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纳米压印光刻用光刻胶
micro resist technology GmbH 自 1999 年以来一直为纳米压印光刻 (NIL) 提供量身定制的光刻胶配方。我们产品的独特关键特性是出色的成膜和压印性能以及出色的图案保真度和等离子蚀刻稳定性。我们的纳米压印光刻胶主要用作干蚀刻掩模，用于将图案转移到各种基板上，例如 Si、SiO 2、Al 或蓝宝石。
电子束光刻中的局部剂量分布和轮廓变化。
摘要 为了将利用电子束光刻技术制作的抗蚀剂图案应用于纳米压印模具，不仅需要考虑从曝光顶面二维观察到的线宽和孔径，还需要考虑包括抗蚀剂横截面形状在内的三维情况。在本研究中，我们关注图案内部的剂量分布和显影时间，并研究它们对抗蚀剂横截面形状的影响。采用曝光方法制作线宽为 100nm 的抗蚀剂图案，其中一条线内的总剂量相同，但一条线内的电子束扫描位置和次数会发生变化。通过电子散射模拟分析的剂量分布与解析后的图案侧壁形状之间的比较结果表明，在特定条件下，剂量分布和实际的抗蚀剂形状在 ±5nm 精度内相互一致。结果表明，即使整个图案的平均剂量相同，抗蚀剂侧壁的实际形状也会因取决于扫描位置和扫描次数的抗蚀剂中的局部剂量分布而改变。此外，我们通过观察不同显影时间下曝光后的抗蚀剂的显影过程，研究了抗蚀剂的分辨机理。结果表明，图案内部剂量的差异引起的显影速度差异对抗蚀剂的截面形状产生影响。本研究结果表明，抗蚀剂内部剂量分布和由此引起的显影速度差异对抗蚀剂截面形状有显著影响，这些参数有望在未来应用于所需截面形状的制作。
秘鲁的农业和农业综合企业业务和投资指南
Peru has been implementing the Strategic Multi-year Sectoral Plan in the Agrarian and Irrigation Sector 2024-2030, which establishes a number of measures such as improvement of productivity on farmland, and investment in resilient green and grey infrastructures — sowing and harvesting of water, restoration of ecosystems, technical irrigation systems, dams and terraces, that can resist or mitigate the effects of natural disasters like floods,干旱和滑坡。这些措施还包括开发灌溉项目，例如Chavimochic III（111,000公顷），Majes-Siguas II（38,500公顷），Chinecas（83,000公顷）和Chancay-Lambayeque（20,000公顷）。
B.Tech（ECE）第 6 学期第 3 单元 VLSI 技术（BEC-35）
4. “硬抗蚀剂”（抗蚀剂的化学惰性部分）应与基底或 PR 下面的层牢固结合。5. “软抗蚀剂”（PR 的化学活性部分）应易于从晶圆表面去除。
使用PARP抑制剂：文献综述
摘要多囊卵巢综合征（SOP）的特征是存在超卫，排卵功能障碍和卵巢尺寸增加，被认为是一种异质综合征。鉴于此，这项工作旨在在国家和国际文献中分析使用二甲双胍和肌醇在PCOS患者中使用二甲双胍和肌醇的安全性和有效性。这是在以下数据库中进行的集成综述：淡紫色； PubMed和Scielo。在这项研究中，现场研究和案例报告已包含在指导问题中，该问题可用于2018年至2023年以英语和葡萄牙语发表。论文，论文，专着，反思研究，社论，编辑和重复研究被排除在外。最后，分析了10篇文章，其中结果表明二甲双胍和肌醇都改善了PCOS女性的血糖控制和脂质谱，而与体重指数（BMI）无关。此外，二甲双胍在降低IMC> 25kg/m 2的女性的胰岛素水平方面比肌醇更有效。已经得出结论，二甲双胍和肌醇对SOP症状的治疗具有有益的影响。但是，发现很少有
e beam光电师PMMA，CSAR标准操作...
聚甲基丙烯酸酯（PMMA）抗性是在学术界和行业中用于高分辨率特征和升降应用的行业标准电子束抵抗。它也可以用于纳米印刷应用以及其他晶圆厂和研发过程，例如石墨烯薄片转移。CSAR是一种高科技抗电子光刻的抗性，它允许在微电子中实施高端应用，例如航空航天行业或高性能计算机。即使是小于10 nm的小结构，也可以通过这种抗性来实现。根据我们的实验室中的应用，使用电子束敏感的抵抗。电子束抗的例子是在氯苯，苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯甲酸苯酚或乙二醇溶剂中稀释的聚甲基丙烯酸酯PMMA。两种溶剂之间的差异有可能稀释至抗抗性的粘度。乙基酯通常用于抗抗性的较薄版本。在暴露过程中，在正音调的情况下，聚合物链会分解，从而导致开发后基质上的空区域。相反，具有负抗性的辐照面积是交叉连接/硬化的，因此开发人员不会攻击它 - 它将仅溶解未暴露的抗性。
辐射效率、对比度和...的测定
未来几年，我们将掌握临界尺寸在 30 纳米 - 150 纳米数量级的纳米电子和光子微结构。电子和离子光刻技术可以满足进一步电子设备小型化挑战的要求。定量估计光刻胶改性参数 [I] 是优化电子和离子光刻曝光以及相关的显影过程的重要一步。由于光刻胶层的聚合物分子发生交联或断裂，溶解率在辐照后会发生变化。经过适当溶剂（显影剂）的适当显影过程后，可以观察到光刻胶层中的浮雕微结构。在显影过程中，正光刻胶的辐照区域和负光刻胶的相反区域（未辐照区域）被去除。辐照点的溶解率变化取决于所使用的曝光剂量。聚合物光刻胶对辐射（电子束和离子束）的敏感度是通过曝光图像显影过程中的最小剂量 Do 来衡量的。光刻胶的敏感度由辐射粒子的辐射效率决定，辐射效率可以用吸收能量每单位（即电子伏特）的平均化学事件数（断链或破坏）来表征。在高分辨率电子束和离子束光刻领域，非常重要的一点是
儿童泌尿道感染
简介：泌尿道感染在小儿时期很常见。了解病因和局部耐药模式对于确定经验治疗至关重要。我们着手审查与泌尿道感染有关的病原体、局部耐药模式以及相应调整一线抗生素治疗的影响。方法：我们进行了一项横断面研究，其中包括 2019 年（第 1 组）和 2022 年（第 2 组）两个时期在北巴拉那州一家医院接受尿培养的儿科患者。在这两个时期之间，建立了内部临床行动方案，根据当地流行病学情况，建议使用头孢呋辛作为一线经验性抗生素治疗。对各组所鉴定的泌尿道病原体、各自的抗菌素耐药模式以及制定的经验性抗生素治疗进行了比较。结果： 第 1 组共确诊泌尿道感染 402 例，第 2 组共确诊 398 例。大肠杆菌 (E. coli) 是最常见的泌尿道病原菌 (79.4% - 83.3%)，其次是奇异变形杆菌和克雷伯菌属。在第 1 组中，最常选择的经验性抗菌药物是阿莫西林-克拉维酸盐 (AC)，而在第 2 组中则是头孢呋辛 (p < 0.001)。最常见的耐药性是氨苄西林（39.3% - 39.7%）。对 AC 的耐药性在各组之间没有表现出统计学上的显著变化（33.1% vs 27.4%，p = 0.079），对头孢呋辛（4.7% vs 3.3%，p = 0.292）和甲氧苄啶-磺胺甲恶唑 (TMP-SMX) 的耐药性（15.2% vs 14.1%，p = 0.659）也是如此。第 1 组和第 2 组之间对呋喃妥因 (9.0% vs 0.3%，p < 0.001) 和磷霉素 (1.7% vs 0.3%，p < 0.036) 的耐药性显著降低。结论：大肠杆菌仍然是儿科泌尿道感染的主要病原体。我们的样品的交流电阻很高（33.1％）。将一线经验性抗生素治疗从 AC 改为头孢呋辛，导致 AC 耐药性降低的趋势，而不会增加头孢呋辛耐药性。关键词：儿童；泌尿道感染/病因；泌尿道感染/微生物学；泌尿道感染/药物治疗；细菌耐药性