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水文历史和洪水脉冲控制铁和硫代谢成分，与沿海湿地中库群岛实验中的温室气体产生相关性
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。这是该版本的版权持有人，该版本发布于2025年3月5日。 https://doi.org/10.1101/2025.03.03.03.641170 doi：Biorxiv Preprint
双重超快贝塞尔脉冲在玻璃中能量沉积的纳米级限制
超快激光脉冲在介电时的贝塞尔束在空间形状上形成，产生了高纵横比等离子体通道，其松弛会导致纳米渠道的形成。我们报告了纳米渠道钻孔效率的强烈增强，并通过双脉冲在10至500 ps之间的延迟隔开。这使直径降低到100 nm的纳米通道形成。实验吸收测量结果表明，钻井效率的增加是由于能量沉积的结果增加所致。纳米通道的形成对应于第二脉冲吸收的急剧变化，证明了第一个脉冲产生的相变发生。这会产生一个高度吸收的长期状态。我们的测量结果表明，它与第一个激光脉冲照明后<10 ps的时间尺度内发生的温暖玻璃的半度性化兼容。
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
磁脉冲可以使乳腺癌化疗更加......
新加坡国立大学 (NUS) 的研究人员发现，非侵入性磁脉冲可增强乳腺癌化疗的有效性，并可能减少患者的副作用。对癌细胞使用短暂的靶向磁脉冲可增加其对广泛使用的化疗药物阿霉素的吸收。新加坡国立大学健康创新与技术研究所首席研究员副教授 Alfredo Franco-Obregon 表示，随着更多药物进入肿瘤并使其缩小，留在体内循环中攻击健康细胞的药物就会减少，从而减少化疗常常导致的副作用。在实验室中接受 10 分钟的磁场照射也会将化疗药物的浓度降低一半。 “令人鼓舞的是，这种机制在低药物浓度下效果最强，使我们能够更有效地靶向癌细胞，同时减少化疗对健康组织的负担，”Franco-Obregon 教授说。虽然这种方法已经在实验室中得到证实，但新加坡国立大学癌症研究所的助理教授 Joline Lim（也是研究团队的一员）希望进行更多临床研究，以确定这些方法是否
薄玻璃切割中时间空气脉冲的效率
薄玻璃切割中的时间空气脉冲效率 Madalin-Stefan Radu、Cristian Sarpe、Elena Ramela Ciobotea、Bastian Zielinski、Radu Constantinescu、Thomas Baumert 和 Camilo Florian* *通讯作者电子邮件：camilo.florian@uni-kassel.de。这是以下文章的预印本：Radu、Madalin-Stefan、Sarpe、Cristian、Ciobotea、Elena Ramela、Zielinski、Bastian、Constantinescu、Radu、Baumert、Thomas 和 Florian、Camilo。 “时间艾里脉冲在薄玻璃切割中的效率” Zeitschrift für Physikalische Chemie，2024 年。最终认证和印刷版本可在线获取：https://doi.org/10.1515/zpch-2024- 0911 超短脉冲激光源是用于微和纳米加工大带隙介电材料的有用工具。这些脉冲的最大优势之一是能够达到高强度峰值，即使在对激光波长透明的材料中也能促进吸收。此外，如果修改脉冲时间分布，能量吸收可以烧蚀直径小、深度大的孔。在这项工作中，我们提出了初步结果，将三种类型的脉冲作为玻璃切割的前体：带宽受限（785 nm 时为 30 fs）、正色散和负色散时间艾里脉冲 (TAP)。所选材料为厚度为 170 μm 的钠钙玻璃，在不同激光能量和扫描速度下，以 1 kHz 的重复率在紧密（50 倍物镜）和松散（20 倍物镜）聚焦条件下进行刻划。激光加工后，使用自制的四点弯曲台通过机械应力对玻璃进行切割。我们分析了三种激光脉冲在表面和横截面上的刻划线质量以及断裂后所需的断裂力。我们报告称，与其他实施的脉冲相比，正 TAP 在玻璃样品上产生了整齐、平整的切割边缘。关键词：玻璃切割；超短脉冲激光；高纵横比结构；激光加工；时间脉冲整形；薄玻璃
材料表征中Attosend激光脉冲的前景和局限性
在许多领域学习材料的能力至关重要。随着技术的进步，现在可以详细研究原子化。本文在检查不同的反应时研究了两个因素，包括带宽和选择性。具体来说，它探讨了激光脉冲的持续时间如何影响研究过渡时能量和选择性的宽度。这是使用由Morlet小波建模的FEMTO-和ATTSOND脉冲的模拟完成的。然后将这些脉冲转换为傅立叶，以根据海森伯格的不确定性原理来分析该脉冲中所含能量的宽度。费米的黄金法则和电子结合能的表用于定性评估选择性。结果表明，1 FS脉冲对应于FWHM能量中的约1 eV，而A为脉冲对应于FWHM能量中约1000 eV。选择性在多个跃迁耦合时随着带宽的增加而，但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时，会改善。 状态的密度也会影响选择性；较高的密度降低了选择性，而较低的密度可以增强它。，但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时，会改善。状态的密度也会影响选择性；较高的密度降低了选择性，而较低的密度可以增强它。
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。