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工程高 Q 值超导钽微波共面
图 4. (a) 三个硅基 CPW 谐振器的内部品质因数 (𝑄 𝑖) 与平均光子数 < 𝑛 𝑝ℎ > 的关系，散点图为测量数据，实线是基于公式 (4) 的拟合数据，误差线在每个数据点的顶部和底部用大写字母表示，(a) 40 nm Ta 在 𝑇= 77 mK。(b) 𝑓 𝑟 = 3.654 在三个不同温度下。(c) 80 nm Ta 在 𝑇= 44 mK 时和 (d) 100 nm Ta 在 𝑇= 40 mK 时。
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激光：激光原理 – 自发辐射和受激发射 – 爱因斯坦系数 – 粒子数反转和激光作用 – 光学谐振器（定性）- 激光类型 – Nd:YAG、CO 2 激光、GaAs 激光 – 激光的工业和医疗应用；光纤：光纤中光的原理和传播 – 数值孔径和接受角 – 基于材料的光纤类型、折射率分布、传播模式（单模和多模光纤）- 光纤衰减的定性思想 - 光纤的应用 - 光纤通信（示意图）、有源和无源光纤传感器、内窥镜
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硅光子学平台
美国专利 9759862 绝热/非绝热偏振分束器 美国专利 9748429 具有减少暗电流的雪崩二极管及其制造方法 美国专利 9740079 集成光学。具有电子控制光束控制的收发器 美国专利 9696492 片上光子-声子发射器-接收器装置 美国专利 9612459 带有微加热器的谐振光学装置 美国专利 9467233 功率计比率 稳定谐振调制器的方法 美国专利 9488854 高速光学相移装置 美国专利 9391225 二维 APD 和 SPAD 及相关方法 美国专利 9366822 具有同时电连接和热隔离的热光调谐光子谐振器 美国专利 9329413 高线性光学调制的方法和装置 美国专利 9268195 使用四波混频产生纠缠光子的方法和装置 美国专利 9268092 导波光声装置 美国专利 9261647在半导体波导和相关设备中产生应变 美国专利 9239431 通过热机械反馈实现谐振光学设备的无热化 美国专利 9235065 适用于差分信号的热可调光学调制器 美国专利 9128308 低压差分信号调制器 美国专利 9127983 用于控制工作波长的系统和方法 美国专利 9083460 用于优化半导体光学调制器操作的方法和设备 美国专利 9081215 硅光子加热器调制器 美国专利 9081135 用于维持光子微谐振器谐振波长的方法和设备 美国专利 9063354 用于稳健无热光子系统的被动热光反馈 美国专利 9052535 电折射光子设备 美国专利 8947764 高速光子调制器设计 美国专利 8822959 光学相位误差校正方法和装置 美国专利 8625939 超低损耗腔和波导散射损耗消除 美国专利 8615173 集成谐振光学装置波长主动控制系统 美国专利 8610994 具有减小的温度范围的硅光子热移相器 美国专利 8600200 纳米光机械换能器 美国专利 8027587 集成光学矢量矩阵乘法器 美国专利 7983517 波长可调光环谐振器 美国专利 7941014 具有绝热变化宽度的光波导装置 美国专利 7667200 热微光子传感器和传感器阵列 美国专利 7616850 波长可调光环谐振器
硅光子mems加载滤波器
引言硅光子学在过去几十年中已成为高性能光子集成电路（PIC）的成熟技术。标准化的硅光子技术平台受益于公认的制造工艺，基于CMOS Electronics Microfrication的体验，并助长了PIC设计师作为标准图书馆组件的大量高性能设备。中，基于光圈谐振器的附加电源过滤器已证明成功地在波长分层多路复用（WDM）电路中操纵光谱通道。标准硅光子平台中的主动加载过滤器通常会利用热形或等离子体分散效应。热控制的附加电源过滤器提供多种可调性（> 10 nm），但MS响应时间缓慢[1]。他们的高功耗和热串扰限制了可以集成在单个电路中的组件的数量。附加滤波器提供了NS响应时间，没有实质性的串扰[2]。然而，此类过滤器通常具有有限的调谐范围，并且由于组件的活性区域中的光子载体散射而导致过多的光学损失。最近，微机电系统（MEMS）技术已被认为是增强标准硅光子学的绝佳途径。好处包括低功率运行，大型指数可调性以及与标准硅光子平台制造过程的兼容性[3]。迄今为止，通过实现可移动的波导和环/磁盘谐振器[4] - [6]来实现硅光子磁极加载滤波器。尽管如此，此类先前的演示需要定制的光子技术。
非凡的透明度 - 特征毫米波...
a）应向其通信的作者：ll886@cornell.edu摘要用于毫米波电源应用，GAN高电子移动晶体管（HEMTS）通常在高纯度半胰岛的C轴c-轴4H-SIC 4H-SIC substrate上表现出现。对于这些各向异性六边形材料，微带和共浮标互连的设计和建模都需要详细了解普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||分别垂直于c轴。但是，常规的介电特性技术使得很难测量ε||单独或分开ε||来自ε⊥。结果，ε||几乎没有数据，特别是在毫米波频率下。这项工作演示了表征ε||的技术使用底物集成的波导（SIWS）或SIW谐振器的4H SIC。测得的ε||从110 GHz到170 GHz的七个SIW和11个谐振器中，在10.2的±1％以内。因为可以将SIW和谐振器与Hemts和其他设备一起在相同的SIC基板上制造，因此可以在磁力上方便地测量它们，以进行精确的材料磁盘相关性。这种介电常数技术可以扩展到其他频率，材料和方向。高纯度半胰岛六轴六边形4H SIC 1通常用作通过微带传输线（微一起）或接地的Coplanar saveguides（GCPWS）相互连接的毫米波GAN高电动型晶体管（HEMTS）的底物。1）。尽管“静态”ε⊥和ε||这需要精确了解SIC在毫米波频率下的电渗透率，以准确预测沿传输线的波浪的传播延迟和衰减。例如，在微带或GCPW上行进的准电磁（准TEM）波由普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||控制。分别垂直和平行于C轴（图
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