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... 使用数值分析对封装上 PCB 进行分析
摘要：本文利用有限元法（FEM）将PoP（Package on Package）用PCB分成单元和基板进行翘曲分析，分析层厚度对翘曲的影响，并利用田口法计算SN（信噪比）。分析结果显示，在单元PCB中，电路层对翘曲的贡献很大，其中外层的贡献尤其大。另一方面，基板PCB虽然电路层对翘曲的影响较大，但相对于单元PCB来说相对较低，阻焊剂的影响反而较大。因此，同时考虑单元PCB和基板PCB，PoP用PCB的逐层结构设计时，宜使外层和内层电路层较厚，顶层阻焊剂较薄，底层阻焊剂厚度在5μm~25μm之间。
结合热扫描探针光刻和干法...
图 1：灰度 t-SPL 与干法蚀刻的组合。电介质中灰度纳米图案放大工艺流程的横截面说明。（a）在薄电介质膜（在我们的例子中为 SiO 2 或 Si 3 N 4 ）上旋涂热敏抗蚀剂 PPA。（b）使用加热的纳米尖端在薄 PPA 层上制造二元和灰度纳米结构（有关纳米尖端的详细信息，请参阅补充图 S2）。（c）将纳米结构从 PPA 转移到 SiO 2 或 Si 3 N 4 。（d）通过深度放大将写入 PPA 中的纳米结构完全转移到电介质膜中。垂直峰峰深度放大（∆ z 电介质/∆ z 抗蚀剂）是由 CHF 3 /SF 6 等离子体中抗蚀剂和基板之间的蚀刻速率差异造成的。图像未按比例绘制。
壳聚糖作为 DUV 光刻的水基光刻胶
作为纳米加工的主要工艺，DUV 光刻通常需要在光刻胶配方、溶剂和显影剂中使用大量有毒化学品。在此背景下，提出了替代当前石油衍生光刻胶的化学品，以减少对环境的影响。壳聚糖是一种生物源光刻胶，通过用绿色溶剂（去离子 (DI) 水）替代，可实现不含有机溶剂和碱性显影剂的水基图案化工艺。本文介绍了使用壳聚糖基光刻胶进行图案化集成的最后一个分步过程。使用 CEA-Leti 的 300 毫米中试线规模的初步结果显示，图案分辨率低至 800 nm，同时等离子蚀刻转移到 Si 基板中。最后，通过生命周期分析 (LCA) 对基于壳聚糖光刻胶的整个工艺的环境影响进行了评估，并将其与传统的基于溶剂的工艺进行了比较。关键词：光刻、光刻胶、生物源、壳聚糖、水基、半导体、可持续性、LCA
高NA光刻
euv抗材料在启用高量制造（HVM）的高级光刻技术方面起着至关重要的作用，该技术针对低于5 nm的节点。在这项研究中，我们报告了对未来高NA EUV光刻术的可用EUV光孔师的广泛性能表征。，我们使用Paul Scherrer Institute和ASML合作的框架内使用EUV干扰光源工具（SLS）在瑞士光源（SLS）上调查了各种抵抗的性能。本文强调了我们在2023年观察到的主要改进，并提出了最佳性能的6种不同供应商的半票（HP）14及以下。本研究中考虑的重要性能特征是分辨率或HP，剂量到大小（DTS）和线宽度粗糙度（LWR）。为了评估抵抗的整体绩效，我们使用了z因子。我们研究了化学放大的抵抗（CAR）和非车材料。来自两个供应商的汽车达到了一个低至11 nm的分辨率，而多触发器抵抗（MTR）达到了13 nm的分辨率。新的金属有机抗（MOR）的分辨率低至11 nm。MTR和一辆汽车材料达到了迄今为止最低的Z因子。此外，我们研究了卧式对MOR性能的影响，并将新MOR的性能与前身进行了比较。，我们最终讨论了近年来抵抗性能的总体进展。我们观察到了几个抗性平台的稳定改善，这对于全球EUV抗性向高NA EUVL的发展令人鼓舞。
引用：Papakonstantinidis, S., Kwiatek, P., & Spathopoulou, F. (2024)。拥抱还是抵制？人工智能写作软件在学术和非学术环境中采用的驱动因素。当代教育技术，16 (2)，ep495。https://doi.org/10.30935/cedtech/14250
本研究调查了在专业环境中使用人工智能写作软件 (AIWS) 的观点，重点关注学术和非学术作家。这两个群体虽然通过采用 AIWS 可以提高生产力，但也对这项技术的广泛实施表示担忧。值得注意的是，人工智能 (AI) 写作技术对内容创作的影响是深远的，它能够快速生成语法准确的内容。然而，这种采用仍然存在争议。该研究采用定量方法，结合技术接受模型和新电脑游戏态度量表。这种方法使我们能够辨别使用人工智能写作工具的影响，同时考虑到不同使用领域的可能差异。通过对 219 名来自学术界和商界的参与者的调查，该研究探讨了使用 AIWS 的态度和意愿。研究结果揭示了非学术作家的准备情况以及采用 AIWS 的影响。商业和非学术专业人士将 AIWS 视为提高效率和内容质量的工具，而学术背景下的作家则对偏见、操纵和工作流失表示担忧。这项研究有助于加深对 AIWS 的理解，使开发人员、教育机构和内容创作者受益，并阐明了学者和专业人士之间不同的态度和年龄动态。这项研究强调了 AIWS 的多方面影响，为未来探索这一新兴领域以及行业和教育机构的实际应用奠定了基础。
BACUS-Newsletter-October-2022.pdf - 光掩模
压印光刻是一种有效且众所周知的复制纳米级特征的技术。纳米压印光刻 (NIL) 制造设备采用一种图案化技术，该技术涉及通过喷射技术将低粘度抗蚀剂逐场/逐场/逐次沉积和曝光到基板上。将图案化的掩模放入流体中，然后通过毛细作用，流体快速流入掩模中的浮雕图案。在此填充步骤之后，抗蚀剂在紫外线照射下交联，然后去除掩模，在基板上留下图案化的抗蚀剂。与光刻设备产生的图案相比，该技术可以忠实地再现具有更高分辨率和更大均匀度的图案。此外，由于该技术不需要大直径透镜阵列和先进光刻设备所需的昂贵光源，因此 NIL 设备实现了更简单、更紧凑的设计，允许将多个单元聚集在一起以提高生产率。
圣安妮塔公园[ - 2025 年 1 月 1 日 - 第 1 场比赛
9Nov24 1 DMR 5 2 Lita Way (Ayuso, Armando) 124 L b 2 7 5 1 1/2 5 1 1/2 5 1 1/2 4 1/2 1 1/2 2.90 bp brk,3-4w, 反弹,上涨 9Nov24 1 DMR 2 5 Benster (Dettori, Lanfranco) 124 L 5 4 4 1/2 4 1 4 1/2 3 Head 2 1 1.30* 等待第二个 trn,led,naild 2Jun24 8 SA 6 3 Danzig Til Dawn (Gonzalez, Ricardo) 124 L b 3 1 3 1 1/2 2 Head 3 1 1 1/2 3 2 1/4 12.40 bp brk,2-3w,led upper 1Dec24 2 DMR 5 1 G'oro (Orantes, Welfin) 119 L b 1 2 2 1 1 1 1 1 1/2 2 1/2 4 2 8.90 pull,ins,resist,wknd 23Nov24 6 DMR 5 4 Copperhead Fever (Carmona, Serafin) 119 L b 4 3 1 Head 3 1/2 2 Head 5 1 5 Head 17.40 duel,stalk,bid, wknd 14Dec24 2 LRC 6 6 Cheering for Layla (Herrera, Diego) 124 L 6 5 6 1 1/2 7 6 2 1/2 6 15 6 42 1/2 46.10 2w,ins,came out str 24Aug24 7 DMR 6 7 冬雪 (Berrios, Hector) 124 L 7 6 7 6 头部 7 7 7 2.80 位慢速、出血、均衡环境