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摘要 - 环振荡器是集成电路的必要块,充当数字时钟生成器。该振荡器有几种进度技术。然而,最适当的环振荡器的拓扑选择需要对电气特征进行权衡的分析。本文介绍了两个拓扑之间的比较研究,以实施环振荡器。每个拓扑都使用特定的延迟单元格:CMOS逆变器或差分对放大器。目标输出频率为10.44 MHz,振荡器以130 nm的技术实现。拓扑是根据功率耗散,硅面积和制造过程变化的比较。电气模拟表明,逆变器环振荡器具有较小的功耗和较小的硅面积。在另一侧,差分放大器振荡器对过程变化的敏感性较小。这些结果可以帮助指导设计师确定适合集成电路设计中系统要求的最佳拓扑。索引项 - 逆变器,差分对,环振荡器,人体动作过程变化。
当频率与温度的要求过于严格而无法通过基本 XO(晶体振荡器)或 TCXO(温度补偿晶体振荡器)满足时,可使用 OCXO(恒温晶体振荡器)。使用 OCXO,当振荡器外部温度发生变化时,晶体和关键电路的温度会保持恒定。使用恒温器控制振荡器内部的温度可保持此恒定温度。在 OCXO 中,环境温度的变化会被感应到,然后反馈到恒温器控制器,该控制器会持续保持振荡器外壳内部的最佳温度。OCXO 可以将晶体的固有稳定性提高 5000 倍以上。恒温器控制系统并不完善,开环增益不是无限的,恒温器(振荡器)内部存在内部温度梯度,并且在传统恒温器中,恒温器外壳外部的电路会受到环境温度变化的影响,从而“拉动”频率。
交流信号源 - 振荡器 - 振荡器的选择 - 巴克豪森标准。音频振荡器(维恩电桥振荡器 - 相移振荡器) - 射频振荡器(考毕兹振荡器 - 哈特利振荡器) - 晶体振荡器。信号发生器 - 扫频发生器 - 脉冲和方波发生器 - 函数发生器 - 衰减器。谐波分析 - 波形频谱 - 使用傅立叶变换器的谐波失真分析。谐波分析仪器 - 谐波失真分析仪。波形分析仪 - 频谱分析仪。传感器 - 传感器的分类 - 传感器的选择 - 应变传感器 - 位移传感器 - 电容式传感器 - 电感式传感器 - 压电传感器 - 温度传感器 - 光电传感器。数据采集系统 - 信号调理电路 - 数模转换器和模数转换器。数据采集系统和计算机控制测量。
A variety of PNT sources (COTS GNSS) not steered to any external time-base Software to handle the real-time receipt and passing of messages to and from PNT sources Threat monitoring algorithms A monitor fusion engine to combine the outputs of those algorithms to aid in making decisions on the trustworthiness of the PNT sources A timing ensemble with steering to an oscillator to generate a计时1脉冲每秒(1pps)输出使用受信任的来源。RI扩展了先前的S&T进行的快速弹性评估测试床。
在这项工作中,我们提出了一种使用傅立叶变换红外光谱法(FTIR)来确定薄超级传导膜的中红外折射率。尤其是,我们在波长范围为2.5至25 µm的波长范围内对10 nm厚的NBN和15 nm厚的MOSI膜进行了FTIR传播和反射测量,对应于12-120 THz或光子的频率50-500 MEV。To extract the mid-infrared refractive indices of the thin films from FTIR measure- ments, we used the Drude-Lorentz oscillator model to represent the dielectric functions of the films and implemented an optimization algorithm to fit these oscillator parameters, minimizing the error between the measured FTIR spectra and the simulated spectra calculated using the dielectric func- tions of the films.为了评估提取的介电函数的一致性,我们比较了从紫外线中这些介电功能到近红外波长的折射率值与使用光谱椭圆法分别测量的值。为了进一步验证,我们从其提取的Drude振荡器参数中计算出膜的薄片电阻,并与实验值进行了比较。可以扩展这种基于FTIR的折射率测量方法,以测量超过25 µm的波长的薄膜的折射率,这对于设计高效的光子探测器和光子设备非常有用,在中型和远足波长中具有增强的光学吸收。
ISBN:9788120351424。 实际作业清单:1。 在带有和不进行引导的情况下,实现BJT Darlington发射器追随者,并确定增益,输入和输出阻抗。 2。 使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器,并根据其频率响应确定增益带宽产品。 3。 绘制JFET的转移和排水特性,并计算其漏极性,相互电导和扩增因子。 4。 设计,设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。 5。 绘制N通道MOSFET的转移和排水特性,并计算其参数,即;排水阻力,相互电导和扩增因子。 6。 设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。 7。 使用FET设计和设置RC相移振荡器,并计算输出波形的频率。 8。 使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路,并确定振荡的频率。 (a)哈特利振荡器(b)colpitts振荡器9。 设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率ISBN:9788120351424。实际作业清单:1。在带有和不进行引导的情况下,实现BJT Darlington发射器追随者,并确定增益,输入和输出阻抗。2。使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器,并根据其频率响应确定增益带宽产品。3。绘制JFET的转移和排水特性,并计算其漏极性,相互电导和扩增因子。4。设计,设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。5。绘制N通道MOSFET的转移和排水特性,并计算其参数,即;排水阻力,相互电导和扩增因子。6。设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。7。使用FET设计和设置RC相移振荡器,并计算输出波形的频率。8。使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路,并确定振荡的频率。(a)哈特利振荡器(b)colpitts振荡器9。设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率
DBT 封装 • 集成混频器/振荡器/PLL(顶视图) • VHF-L、VHF-H、UHF 3 频段本地振荡器 • RF AGC 检测器电路 • I 2 C 总线协议双向数据传输 • 高压调谐电压输出 • 四个 NPN 型频段开关驱动器 • 一个辅助端口/5 级 ADC • 晶体振荡器输出 • 可编程参考分频器比 (24/28/32/64/80/128) • 可选数字 IFOUT 和模拟 IFOUT • 待机模式 • 5V 电源 • 38 引脚薄型小外形封装 (TSSOP)