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88702 SIC 68320 - NKT 学院
信息是一项重要资产。您掌握的信息越多，您就越能适应周围的世界。在商业领域，信息通常是公司拥有的最重要的资产之一。组织通常会选择部署更多资源来控制敏感度更高的信息。组织以不同的方式对信息进行分类，以便以不同的方式管理信息处理的各个方面，例如标签（页眉、页脚和水印是否指定应如何处理）、分发（谁可以看到它）、复制（如何制作和处理副本）、发布（如何向外部人员提供）、存储（保存位置）、加密（如果需要）、处置（无论是粉碎还是强力擦除）以及传输方法（例如电子邮件、传真、打印和邮寄）。公司可能拥有机密信息，例如研发计划、制造流程、战略公司信息、产品路线图、流程描述、客户名单和联系信息、财务预测和收益公告，这些信息旨在根据需要供内部使用。机密信息的丢失或被盗可能会侵犯个人隐私、降低公司的竞争优势或对公司造成损害。专业信息或秘密信息可能包括商业机密，例如配方、生产细节和其他知识产权、描述如何提供服务的专有方法和实践、研究计划、电子代码、密码和加密密钥。如果泄露，这类信息可能会严重损害公司的竞争优势。它通常仅限于公司内部的少数人或部门，很少在公司外部披露。丢脸：案例研究 Egghead Software 是一家著名的软件零售商，它在 2000 年发现互联网攻击者可能从其网站窃取了多达 370 万个信用卡号，这些信用卡号存放在一家安全性不佳的电子商务服务提供商的异地。这一信息很快成为新闻，结果 Egghead 的企业形象不仅被玷污了，而且被摧毁了。客户纷纷离开。媒体的报道毁了公司的声誉。 Egghead 的股价和销售额急剧下降。随后采取了包括裁员在内的削减成本措施。连锁反应最终导致 Egghead 破产并被 Amazon.com 收购。b. 解释用于构建安全程序的各种组件。
SiC 上的低载流子密度外延石墨烯器件
石墨烯是第一种真正的二维材料，[1] 是形成简单六边形晶格的单层碳。剥离的石墨烯薄片表现出了高迁移率和异常量子霍尔效应 (QHE) 等显著的电学特性，引起了人们对其在许多实际应用中的极大兴趣。[2–5] 然而，由于剥离的石墨烯薄片的尺寸限制（通常高达几十微米），石墨的机械剥离无法提供适用于商业晶圆尺寸电子器件或精确电阻计量的石墨烯。当 SiC 衬底在超高真空或惰性气体氛围中以高于 1000°C 的温度退火时，Si 升华后碳会残留在 SiC 表面并重新排列形成石墨烯层。这种外延石墨烯 (EG) 已准备好用于大规模器件制造，无需转移到另一个绝缘基板上。在六边形 SiC 晶片的硅端面 (Si 面) 上生长的石墨烯由于与 SiC 晶体的方位角取向一致，可以形成大域。与在相反 (碳) 面上生长的石墨烯相比，在 Si 面上，EG 还具有更可控的生长动力学。最近，通过优化
可以用SIC XL收发器出现在HVSON8软件包
CAN SIC XL物理培养基附件（PMA）Sublayer在ISO 11898-2：2024中是国际标准化的。最初，在CIA 601-4（SIC）和CIA 610-3（快速模式）文档中指定了CAN SIC XL收发器的要求，该文档已提交给ISO。NT156收发器的原型已通过CAN SIC XL收发器从Infineon，NXP和Texas Instruments在CIA CAIS CAN CAN CAN CAN CAN CAN XL Plugfest进行了成功测试。兼容性和互操作性也由沃尔芬布特尔（德国）的独立测试室C＆S组测试。汽车EMC要求（IEC 62228-3）已由伊比（Ibee）在Zwickau（德国）证明。博世在去年慕尼黑（德国）的Electronica TradeShow上推出了CAN SIC XL收发器。样品将在2025年2月2日提供。根据ISO 26262（功能安全）开发芯片。根据初步数据表，NT156在隐性总线状态10 mA中以正常模式消耗，在占主导地位的总线状态54 mA中。在待机模式下，电流消耗为2 µA。用50 µs指定从备用模式到正常模式的过渡。收发器的目的是从-40°C到+150°C的连接温度。在+170°C和+200°C之间，芯片关闭，并在+150°C下释放关闭。关闭连接温度滞后是20K。最小TXD主超时为0.8 ms。芯片在V CC和V IO引脚处具有欠压检测。
88702 SIC 68320 - NKT 学院
信息是一项重要资产。您掌握的信息越多，您就越能适应周围的世界。在商业领域，信息通常是公司拥有的最重要的资产之一。组织通常会选择部署更多资源来控制敏感度更高的信息。组织以不同的方式对信息进行分类，以便以不同的方式管理信息处理的各个方面，例如标签（页眉、页脚和水印是否指定应如何处理）、分发（谁可以看到它）、复制（如何制作和处理副本）、发布（如何向外部人员提供）、存储（保存位置）、加密（如果需要）、处置（无论是粉碎还是强力擦除）以及传输方法（例如电子邮件、传真、打印和邮寄）。公司可能拥有机密信息，例如研发计划、制造流程、战略公司信息、产品路线图、流程描述、客户名单和联系信息、财务预测和收益公告，这些信息旨在根据需要供内部使用。机密信息的丢失或被盗可能会侵犯个人隐私、降低公司的竞争优势或对公司造成损害。专业信息或秘密信息可能包括商业机密，例如配方、生产细节和其他知识产权、描述如何提供服务的专有方法和实践、研究计划、电子代码、密码和加密密钥。如果泄露，这类信息可能会严重损害公司的竞争优势。它通常仅限于公司内部的少数人或部门，很少在公司外部披露。丢脸：案例研究 Egghead Software 是一家著名的软件零售商，它在 2000 年发现互联网攻击者可能从其网站窃取了多达 370 万个信用卡号，这些信用卡号存放在一家安全性不佳的电子商务服务提供商的异地。这一信息很快成为新闻，结果 Egghead 的企业形象不仅被玷污了，而且被摧毁了。客户纷纷离开。媒体的报道毁了公司的声誉。 Egghead 的股价和销售额急剧下降。随后采取了包括裁员在内的削减成本措施。连锁反应最终导致 Egghead 破产并被 Amazon.com 收购。b. 解释用于构建安全程序的各种组件。
SIC MOSFET微型探索是由于单个事件倦怠
此材料的间隙允许减少设备尺寸，权重和切换损耗[2]。此外，SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用，例如用于核应用的电源开关（空间，航空，核反应堆和军事）。然而，尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET，但其对空间应用的采用却很少见[3]，[4]。尽管SIC材料具有稳健性，但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠（SEB）[7] - [10]，单事件门破裂（SEGR）[11]，[12]和单个事件泄漏电流（SELC）[13]敏感。在SIC MOSFET中，由于极端的内部漏极到通过SIC源电场，不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB，主要粒子（作为中子，质子或离子）会对设备产生影响，因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子，电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍，因此SIC中的功率密度高100倍，并触发冲击电离。强烈的局部局部，因此高密度电流会产生热瞬态和失控，从而导致灾难性失败。在本文中，对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14]，[15]，[15]，[15]，[15]，能量转移（LET）[8]，设备技术[7]，偏置电压（V DS和V GS）[16]，[17]的影响。先前的研究表明，由于MOSFET漂移层中电场的增加，SEB灵敏度随施加的漏气偏置（V DS）而增加[16]，[17]。在[18]中，作者提出了损害类型（氧化物潜在损害，降解，晶体潜在损害和SEB）类型的地图，作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部，对于未表现出SEB的质子辐照的设备，在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子，在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后，SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图，在每个步骤中介绍了结果，分析和风险评估（用于成功分析）。在分析电I-V特性后，用能量分散性X-射线光谱法（EDX）进行了扫描电子显微镜（SEM）研究，揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析，制定了微探索的解释。
集成 SiC 平台中的纠缠光子对生成
摘要：纠缠在量子信息处理中起着至关重要的作用。由于其独特的材料特性，碳化硅最近成为可扩展实现先进量子信息处理能力的有希望的候选者。然而，迄今为止，在碳化硅中仅报道了核自旋的纠缠，而纠缠光子源，无论是基于块体还是芯片级技术，仍然难以捉摸。在这里，我们首次报告了集成碳化硅平台中纠缠光子源的演示。具体而言，通过在4H绝缘体上碳化硅平台中的紧凑微环谐振器中实现自发四波混频，在电信C波段波长处有效地产生强相关的光子对。在泵浦功率为 0 时，最大巧合与意外比率超过 600。17 mW，对应的成对率为 ( 9 ± 1 ) × 10 3 对/秒。针对此类信号-闲置光子对创建并验证了能量-时间纠缠，双光子干涉条纹的可见度大于 99%。还测量了预期的单光子特性，预期的 𝑔 ( 2 ) ( 0 ) 约为 10 − 3 ，表明 SiC 平台有望成为量子应用的完全集成、CMOS 兼容的单光子源。
![b"10 By contrast, from expressions (10) and (11), the distribution of the markup conditional on the lowest cost is Pr[ C (2) /C (1) \xe2\x89\xa4 m | C (1) = c 1 ] = 1 \xe2\x88\x92 exp \xe2\x88\x92 ( m 1 /\xce\xb8 \ XE2 \ x88 \ x92 1）\ xce \ xa6 c \ xce \ xb8 1。在单元持续货物上的技术异质性的指定\ XAC \ XAC \ x81cation，此后广泛使用了这种方法。”](/simg/g:\will\search\icon\source\9\9c2c8168d59325fba7eb6340018645c03defe9fa.webp)
b"10 By contrast, from expressions (10) and (11), the distribution of the markup conditional on the lowest cost is Pr[ C (2) /C (1) \xe2\x89\xa4 m | C (1) = c 1 ] = 1 \xe2\x88\x92 exp \xe2\x88\x92 ( m 1 /\xce\xb8 \ XE2 \ x88 \ x92 1）\ xce \ xa6 c \ xce \ xb8 1。在单元持续货物上的技术异质性的指定\ XAC \ XAC \ x81cation，此后广泛使用了这种方法。”
硅碳化物是量子技术的新兴平台，可提供晶圆量表和低成本的工业制造。该材料还具有长度连贯性时间的高质量缺陷，可用于量子计算和传感应用。使用氮气接种中心的集合和XY8-2相关光谱方法，我们证明了以〜900 kHz为中心的人工AC场的室温量子传感，光谱分辨率为10 kHz。实施同步读取技术，我们将传感器的频率分辨率进一步扩展到0.01 kHz。这些结果铺平了碳化硅量子传感器的第一步，朝着具有多种实际应用在医学，化学和生物学分析中的实用应用。
基于 SiC MOSFET 的高效交错升压...
摘要 碳化硅 (SiC) MOSFET 属于宽带隙器件家族，具有低开关和传导损耗的固有特性。SiC MOSFET 在较高工作温度下的稳定运行引起了研究人员对其在高功率密度 (HPD) 功率转换器中的应用的兴趣。本文介绍了基于 SiC MOSFET 的两相交错升压转换器 (IBC) 的性能研究，用于调节多电飞机 (MEA) 中的航空电子总线电压。已经开发了 450W HPD、IBC 进行研究，当由 24V 电池供电时，可提供 28V 输出电压。提出了一种 SiC MOSFET 的栅极驱动器设计，可确保转换器在 250kHz 开关频率下运行，降低米勒电流和栅极信号振铃。峰值电流模式控制 (PCMC) 已用于负载电压调节。将基于 SiC MOSFET 的 IBC 转换器的效率与 Si 转换器进行了比较。实验获得的效率结果表明，SiC MOSFET 是重负载和高开关频率操作下的首选器件。关键词：高功率密度 (HPD)、交错升压转换器 (IBC)、多电飞机 (MEA)、峰值电流模式控制 (PCMC)、碳化硅 (SiC)
未来一代 MOSFET 的电介质/SiC 接口展望
Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Aaniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，BRETT HULL1，BRETT HULL1，C SCOTT HULL1，C，C，C，C，SCOTT ALLEN1，D. U1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Hull1，C，Scott Allen1，d和John W. John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A* Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1,d，以及 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*，Sei-Hyung Ryu1,b，Brett Hull1,c，Scott Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，B，Brett Hull1，C，Brett Hull1，C，Scott Hull ，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D，D，D。 Our1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和约翰·W·帕尔默1,e
英国SIC Alignment Update Caper
英国脱欧之后的行业分类（SIC）。所有经济活动的国际标准工业分类（ISIC）最初是在2022年6月提交给国家统计学家的经济统计标准（NSCASE）建议（NSCase（22）02）的，并于2022年10月进行了另一项更新（NSCASE（NSCASE（22）03）。国家统计局（ONS）是准备一项咨询过程，以收到关键利益相关者对分类变化影响的反馈。公众咨询将主要针对统计用户，但还将包括来自英国各地的更广泛的分类用户。咨询旨在了解用于统计目的进行分类系统修订的对用户的影响。