转置数组 >>> i = np.transpose(b) 排列数组维度 >>> i.T 排列数组维度 更改数组形状 >>> b.ravel() 展平数组 >>> g.reshape(3,-2) 重塑,但不更改数据 添加/删除元素 >>> h.resize((2,6)) 返回形状为 (2,6) 的新数组 >>> np.append(h,g) 将项目附加到数组 >>> np.insert(a, 1, 5) 在数组中插入项目 >>> np.delete(a,[1]) 从数组中删除项目 合并数组 >>> np.concatenate((a,d),axis=0) 连接数组 array([ 1, 2, 3, 10, 15, 20]) >>> np.vstack((a,b)) 垂直堆叠数组(按行) array([[ 1. , 2. , 3.], [ 1.5, 2. , 3.], [ 4. , 5. , 6. ]])>>> np.r_[e,f] 垂直堆叠数组(按行) >>> np.hstack((e,f)) 水平堆叠数组(按列) array([[ 7., 7., 1., 0.], [ 7., 7., 0., 1.]])>>> np.column_stack((a,d)) 创建堆叠的按列数组 array([[ 1, 10], [ 2, 15], [ 3, 20]]) >>> np.c_[a,d] 创建堆叠的列式数组 拆分数组 >>> np.hsplit(a,3) 在第 3 个索引处水平拆分数组 [array([1]),array([2]),array([3])] >>> np.vsplit(c,2) 在第 2 个索引处垂直拆分数组 [array([[[ 1.5, 2. , 1.], [ 4. , 5. , 6.]]]), array([[[ 3., 2., 3.], [ 4., 5., 6.]]])]
和10 4 cm 2 V 1 S 1在室内和液形温度4处,以及通过静电门控,7和异常的光致发光对电子的一维量化,主要是从基础平面上极化。6可以将它们合并到PTMC/PTMC/PTMC/TMD分层材料异构结构(LMHS),具有II型带对齐方式,允许在互惠空间中直接进行光学过渡,8,并且可以在繁华的发射能量中选择更大的发射能量,从而在繁华的范围内进行了繁华的范围,从而在繁华的范围内进行了广泛的范围。gase和Inse晶体是各向异性LMS,包括由范德华力堆叠在一起的共价粘结层。每一层由四个原子平面(SE - GA - GA - SE或SE - IN - IN - in - in - SE)组成,在六边形原子晶格中排列,图。1a和b。在批量生产中,这些层可以堆叠在不同的订单中:属于D 4 6 H空间组的六角形B-结构,属于D 1 3 h空间组或rhombohedral G结构属于D S 3 V空间组的Hexagonal 3结构。9然而,最常见的多型型为3阶,一个含有8个原子和两个层厚的单元池,厚,5和g -inse,一个单位细胞延伸超过3层,包含12个原子。6
• FEOL 采用现成的代工工艺制造集成电路 • BEOL 采用 SoP 制造,具有超薄、灵活和背面功能 • 包括精密电阻器、电容器、电感器 • 能够包含灵活的光子硅波导(美国专利 9,733,428) • 堆叠金属层之间的高密度互连 • 精确的尺寸公差简化了 IC 键合和连接 • 半导体材料与硅 IC 的 CTE 相匹配 • 顶部和底部表面均具有高密度互连
小组被引导讨论关键的土地使用主题。鼓励参与者在印刷的地图上标记他们希望看到变化的地方。演示中的最终地图和笔记后来被用于分析趋势和规划方向,这些趋势和方向总结在右侧的合成地图中。每个叠加的形状代表一个小组的想法。有几个区域有堆叠的形状,代表来自几个小组的相应想法。
补丁架构。。。。Circull,Feed Dual,E5A/L5增益。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。-1.5 dbic typ。在Zenith B2/E5B/G3增益处。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3.0 dbic typ。和Zenith L2增益。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4.0 dbic typ。和Zenith G2增益。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1.5二BIC典型。在Zenith E1增益处。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4.0 dbic typ。在Zenith L1增益。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4.0 dbic typ。Zenith G1增益。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。2.5型DBIC典型。以Zenith轴向比率 @ Zenith
可再生能源以取代常规能源,为气候变化缓解计划做出贡献并实现能源独立性。储能系统是可持续能源系统不可或缺的一部分。目前,储能系统大多依赖于锂离子电池,这些电池价格昂贵,不环保且易燃。因此,正在开发更安全,更便宜,更环保的电池。水电池是锂离子电池的有前途的替代品,但是由于水的电化学稳定窗口狭窄,其能量密度较低[1]。因此,设计了双极NA-ion电池,导致电池和能量密度的电压增加[2]。在这项工作中,钒钛钠(NVTP)用作阳极和阴极,用于形成对称双极NVTP | NVTP硬币类型细胞。使用两层和三个堆叠层组装二极电池,以达到3.6 V的电压。此外,还使用并研究了两个不同组合物的电解质。在图1中。NVTP的电静态电荷排出循环的结果|提出了包含2和3个堆叠层的NVTP硬币类型细胞。可以观察到快速淡出的淡出,这主要是由于破坏和寄生反应问题。双极NVTP的库仑效率,能力保留和自我释放时间|比较了NVTP电池。
在过去的几十年中,互补的金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化核(CMOS)技术一直是现代综合电路发展的推动力。增强栅极静电控制以提高对短通道效应(SCE)的免疫力(尤其是在积极缩放晶体管技术的发展中)的关键策略。这包括开发高等效氧化物厚度(EOT)缩放的高κ /金属门技术,以及超薄体,鳍和堆叠的纳米片通道晶体管;在3 nm技术节点1之外,半导体工业(遵循FIN场效应晶体管技术)目前正在采用堆叠的纳米表晶体管。要进一步扩展长度尺寸并保持良好的驱动电流,至关重要的是抑制SCE。可以使用增加数量的薄堆积通道来实现这一目标。然而,常规半导体晶体管的性能迅速降低到硅的3 nm厚度低于3 nm的厚度,而INGAAS的性能降低了10 nm。二维(2D)半导体是一种替代通道材料,与传统的半导管相比,单层厚度和单层厚度较高,在单层厚度上具有更高的迁移率。但是,2D材料缺乏高品质的大区域CMOS兼容生长技术。也很难在其范德华表面形成介电。此外,这些材料很难浓缩,并且在Schottky金属/半导体触点处引起的高接触分析。特别是原子层氧化物半导体,尤其是无定形im-gallium-Zinc氧化物(Igzo) - 用于平面晶体管(TFTS)中的半导体通道材料(用于平面式式施用应用程序12)。但是,尽管是高批量制造的成熟技术,但氧化物半导体很少被视为用于缩放高性能晶体管的Channel材料。这是由于它们的低电荷载流子迁移率约为10 cm 2 v -1 s –1,并且在质量生产中使用时,它们通常需要多达几十纳米的通道厚度13。然而,对于单一三维(3D)整合应用14-21的CMOS后端(BEOL)中氧化物半导体晶体管的使用引起了兴趣。
每个存储单元包含 192 个水胶囊,它们可以结冰和解冻,从而储存和释放热能。释放热能的同时,建筑物也得到了冷却。模块化冰能存储系统在非高峰时段或可再生能源过剩时充电,并在高需求时放电。这种抵消可以减轻电网压力并降低成本。模块化设计具有灵活性。单元可以堆叠并放置在未使用的空间中,包括地下室、平铺在屋顶上或沿着墙壁和停车场的周边。
Eurotronics 提供高度先进的印刷电路板技术,满足每位客户的独特需求。除了标准 (HDI) 印刷电路板技术外,Eurotronics 还顺应了市场对小型化的持续趋势:印刷电路板越来越薄,集成度越来越高。我们提供先进的功能,从使用铜填充堆叠微通孔的超细线生产到超薄基材的加工,再到结合装订机和窗口技术的复杂刚柔结合基板的制造。
•原则上,用于固态电池的各种电池设计。上面的图表示意性地显示了带有混合阴极和纯锂金属阳极的固态电池的基本结构。•在全稳态电池内,可渗透对离子的固态电解质充当阴极和阳极之间的空间和电气分离器。这也是两个电极之间绝缘分离器的功能。•使用固体电解质还提供了双极堆叠的可能性,这是由单个单细胞的串行连接来定义的。•取决于堆叠的单子弹的数量,明显更高