图1:所选接口的干涉4D-STEM暗场成像。(a)4D-STEM方法的示意图,其中光束干扰用于提取堆叠顺序。(b)示意图说明了用于标记石墨烯三层的扭曲角,θ和层编号约定。(c)在扭曲的三层Moir'ES中实现的各种高对称堆叠配置的插图。(d,e)具有θ13≈0°(d)和θ13= 0的三角形的平均收敛束电子衍射图。22◦(e)。插图中突出显示了重叠的ttlg bragg磁盘。每个bragg磁盘归因于一层,在SI第6节中进行了主动。(f,h)虚拟暗场图像对应于1&3的重叠。(g,i)与所有三层重叠相对应的虚拟暗场图像。比例尺分别为1 nm -1和25 nm(d,e)和真实空间(F – i)。
主要关键词