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用UV飞秒激光脉冲强烈激发Si和GE的相变动力学
半导体的飞秒激光处理已演变为成熟的高精度制造技术，从而实现了广泛的应用。最初大多数研究都采用了近乎红外波长的脉冲，但由于不同的激发条件，由于较短的光学渗透深度，因此使用紫外线激光脉冲的兴趣正在不断增加，从而导致分辨率提高。在这种情况下，为了理解和最终控制复杂的相变途径，需要对这种脉冲触发的相变的时间动力学进行基础研究。在这里，我们报告了一项详细的时间分辨研究，以使用单个400 nm，100 fs激光脉冲在中等和高激发方向进行辐照后，晶体硅和锗的相变动力学。为此，我们采用了FS分辨的光学显微镜，探头波长为800 nm，以研究辐照表面的反射率演变，范围从100 fs到20 ns，范围为100 fs。在中等激发的情况下，数据揭示了激光诱导的过程的整个序列，从产生自由电子等离子体，非热融化，消融和半透明消融层的膨胀层的扩展。在峰值流体的激发时超过30倍消融阈值，观察到异常的瞬态高反射率态，这可能表明了后坐压力诱导的液体 - 液相相变。 此外，在中度的辐射后，两种材料形成了70 nm厚的无定形表面层。超过30倍消融阈值，观察到异常的瞬态高反射率态，这可能表明了后坐压力诱导的液体 - 液相相变。此外，在中度的辐射后，两种材料形成了70 nm厚的无定形表面层。总体而言，我们的结果提供了有关FS-Pulse激发在近绿色波长范围内两种材料的最终状态的相关信息。
强化学习脉冲的Transmon Qubit纠缠大门
摘要量子计算机的效用高度取决于可靠执行准确的量子逻辑操作的能力。为了找到最佳的控制解决方案，探索无模型方法的质量不受量子处理器的理论模型的有限准确性的限制，这是特别感兴趣的，与许多既定的门实现策略相反。在这项工作中，我们利用一种连续的控制加强学习算法来设计纠缠两倍的门，用于超导量子。具体而言，我们的代理构建了交叉谐振和CNOT门，而没有任何有关物理系统的任何事先信息。使用固定频率固定耦合式旋转矩的模拟环境，我们证明了产生新型脉冲序列的能力，以胜过标准的交叉谐振门，同时保持了对随机单位噪声的可比敏感性。我们进一步展示了培训和输入信息中的增强，使我们的代理商可以使其脉冲设计能力调整以漂移硬件特性，但很少有几乎没有其他优化。我们的结果清楚地表现出了基于Transmon Gate Design的基于自适应反馈学习的优化方法的优势。
非屈光超类脉冲和光学“kârmãn涡流街”
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飞行甜甜圈Terahertz脉冲的量子控制
操纵光的多元特性的能力可以使光 - 物质的相互作用和轻度驱动式相互作用。在这里，使用量子控制，我们引入了一种方法，该方法能够以全面的方式操纵生成的光场的振幅，符号甚至配置。按照这种方法，我们证明了“飞翔的甜甜圈” Terahertz（THZ）脉冲的产生。我们表明，从动态环电流辐射出的单个循环THZ脉冲具有方位角极化的电场结构，并且空间和时间分辨的磁场具有强，孤立的纵向分量。我们将飞行甜甜圈脉冲应用于环境空气中水蒸气的光谱测量。脉冲将作为光谱，成像，电信和磁性材料的独特探针。
波长稳定的-9含量为9thulium掺杂的全纤维激光发射560 FS脉冲
实施需要相当复杂的装置，以便进行一般[3]以及Mir Light的检测[4]。相反，由于该波长可以直接从TM 3 +掺杂的活性二氧化硅纤维中获得，并由Ingaas光二极管检测到[5]，因此更容易访问2 µm频带。可以利用纤维激光系统的优势，包括它们对环境影响的可伸缩性和鲁棒性，我们开发了一种Thulium掺杂的纤维激光器（TDFL），可在1948 nm波长处进行560 FS长脉冲。使用各种可饱和吸收剂（SA）材料的模式锁定激光器，例如半导体SA镜（SESAMS）[6]，碳纳米管（CNTS）[7，8]或Graphene [9] [9]，都是良好的。这些材料非常有用，因为它们使模式锁定激光器
连续量子门的有效控制脉冲...
摘要 - 我们提出了一种通用方法，可以在校准少量参考脉冲后快速生成任何连续参数化的量子门集的高效果控制脉冲。我们发现，用于不同量子操作的优化对照脉冲之间插值不会立即产生高限度的中间操作。为了解决此问题，我们提出了一种方法来优化控制脉冲以提供良好的插值。我们选择了感兴趣的门家族中的几个参考操作，并优化实施这些操作的脉冲，然后迭代地重视脉冲以指导其形状，以使其形状相似，以与密切相关的操作相似。一旦对此参考脉冲进行了校准，我们可以使用直接的线性插值方法立即获得连续操作空间中任意门的高层脉冲。我们在两分门的三参数cartan分解上演示了此过程，以获得具有始终高填充性的任何任意两级栅极（直至单量子操作）的对照脉冲。与以前的神经网络方法相比，该方法是7.7倍，在计算上有效，以校准所有单量门门集的脉冲空间。我们的技术概括为任何数量的门参数，可以轻松地与先进的脉冲优化算法一起使用，从而可以更好地从模拟转换为实验。
补充说明 - 用激光加速的离子脉冲的硅缺陷工程
在补充图2中，我们与主要文本中图8的PL结果进行了补充，其中的SIMS深度剖面是碳，氧气和氢的样品，这些含量已接收了两种激光 - 离子脉冲。SIMS深度曲线是在PL光谱较早采集的样品中的同一区域中采用的。我们观察到质子辐照的G-中心横梁斑点区域外的质子辐射，该区域已被铝箔覆盖，A）。在碳浓度升高的区域中，我们看到的W-中心具有狭窄的线宽分布和G-Centers的分布扩展，b）。热预算和离子通量最高的区域显示W-Center合奏，线宽略有宽，c）。来自高通量区域（C）的SIMS轮廓的形状表明由于去角质的发作，表面粗糙度增加。
与the鼠激光脉冲的光电离心词
摘要通过极端超紫罗兰（XUV）attosecond激光脉冲对原子或分子的光电离，需要仔细考虑来自光电离过程导致的离子 +光电子纠缠程度。在这里，我们考虑通过the骨的attosent激光脉冲对中性H 2的光电离心引起的相干H 2 +振动动力学。我们表明，chi脚的激光脉冲导致离子 +光电子纠缠以及从纯状态到混合状态的过渡。这种过渡的特征是评估纯度，对于转换限制的attosent激光脉冲而言，它接近统一性，并降低到由在光电离过程中填充的振动态数确定的值，以增加chirp参数的值。在计算中，通过用短的超紫色（UV）激光脉冲计算H 2 +阳离子的时间延迟解离来探测振动动力学。独立于chirp的大小，可以通过记录XUV-UV延迟依赖性动能与随附的光电子的动能，从而恢复相干的振动动力学。
超短terahertz电磁脉冲的自旋来源
Terahertz（THz）辐射覆盖了约0.1至30 THz的范围。它在基础研究和未来应用中拥有巨大的希望，1,2，因为THZ频率范围与物质的所有阶段，即等离子体，气体，液体和固体相吻合。3，例如，THZ辐射可以共同引起传导 - 电子传输，等离子体，激子，库珀对，Phonons或镁元。4因此，THZ光谱是研究广泛材料中基本过程的强大工具。thz辐射不仅是一种探针：高振幅THZ来源的发展可以控制物质5-7的集体激发，例如8-11的磁铁中的磁子或驾驶phonons。目前，THZ电场在台式系统中达到1 mV/cm的峰值强度，并且在大规模用户设施（例如自由电子激光器）中超过10 mV/cm。17在激发脉冲激发时，最近观察到了物质的不同阶段（例如，拓扑，磁性和结构）之间的超快切换。8,18–25 THZ激发也可以与其他良好的实验探针（例如角度分辨光发射光谱，26个扫描隧道显微镜，27-29或X射线衍射）结合使用。30,31将THZ光谱与如此强大的
