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掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
Moiré修饰的带隙和van Hove奇异性曲折
二维拓扑绝缘子的扭曲双层有可能创建物质的独特量子状态。在这里，我们成功地合成了GE 2 pt（101）上的Germanene扭曲的双层，其扭曲角度为21.8 o，对应于相应的（√7×√7）结构。使用扫描隧道显微镜和光谱法，我们揭示了该构型的结构和电子特性，揭示了MoiréSoded的带隙和明确定义的边缘状态。该带隙在AB/BA堆叠的位点打开，并在AA堆叠的位点关闭，这是扫描隧道显微镜尖端引起的电场所归因的现象。我们的研究进一步揭示了-0.8 eV和+1.04 eV的两个van Hove奇点，导致（8±1）×10 5 m/s的费米速度。我们的紧密结合结果揭示了独特的量子状态，其中可以通过电场调节拓扑特性，从而可能触发两个拓扑相变。
材料工程的Simcenter 3D
关键功能•自动微观结构生成工具，以生成微观结构模型的几何形状和网格，包括连续纤维，切碎的纤维，切碎的纤维，颗粒物，空隙，（堆叠）织物，（堆叠）织物，包括不同夹杂物，层压板的组合，以及从第三部分工具等进口，以及进口
用户手册Travelbus 2合1分析仪（协议与逻辑）
TravelBus可以用急性DSO作为MSO堆叠，但仅在逻辑分析模式下。在协议分析模式下，用户必须打开显示波形并捕获数据，然后将触发设置转换为逻辑分析模式，以用示波器堆叠。提取数据后，选择转换为逻辑分析和
分析不对称连接中的On-Off电流比...
当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时，研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势，但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差，栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点，使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的，阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的，以获取循环。结果，该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加，开关电流比率增加，但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率，但TIO 2（K = 80）的On-Own电流比增加到10 7或更多。
受乐高启发，使用微小的 3D 骨骼和软组织修复......
“我们正在申请专利的支架使用起来非常简单；它可以像乐高积木一样堆叠在一起，并以数千种不同的配置放置，以适应几乎任何情况的复杂性和规模，”领导该技术开发、俄勒冈健康与科学大学牙科学院副教授和俄勒冈健康与科学大学医学院生物医学工程副教授 Luiz Bertassoni 博士说道。
TenneT 对电池储能系统 (BESS) 的立场
* 电池所有者或拥有电池资产的投资组合所有者可以通过利用不同的细分市场来优化收入：“堆叠”一词是指从不同的市场和服务创造价值。但请注意，签订（例如）FCR 或 FRR 合同意味着在合同期间不可能利用 BESS 交付其他产品
Hopg耐力电离辐射
仅由碳原子组成，这些碳原子以六角形形状排列，高度定向的热解石墨（HOPG）属于层状材料。与原子平行和堆叠层排列的原子具有结晶结构，其特征在于其高度的三维顺序（类似于此，但以二维形式组织，称为石墨烯），换句话说，
芯片互连测试与维修
征集参与第一届 IEEE 国际芯片互连测试与修复研讨会 (CITaR) 专注于基于芯片的三维堆叠 IC 的互连测试与修复，以及实现这一点的片上基础设施。这些 IC 包括所谓的 2.5D、3D 和 5.5D 堆叠 IC。芯片到芯片互连可能包含微凸块对、混合键合、中介层导线和硅通孔 (TSV)。虽然这些堆叠 IC 在异构集成、小尺寸、高带宽和性能以及低功耗方面具有许多吸引人的优势，但在测试和修复其芯片间互连方面仍有许多未解决的问题。CITaR 研讨会为研究人员和从业人员提供了一个独特的论坛，可供展示和讨论这些挑战和（新兴）解决方案。诚邀您参加 CITaR 研讨会。 CITaR 研讨会将与 IEEE 欧洲测试研讨会 (ETS) 一起在荷兰海牙万豪酒店举行，并由 IEEE 计算机学会测试技术委员会 (TTTC) 提供技术赞助。研讨会计划 – 研讨会计划包含以下内容。
基于双层石墨烯的超级坡度低温FET
摘要：低温场效应晶体管（FET）为应用提供了巨大的潜力，最值得注意的例子是量子信息处理器的经典控制电子设备。对于后者，低功耗的片上FET至关重要。这需要在Millivolt范围内的操作电压，只有在具有超级阈值斜率的设备中才能实现。然而，在基于散装材料的常规低温金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化 - 氧化氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 脱氧剂（MOS）FET中，由于疾病和MOS界面处的带电缺陷，实验上实现的逆下阈值倾斜在几个MV/DEC周围饱和。基于二维材料的FET提供了有希望的替代方案。在这里，我们表明，基于六角形硝化硼的Bernal堆叠的双层石墨烯和石墨门在0.1 K时表现出逆下阈值斜率，在0.1 K时表现出逆下阈值，接近250μV/dec，接近玻尔兹曼的限制。此结果表明在没有散装界面的范德华异质结构中对带尾的有效抑制，从而在低温温度下导致了卓越的装置性能。关键字：Bernal堆叠的双层石墨烯，带隙，子阈值坡度，疾病