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基于Typha植物过滤器的沙子和砾石上的浸润 - 浸润处理
抽象的植物脱位是处理废水的最广泛使用的技术之一，这要归功于其设计的特定特征。这项研究的主要目的是使用大植物泻湖系统从Nouakchott的一次DIS Trict处理家庭废水。在治疗前后测量了几个物理化学参数。记录了生化氧需求（BOD 5），化学氧需求（COD）和悬浮固体（SS）的平均减排率，其逐渐可接受的值为26.57％，28.60％和59.45％。氮和磷酸正磷酸（P-PO 4）的治疗效率通常很低。通常，我们的结果表明，这种自然泻湖可以达到有机污染物的良好纯化效率，这表明净化植物在减少有机和颗粒物污染物载荷中的作用至关重要。以及实验设置中使用的各种底物的作用。
沿脱离系统的表面衍生的液体渗透通过同步花岗岩增强：铀矿化作为应用
摘要 - 支队是表面衍生的流体和岩石之间相互作用的特权区域，可能导致矿石沉积。然而，脱离的流体动力和特定的表面衍生液体达到地壳深度的方式仍然神秘。当由合成的花岗岩埋入引起的加热会增加流体的浮力，从而阻碍了它们的下降时，这个问题更加令人困惑。在这里，执行了2D水热数值模型。几何形状包括悬挂墙中的脱离和次要正常断层。灵敏度测试，以评估地形梯度，合成岩浆活性以及脱离与地壳之间的深度依赖性渗透性对比的影响。几个流动指示器，随着时间的流逝集成并与粒子跟踪结合，使我们能够突出流体循环的主要控制。我们的研究表明，表面衍生的流体在脱离区域中的内化可以通过深度的热源（例如同步型pluton）的存在来增强。次要断层是表面衍生的流体的主要渗透路径，使脱离脱离。这些断层之间已经发现了羽状热异常。岩浆入侵的动态渗透率，取决于亚果的温度，在空间和时间上重现了南部Armorican Variscan域中铀矿化的概念模型，该模型被用作示例。
先进渗透技术的开发与应用......
物理吸附是表征多孔材料最广泛使用的技术之一，因为它可靠并且能够在一种方法中评估微孔和中孔。然而，在表征无序和分层结构的多孔材料方面仍然存在挑战和悬而未决的问题。本研究引入了一个孔网络模型，旨在增强纳米多孔材料的结构表征。我们的模型基于 Bethe 晶格上的渗透理论，包括已知在毛细管冷凝和蒸发过程中导致中孔孔隙网络中吸附滞后的所有机制。该模型考虑了吸附过程中的延迟和起始冷凝以及解吸过程中的平衡蒸发、孔堵塞和空化。结合专用的非局部密度泛函理论 (NLDFT) 核，所提出的方法为模拟整个实验吸附-解吸等温线（包括解吸滞后扫描）提供了一个统一的框架。因此，该模型不仅揭示了有效连通性等关键的孔隙网络特性，而且还可以通过定量考虑孔隙网络效应来确定中孔材料的孔径分布。该方法的适用性在一组选定的纳米多孔二氧化硅材料上得到了证明，这些材料表现出不同类型的磁滞回线（类型 H1、H2a、H1/H2a 和 H5），包括有序中孔二氧化硅网络，即 KIT-6 二氧化硅、具有堵塞孔的混合 SBA-15/MCM-41 二氧化硅，以及两种无序二氧化硅孔隙网络，即分级中孔-大孔整料和多孔 Vycor 玻璃。对于所有材料，计算值和实验值之间的主要吸附和解吸等温线以及解吸扫描具有良好的相关性，从而可以确定关键的孔隙网络特性，例如孔隙连通性和孔径分布以及与孔隙网络无序性的影响及其对吸附行为的相应影响相关的参数。所提出的新型网络模型具有多功能性和丰富的纹理洞察力，可以实现以前无法实现的全面表征，因此将有助于进一步推进新型纳米多孔材料的结构表征。它有可能为设计和选择多孔材料提供重要指导，以优化各种应用，包括分离过程（如色谱法）、异相催化、气体和能量存储。
永恒通货膨胀的定向渗透率
虚假的永恒通胀可以描述为在弦真空网络上随机步行。在本文中，我们表明该问题可以自然地映射到定向渗透问题。映射依赖于两个通用且良好的近似值的过渡速率：（1）向下近似忽略“向上”过渡的近似值，因为这些近似通常会被指数置于指数抑制； （2）主要的衰减通道近似，该近似值是基于隧道率指数交错的事实。缺乏对字符串景观的详细知识，我们将真空网络建模为具有任意度分布的随机图，包括Erdös-r´enyi和无尺度图。作为一种补充方法，我们还将景观区域的区域建模为常规格子，特别是贝特晶格。我们发现，在我们以前的工作中提出的均匀概率有利于在定向渗透相变的景观区域。这增加了为物理可观察物的普遍统计分布的诱人前景，其特征是对基础景观细节不敏感的关键指数。我们用宇宙常数说明了这一点，并表明所产生的分布峰是小型正真空能的幂律，其关键指数由随机图普遍性类别唯一决定。
量子轨迹的微不足道，靠近定向的渗滤过渡
我们研究由统一门，投影测量和控制操作组成的量子电路，将系统带向纯净的吸收状态。随着这些对照操作的速率提高：测量引起的纠缠过渡，以及向吸收状态的定向渗透过渡（在这里被视为产品状态）。在这项工作中，我们分析表明，这些过渡通常是不同的，并且在达到吸收状态过渡之前，量子轨迹变得脱节，我们分析了它们的关键特性。我们介绍了一类简单的模型，其中每个量子轨迹中的测量值定义有效张量网络（ETN） - 最初时空图的亚图，在该图中发生了非平凡的时间演化。通过分析ETN的纠缠特性，我们表明纠缠和吸收状态过渡仅在有限的局部希尔伯特空间维度的极限下重合。专注于允许大型系统大小的数值模拟的Clifford模型，我们验证了我们的预测并研究了大型局部希尔伯特空间维度的两个过渡之间的有限尺寸的交叉。我们提供的证据表明，纠缠过渡由与没有反馈的混合电路相同的固定点约束。
微相分离有助于降低 MWCNT/嵌段聚合物复合材料的渗透阈值
抗静电材料2、电磁屏蔽3、压阻传感器4和形状记忆聚合物（SMP）材料。5,6聚合物和CNT的纳米复合材料的电导率随着纳米填料含量的增加而急剧增加，超过渗透阈值，该阈值被描述为在3D空间中形成互连接触导电网络的临界值。此外，通过加入CNT，聚合物的绝缘体-导体转变可以在低渗透阈值下实现，这取决于CNT的排列程度和单个CNT的均匀空间分布。尽管如此，由于纳米管之间的范德华相互作用引起的高电子离域性，MWCNT倾向于在液体或固体介质中形成团聚体和束。
量子比特丢失下的拓扑颜色编码的解析渗流理论
量子信息论与经典统计物理学有着密切的联系。例如，像表面和颜色代码这样的量子纠错码对量子比特丢失的容忍度与定义代码的晶格的经典渗透阈值有关。在这里，我们探索这种联系，以分析研究当应用 Vodola 等人 [ Phys. Rev. Lett. 121 , 060501 ( 2018 )] 中介绍的用于纠正量子比特丢失的协议时颜色代码的容忍度。该协议基于从代码、相邻量子比特以及这两个量子比特所在的晶格边中移除丢失的量子比特。我们首先通过分析获得协议从晶格中删除的边的平均分数 r ( p )，以纠正 p 比例的量子比特丢失。然后，逻辑信息受到保护的阈值 pc 对应于 p 的值，在该值下 r ( p ) 等于晶格的键渗透阈值。此外，我们证明，当且仅当丢失的量子比特集不包含任何逻辑运算符的全部支持时，逻辑信息才受到保护。这里给出的结果为分析理解拓扑量子误差代码中量子比特丢失的影响开辟了一条途径。