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用于 EUV 抵抗的 Alucone MLD_A Ravi 等人 - NSF-PAR
随着光刻技术在缩小微电子设备方面的能力不断提高，对改进的光刻胶材料的需求也日益迫切，尤其是对于极紫外 (EUV) 光刻胶。在这项工作中，我们研究了一种称为“alucone”的 Al 基混合薄膜光刻胶的分子层沉积 (MLD)，这扩展了我们之前对 Hf 基混合薄膜“hafnicone”作为 EUV 光刻胶进行测试的研究。Alucone 在 100 ºC 下使用金属前体三甲基铝和有机前体乙二醇生长。与 hafnicone 一样，alucone 表现为负性光刻胶，可以分辨 50 纳米线宽，但初步数据表明 alucone 的线条图案比 hafnicone 的线条图案更清晰。使用 3 M HCl 作为显影剂时，铪酮的灵敏度为 400 μC/cm 2，而 alucone 的灵敏度则不太好（使用 0.125 M HCl 时为 4800 μC/cm 2）。我们对 alucone 的研究为 MLD 薄膜的结构特征提供了新的见解，从而可以实现所需的 EUV 响应行为。这一见解可能会加速用于电子束和 EUV 光刻的气相沉积无机光刻胶的开发。关键词：光刻胶、薄膜、极紫外 (EUV) 光刻、分子层沉积 (MLD)、原子层沉积 (ALD)、有机-无机混合材料
您不会用不好的沙拉赢得朋友！一种基因编辑方法，以增强黄瓜中的白粉病耐药性
农业面临的最大挑战之一在于找到策略，从而最大程度地减少因害虫和疾病而引起的农作物产量损失。白粉病（PM）是一种广泛的真菌疾病，影响了多种农作物。例如，在黄瓜（Cucumis sativus L.）中，PM可导致高达40％的损失（他等人2022）。各种研究的重点是鉴定有益于黄瓜育种计划的PM抗药性（PMR）基因（Liu等人2008）。 定量性状基因座（QTL）用于映射PMR的表征将霉菌抗性基因座8（CSMLO8）基因的破坏与黄瓜中的PM抗ANCE联系在一起。 然而，尽管CSMLO8的功能损失对于PMR是必不可少的，但这还不足以产生完全的阻力（Nie等人。 2015a，2015b; Berg等。 2015）。 耐PM的QTL还包含CSMLO家族的其他成员，指出超过1个CSMLO基因参与PM耐药性（Schouten等人。 2014）。 一项研究将MLO蛋白描述为钙调蛋白蛋白的钙通道蛋白（Gao等人 2022），表明钙信号传导与MLO介导的PM抗性有关。 但是，PM抗性的组成部分和机制均未完全理解。2008）。定量性状基因座（QTL）用于映射PMR的表征将霉菌抗性基因座8（CSMLO8）基因的破坏与黄瓜中的PM抗ANCE联系在一起。然而，尽管CSMLO8的功能损失对于PMR是必不可少的，但这还不足以产生完全的阻力（Nie等人。2015a，2015b; Berg等。2015）。耐PM的QTL还包含CSMLO家族的其他成员，指出超过1个CSMLO基因参与PM耐药性（Schouten等人。2014）。一项研究将MLO蛋白描述为钙调蛋白蛋白的钙通道蛋白（Gao等人2022），表明钙信号传导与MLO介导的PM抗性有关。但是，PM抗性的组成部分和机制均未完全理解。
EUV 光刻胶模型的解离光电离
从使用 248-193 nm (4.8-6.4 eV) 的深紫外 (DUV) 光刻技术转变为使用 13.5 nm (92 eV) 的极紫外 (EUV) 光刻技术，这意味着光与光刻胶薄膜相互作用的方式发生了根本性的变化。虽然 DUV 光通过共振激发选择性地激活光刻胶材料中的化学键，但 EUV 的高光子能量本质上会触发电离事件，但该过程仅具有较低的局部选择性。此外，初级光电离事件会导致光刻胶薄膜中发生复杂的辐射化学反应。为了设计适用于 20 nm 以下特征尺寸成像的强效 EUV 光刻胶材料，了解并最终控制用 EUV 辐射成像的光刻胶膜中的物理和化学过程至关重要。本文使用气相光电子光离子巧合 (PEPICO) 光谱研究了甲基丙烯酸叔丁酯 (TBMA) 的解离光电离，TBMA 是一种广泛用于化学放大光刻胶 (CAR) 聚合物的单体单元。通过只关注 EUV 光子与光刻胶相互作用的初始步骤，可以降低化学的复杂性，并获得如果没有这种孤立视角就无法获得的深刻基本见解。这些见解与进一步的补充实验相结合，是解密 EUV 光刻中的完整化学和物理过程的基本组成部分。
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电池可捕获能量并将其储存起来以备日后使用。电网形成转换器与电池相结合始终处于“电网形成”模式，这意味着它们本质上可以抵抗电网电压和频率的变化。这是我们为电网提供稳定性的另一种创新方式。
紧凑型滤芯过滤器和外壳 - 实验室用 -
1英寸测试过滤器特别推荐用于研发实验室应用。它们可广泛用于各种类型的流体，例如墨水、抗蚀剂和显影剂，应用范围广泛，从半导体、大电子和化学工业到一般工业应用。
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电池捕获能量并将其存储以供以后使用。 网格形成的转换器与电池结合总是以“网格形成”模式保持，这意味着它们固有地抵抗了电网上电压和频率的变化。 这是我们可以为网格提供稳定性的另一种创新方式。电池捕获能量并将其存储以供以后使用。网格形成的转换器与电池结合总是以“网格形成”模式保持，这意味着它们固有地抵抗了电网上电压和频率的变化。这是我们可以为网格提供稳定性的另一种创新方式。
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
02.008供应链尽职调查
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