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我们研究由统一门，投影测量和控制操作组成的量子电路，将系统带向纯净的吸收状态。随着这些对照操作的速率提高：测量引起的纠缠过渡，以及向吸收状态的定向渗透过渡（在这里被视为产品状态）。在这项工作中，我们分析表明，这些过渡通常是不同的，并且在达到吸收状态过渡之前，量子轨迹变得脱节，我们分析了它们的关键特性。我们介绍了一类简单的模型，其中每个量子轨迹中的测量值定义有效张量网络（ETN） - 最初时空图的亚图，在该图中发生了非平凡的时间演化。通过分析ETN的纠缠特性，我们表明纠缠和吸收状态过渡仅在有限的局部希尔伯特空间维度的极限下重合。专注于允许大型系统大小的数值模拟的Clifford模型，我们验证了我们的预测并研究了大型局部希尔伯特空间维度的两个过渡之间的有限尺寸的交叉。我们提供的证据表明，纠缠过渡由与没有反馈的混合电路相同的固定点约束。
量子轨迹的微不足道，靠近定向的渗滤过渡
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