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从使用 248-193 nm (4.8-6.4 eV) 的深紫外 (DUV) 光刻技术转变为使用 13.5 nm (92 eV) 的极紫外 (EUV) 光刻技术，这意味着光与光刻胶薄膜相互作用的方式发生了根本性的变化。虽然 DUV 光通过共振激发选择性地激活光刻胶材料中的化学键，但 EUV 的高光子能量本质上会触发电离事件，但该过程仅具有较低的局部选择性。此外，初级光电离事件会导致光刻胶薄膜中发生复杂的辐射化学反应。为了设计适用于 20 nm 以下特征尺寸成像的强效 EUV 光刻胶材料，了解并最终控制用 EUV 辐射成像的光刻胶膜中的物理和化学过程至关重要。本文使用气相光电子光离子巧合 (PEPICO) 光谱研究了甲基丙烯酸叔丁酯 (TBMA) 的解离光电离，TBMA 是一种广泛用于化学放大光刻胶 (CAR) 聚合物的单体单元。通过只关注 EUV 光子与光刻胶相互作用的初始步骤，可以降低化学的复杂性，并获得如果没有这种孤立视角就无法获得的深刻基本见解。这些见解与进一步的补充实验相结合，是解密 EUV 光刻中的完整化学和物理过程的基本组成部分。
EUV 光刻胶模型的解离光电离
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