为，表明 GNR 形成的 QD 既串联又并联。此外，结果表明，附加栅极能够实现纳米结中 QD 的差分调谐，为实现基于 GNR 的多点系统的多栅极控制迈出了第一步。
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通过立体移动的π延伸反应[7]用作分子扳手
由线性融合的多环芳烃（PAH）组成，取决于它们的大小，形状，最重要的是边缘结构。基于边缘NRS可以分类为coveed，扶手椅边缘和锯齿形边缘NRS。9 - 13 Cove-Edge-NRS 14具有特别的兴趣，因为它们有可能是手性的，这是由于Cove地区的空间障碍引起的非平面性。圆形的NRS可以采用扭曲的con，无论是螺旋的还是摇摆的（随机扭曲），包括沿着其边缘的特定c s层。15 - 18然而，由于螺旋构和摇摆构构之间的最小相对能量差异，由于内部海湾的手性迅速，螺旋构和摇摆构构之间的相对能量差异很小。14,19,20具有ord区域的NR，例如Wang等人的Supertwistacene 21。和三分之一的HBC（Hexa- peri -hexabenzocoronene）22由Campana等人。- 表现出较高的屏障，可以室温手性分辨率。带有海湾区域的纳米摄影师相对扭曲相对困难，因为大多数环在正交平面上占据了，替代方案有限。
通过一锅K-区域氧化和Scholl Cyclization衍生自四氢苯乙烯的聚苯烯纳米纤维
以及基于碳的纳米电子和旋转型的潜在应用。除了可调节的边缘结构和宽度外，GNR中引入曲率是其化学物理特性修饰的强大结构特征。在这里，我们报告了第一个基于pyrene的GNR（PygNR）的有效溶液合成，该溶液通过一锅K区氧化和其相应良好可溶性四氢苯二酚基于多苯乙烯前体的曲线几何形状和曲面几何形状。有效的A 2 B 2型铃木聚合和随后的Scholl反应可提供高达〜35 nm长的弯曲GNR轴承和扶手椅。模型化合物（1）的构造是从四氢苯二酚基的寡苯基前体中的pygnr切割，证明了单锅K区域氧化和Scholl环化的概念和效率，这是由单晶X射线衍射分析清楚地揭示的。PYGNR的结构和光学性质由Raman，FT-IR，固态NMR和UV-VIS分析研究，并支持DFT计算。pygNR显示在680 nm处的吸收最大值，表现为〜1.4 eV的狭窄光带隙，作为低频带GNR的资格。此外，PYGNR上的THZ光谱估计其