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NT17肽内的电荷调节亨廷顿聚集和初始脂质结合事件
由于光电中的许多应用，有机材料中的能量转移进行了广泛的研究。分子组件内的电子和振动弛豫可以受到堆叠布置或添加将它们串通的骨架的添加的影响。在这里，我们介绍了二酰亚胺单体的光激发动力学以及面对面堆叠的二聚体和三聚体的计算研究。通过使用非绝热激发态分子动力学模拟，我们表明非辐射弛豫与堆叠分子的数量一起加速。这种效应是由影响其相应非绝热耦合的状态之间的能量分解的差异来解释的。此外，我们对振动动力学的分析表明，通过参与堆叠系统松弛的不同圆锥形交叉点的通道激活了积极的反馈机制。此效果涉及一组狭窄的振动正常模式，该模式通过提高其振动动力学的效率来加速过程。相比之下，由于其参与分子堆叠布置的振动动力学，增加了生物学启发的主链降低了松弛率。我们的结果表明，堆叠布置和常见的骨干是调节基于二酰亚胺的系统和其他分子聚集体的电子和振动松弛效率的策略。简介
3R和2H MOS2中的堆叠依赖性层中音子
摘要：我们通过使用依赖偏振的超频率拉曼光谱的纯3R和2H堆叠顺序研究了MOS 2中的层间剪切和呼吸声子模式。我们在MOS 2中最多观察到三层剪切分支和四个呼吸分支，厚度为2至13层。呼吸模式显示出两种多型型的拉曼活性行为，但是2H呼吸频率始终比3R呼吸频率高几个波数，这表明2H MOS 2的层间层间层间lattice晶格偶尔略高于3R MOS 2。相比之下，剪切模式拉曼光谱在2H和3R MOS 2中截然不同。虽然最强的剪切模式对应于2H结构中的最高频率分支，但它对应于3R结构中的最低频率分支。3R和2H多型的如此独特和互补的拉曼光谱使我们能够从最高到最低分支中调查MOS 2中的广泛剪切模式。通过结合线性链模型，群体理论，有效的键极化模型和第一原理计算，我们可以考虑实验中的所有主要观察结果。
石墨烯在铜箔上的堆垛关系和基底相互作用
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的，因为该方法可重复、可扩展，且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止，各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10]，其中铜箔由于碳溶解度低，已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常，铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生，从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界，从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底，结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置，从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中，需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底（如 SiO 2 、SiC）。在许多情况下，转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知，基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面，Kraus 等人早些时候提出，铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上，即使在平坦的基底上，转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面，研究表明，在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外，在 Bernal 堆叠双层石墨烯中，在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27]，这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后，这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现，在石墨烯生长过程中，衬底表面会重新构建为小平面，即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层（和三层）石墨烯中堆叠域形成过程中的作用，这些堆叠域在转移过程中得以保留。
3D堆叠paves方法，用于较小的，动力包装的计算
违反摩尔法律计算绩效的限制正在努力跟上不懈的驱动力，以实现高性能芯片，因为性能瓶颈已经出现了，扩展范围在所有方面都达到了极限。扩展摩尔定律的一种方法是通过异质整合，这可以随着性能水平的提高铺平到未来设备的道路。随着芯片的变小，越来越强大，连接不断增长的晶体管数量的电线变得越来越薄且包装更密集。产生的阻力增加和过热会导致信号延迟，并限制中央处理单元（CPU）时钟速度。其他问题包括大规模集成电路（LSI）操作中的频率限制，与电池相关的电源限制和冷却问题。在改善移动计算和图形处理系统中的性能时，一个考虑因素是确保工作频率和功耗均未增加。另一个考虑因素是，通过功耗效率改善内存访问带宽，因此必须具有广泛的输入/输出（I/O）内存总线而不是高频接口。此外，随着系统性能的改善，此类系统中的内存能力变得越来越重要。3D芯片技术有助于解决几个问题，这些问题挑战了芯片的性能提高和加工尺寸的减少。这种方法通过称为晶圆键的过程在另一个芯片或集成电路（IC）上层。TSV还可以实现更有效的散热并提高功率效率。与此使用透过的硅VIA（TSV）制造方法垂直堆叠多个芯片组件，从而产生更快，更小和更低的CPU。
扭曲石墨烯三叶草中的局部原子堆叠和对称性
1美国加利福尼亚大学伯克利分校，美国加利福尼亚州94720，美国2 SLAC国家加速器实验室，美国加利福尼亚州斯坦福大学，美国3国际材料纳米结构中心，国家材料科学研究所，1-1 namiki，namiki，tsukuba，tsukuba，tsukuba 305-0044，日本305-0044，日本40.材料材料，国立材料，0044.日本5分子铸造，劳伦斯·伯克利国家实验室，伯克利，加利福尼亚州94720，美国6材料科学司，劳伦斯·伯克利国家实验室，加利福尼亚州伯克利，加利福尼亚州94720，美国7化学科学司，劳伦斯·伯克利国家实验室，加利福尼亚州伯克利，加利福尼亚州伯克利，加利福尼亚州94720，美国 *
扭曲石墨烯三叶草中的局部原子堆叠和对称性
图1：所选接口的干涉4D-STEM暗场成像。（a）4D-STEM方法的示意图，其中光束干扰用于提取堆叠顺序。（b）示意图说明了用于标记石墨烯三层的扭曲角，θ和层编号约定。（c）在扭曲的三层Moir'ES中实现的各种高对称堆叠配置的插图。（d，e）具有θ13≈0°（d）和θ13= 0的三角形的平均收敛束电子衍射图。22◦（e）。插图中突出显示了重叠的ttlg bragg磁盘。每个bragg磁盘归因于一层，在SI第6节中进行了主动。（f，h）虚拟暗场图像对应于1＆3的重叠。（g，i）与所有三层重叠相对应的虚拟暗场图像。比例尺分别为1 nm -1和25 nm（d，e）和真实空间（F – i）。
使用
准时毕业对于学术成功，影响时间，成本和教育质量至关重要。Hang Tuah University Pekanbaru（UHTP）目前正在努力实现其准时毕业率75％的目标。这项研究介绍了一种使用机器学习技术的创新方法，尤其是与堆叠机器学习Optuna Smote（SMLOS）的合奏学习，以解决此问题。我们的主要目标是提高数据分类精度，以有效地预测学生毕业时间。我们采用算法，例如K-Nearest邻居（KNN），支持向量机（SVM），决策树（C4.5），随机森林（RF）和Naive Bayes（NB）。这些与元模型结合使用，包括逻辑回归（LR），Adaboost，XGBoost，LR+Adaboost和LR+XGBoost，以创建一个强大的预测模型。为了解决阶级失衡，我们应用了合成少数族裔超采样技术（SMOTE），并利用Optuna进行超参数调整。调查结果表明，使用Adaboost Meta模型的Smlos达到了95.50％的最高精度，超过了以前的模型的性能，平均含量约为85％。这种贡献证明了将SMOTE用于类不平衡和Optuna进行超参数优化的有效性。将此模型整合到UHTP的学术信息系统中，促进了对学生数据的实时监控和分析，为通过更准确的学生绩效预测提供了一种新颖的解决方案来促进智能校园。此技术不仅有益于预测学生毕业，还可以应用于各种机器学习任务以提高数据分类的准确性和稳定性。
π相间层间移位和kagome超导体CSV3SB5
堆叠自由度是调整材料特性的关键因素，并且已在分层材料中进行了广泛的研究。最近发现Kagome超导体CSV 3 SB 5在T CDW〜94 K下方显示出三维CDW相位。尽管对内平面调制进行了彻底的研究，但平面外调制仍然模棱两可。在这里，我们的极化和温度依赖性拉曼测量结果揭示了C 6旋转对称性的破坏，并且在大约120°的三个不同域的存在下，彼此之间存在三个不同的域。观察结果表明，CDW相可以自然解释为2C交错阶相，相邻层显示相对π相移。此外，我们在大约65 K处发现了一阶结构相变，这是由于堆叠断层而引起的堆叠顺序diSorder相变，并受到CS相关唱片模式的热磁滞行为的支持。我们的发现突出了CSV 3 SB 5中堆叠自由度的重要性，并提供了结构见解，以理解超导性和CDW之间的纠缠。
ReS2 中堆叠顺序驱动的光学特性和载流子动力学
外场的电子屏蔽[1]、拉曼振动[2]和电子传输。[3]然而，在过渡金属二硫属化物 (TMDs) 这一丰富的二维半导体家族中，堆垛序的影响很少被探索，[4,5] 尽管第一性原理计算表明堆垛序驱动价带分裂和激子结合能变化。[6]TMD 拥有许多有趣的量子现象，可用于新型电子器件。[7–9] ReS 2 是 TMD 中的一颗新星，近年来备受关注。ReS 2 具有扭曲的 1T 三斜晶体结构，其中 Re 原子的额外 d 价电子形成与 b 轴平行的锯齿状 Re 链，大大降低了其对称性。尽管自 1997 年起人们就开始研究块体 ReS 2 的性质[10–21]，但对二维 ReS 2 的研究直到 2014 年左右才开始兴起。[22] 与其他 TMD 相比，ReS 2 的层间耦合要弱得多。[22] ReS 2 的独特之处在于其面内各向异性性质，这早在 2001 年就已在块体中得到证实。[15] 在二维 ReS 2 中，观察到的性质包括偏振相关的激子[23,24]、非线性吸收[25]、电子传输和 SHG 发射[26,27]等。比较
