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来自2,7-二溴-9,9'-Bianthryl的蒽融合的锯齿烯纳米纤维的地下合成揭示了意外的环重排
摘要：地下合成已成为一种有力的策略，用于制造原子上精确的石墨烯纳米骨（GNR）的前所未有的形式。但是，锯齿形GNR（ZGNR）的地下合成仅取得了有限的成功。在此，我们报告了2,7-二溴-9,9' - 苯甲酰基的合成和表面反应，作为朝向π-延伸ZGNRS的前体。通过扫描隧道显微镜和高分辨率非接触原子力显微镜的表征清楚地证明了烟碱融合的ZGNR的形成。独特的骨骼重排，可以通过分子内多尔 - alder cycloadition来解释。对蒽接受ZGNR的电子特性的理论计算显示自旋极晶状体和0.20 eV的狭窄带隙。关键字：地下合成，石墨烯纳米替恩，表面反应，重排，边缘状态■简介
简化自主驾驶中的SIM到运行转移
摘要：低维碳纳米结构的化学处理对于它们在未来的设备中的整合至关重要。在这里，我们通过结合N型分子石墨烯纳米丝带（GNR）的多步溶液合成与质量选择的超高真空电喷雾控制的离子光束在表面上通过扫描型触发显微镜在表面上和实际空间上的质量上的超高真空束沉积相结合，在原子上精确的工程中应用了一种新方法。我们演示了该方法如何仅在平面Ag（111）表面上的2.9 nm长度的GNR中仅产生可控数量的单个单个单一的GNR。这种方法可以通过采用地下合成协议并利用基板的反应性来进一步处理。在多次化学转化后，GNR提供了反应性的构建块，形成了延长的金属和有机坐标聚合物。
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石墨烯纳米纤维（GNR）由于其广泛可调且独特的电子特性而引起了极大的研究兴趣。可以通过表面合成方法实现所需的GNR所需的原子精度。在这项工作中，通过表面辅助反应，我们通过五角形环交界处将不同长度的基于pyrene的石墨烯纳米管（PGNR）融合，并在AU上建立了分子连接结构（111）。通过扫描隧道光谱（STS）与紧密结合（TB）计算相结合，研究了结构的电子特性。五角大楼环连接对石墨烯纳米纤维显示出弱的电子耦合效应，这使得通过五角形环连接与I型半导体异质相似的两个不同的石墨烯纳米纤维的电子特性。
研究单纳米诺的物理特性
在本文中，我们使用密度功能理论研究了P 2 Si纳米骨的物理特性，具有不同的磷 - 磷，磷酸磷和硅硅硅的边缘结构。我们的计算表明，所有三个不同边缘的纳米骨都具有热力学稳定性。具有磷 - 磷边缘结构的纳米替比是半导体，具有不同的能量差异，可向上和向下旋转，并且具有磷 - 硅和硅 - 硅边缘边缘结构的纳米锥具有准代理性能。这些发现在这些纳米容器中表现出磁性的存在。此外，我们已经表明，边缘原子对电子特性的贡献比纳米骨中的中央原子的贡献更为主导。我们的发现表明，具有不同边缘结构的PENTA-P2SI纳米容器可以用作电子和光电应用的有前途的候选者。关键字：五烯 - 格雷烯，状态的部分密度，密度功能理论，带隙。pacs no。73，81
纳米级进步-RSC Publishing
费米级，非常同意实验。35,36个进一步的研究表明，管重建也可以改变PNR的热振动和热传输。38 - 42因此，ZZ [管]当然可以显着改变PNR的性质，并应进一步探索基于管缘的拟议应用。第二个重要因素是纳米丝的性质由于量子构成效应而随宽度而变化。例如，扶手椅石墨烯纳米骨的带隙遵循3p + 2规则。27,43 MOS 2纳米骨44和扶手椅H- Bn纳米骨45也表现出振荡带隙，带有带有色带宽度的变化。此外，Semductucting石墨烯纳米纤维的带隙46单调降低，并增加了色带宽度。除了边缘状态和宽度外，应变工程也是调整纳米骨的特性的一种有效方法。41,47扶手椅MOS 2的带隙（参考48）和曲折的H-BN 49纳米邦
H2 在底物导向合成尺寸...中的作用
摘要：最近对过渡金属二硫属化物 (TMD) 纳米带的研究促进了这些尺寸受限晶体的受控生长合成策略的发展。我们展示了在由用磷化氢处理的 Si(001) 组成的设计表面上生长的 MoSe 2 纳米带的宽度控制合成。调节载气流中的 H 2 分压可以将纳米带宽度调整到 175 nm 到近 500 nm 之间。实验和模拟表明，H 2 暴露增加了 Si-P 二聚体上氢的表面覆盖率，而 Si-P 二聚体通常是纳米带成核和生长的有利区域。此外，MoSe 2 纳米带表现出异常光致发光蓝移，其幅度为 60 meV，与 MoS 2 纳米带的光发射光谱中报道的幅度相似。这些研究表明，最近开发的纳米带的基底定向生长策略可以扩展到硒化物系列 TMD。此外，它们扩展了制备复杂 TMD 异质结构的合成基础，而这种结构是光学和量子传感器、换能器和处理器所必需的。关键词：过渡金属二硫属化物、纳米带、MoSe 2 、表面、光致发光、激子■ 简介
![arxiv：2405.10066v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年5月16日](/simg/5\5c963ddef83bc59b040e5ba5125b710b1dc621ee.webp)
arxiv：2405.10066v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年5月16日
在这项工作中，我们提出了一种在具有增强的自旋轨道耦合区域的区域的情况下，由石墨烯纳米式建造的电子l'evy玻璃。尽管石墨烯纳米纤维中的电子具有低自旋轨道耦合强度，但可以通过与适当的基础的接近效应来增加它。我们考虑具有不同边缘类型的石墨烯纳米纤维，其中包含具有可调的Rashba自旋轨道耦合的圆形区域，其直径遵循幂律分布。我们发现，旋转轨道簇诱导从超延伸到扩散电荷传输的过渡，类似于我们最近报道的具有静电簇的纳米管[Phys。修订版B.107，155432（2023）]。我们还研究了旋转轨道L´Evy眼镜中的自旋极化，并表明只有在超级延伸方案中才能找到有限的自旋极化。相比之下，自旋极化在扩散状态下消失，使电子l'evy玻璃成为有用的设备，其电子传输和自旋极化可以通过其费米能量控制。最后，我们应用多重分析来充电传递和自旋极化，并发现超级延期状态中的转移时间序列是多重分子的，而它们在扩散状态下倾向于是单反性的。相比之下，自旋极化时间序列在这两个方案中都是多重分数，表征了拟议的电子l'evy玻璃中电荷转运和自旋极化之间的介观波动之间的明显差异。
基于纳米互连
摘要基于碳纳米 - 互连进行比较无线电频率（RF）和串扰分析，该互连是基于有效的π-类型等效的多壁碳纳米管（MWCNT）和堆叠的多层含量nanoribbons（MWCNTS）和堆叠的多层含量的nanoribbons（mwcnts）。使用HSPICE在14 nm节点处使用HSPICE进行全局级纳米互连提取。RF性能，而串扰性能是根据串扰诱导的延迟和平均功耗来分析的。与CU，纳米管和MWCNT相比，皮肤深度的结果表明，对于ASF 5掺杂的Zag ZAG MLGNR，在较高频率下，皮肤深度降解的显着明显影响。转移增益结果明确表明，ASF 5掺杂的MLGNR表现出极好的RF行为，分别显示出比MWCNT和铜（CU）的10倍和20倍的改善。此外，与Cu和MWCNT相比，ASF 5掺杂的MLGNR的3 dB带宽计算表明18.6-和9.7倍倍增强。在ASF 5掺杂的MLGNR的串扰诱导的相位延迟中获得了显着的重新构度，其延迟值比CU和MWCNT的延迟值低84.7％，比60.24％。此外，ASF 5-掺杂的MLGNR呈现最佳能量 - 延迟产品的结果，其值比其CU和MWCNT对应物的98.6％和99.6％的改善，全球长度为1000 µm。
减少了...
graphyne和GraphDiyne纳米骨本在不同的应用中显示出明显的前瞻性。在电子设备中，他们提出了用于高性能纳米级设备的独特电子性能，而在催化中，它们的出色表面积和反应性将其对许多化学反应的有价值的催化剂提供了支持，从而有助于可持续能量和环境修复。拓扑指数（TIS）是数值不变的，可提供有关给定分子图的分子拓扑的重要信息。这些指数在QSAR/QSPR分析中至关重要，并且在预测各种物理化学特征方面起着重要作用。在本文中，我们提出了用于计算Graphyne和GraphDiyne Nanoribbons的基于反向（RR）学位拓扑指数的公式，包括RR Zagreb索引，RR Hyper-Zagreb索引，RR Hyper-Zagreb索引，RR忘记了RR INDEX，RR ATOM键连接性指数和RR GEEMETEX和RR GEEMETIC INDEX，以及RR GEEMETIC INDEX。我们还执行图理论分析和比较，以证明至关重要的意义并验证获得的结果。我们的发现提供了对这些纳米管的结构和化学特性的见解，并有助于开发各种应用的新材料。
通过气相-液相-固相联合生长和边缘附着制备独立的大型超薄硒化锗范德华带
在 IV 族单硫族化物中，层状 GeSe 因其各向异性、1.3 eV 直接带隙、铁电性、高迁移率和出色的环境稳定性而备受关注。电子、光电子和光伏应用依赖于合成方法的开发，这些方法可以产生大量具有可控尺寸和厚度的晶体薄片。在这里，我们展示了在低热预算下，在不同基底上通过金催化剂通过气相-液相-固相工艺生长单晶 GeSe 纳米带。纳米带结晶为层状结构，带轴沿着范德华层的扶手椅方向。纳米带的形态由催化剂驱动的快速纵向生长决定，同时通过边缘特定结合到基面而进行横向扩展。这种组合生长机制能够实现温度控制的纳米带，其典型宽度高达 30 μm，长度超过 100 μm，同时保持厚度低于 50 nm。单个 GeSe 纳米带的纳米级阴极发光光谱表明，在室温下具有强烈的温度依赖性带边发射，其基本带隙和温度系数分别为 E g (0) = 1.29 eV 和 α = 3.0×10 -4 eV/K，证明了高质量 GeSe 和低浓度的非辐射复合中心，有望用于包括光发射器、光电探测器和太阳能电池在内的光电应用。