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FAMES 中试线
FD-SOI 技术（在欧洲发明、获得完整专利和开发，非常适合加强欧洲的工业实力）得到了众多欧盟合作项目框架（ENIAC、ECSEL、KDT、CHIPS）的支持，涉及许多学术和工业合作伙伴。这些项目为创建强大而全面的生态系统做出了巨大贡献。大部分 FD-SOI 价值链（晶圆制造、建模、芯片设计和工艺等）由欧洲掌握和托管。Soitec 是 FD-SOI 衬底晶圆制造领域的全球领导者，意法半导体 (ST) 和 GlobalFoundries (GF) 使用 Soitec 的晶圆在欧洲加工 28nm 和 22nm FD-SOI 集成电路。高通、谷歌、三星、索尼、博世、Nordic、NXP 等全球领先公司和
Alma Mater Studiorum 博洛尼亚大学档案馆......
2 意法半导体技术研发部，意大利阿格拉泰布里安扎 摘要 — 热载流子应力引起的性能退化是功率 LDMOS 晶体管可靠性的关键问题。对于 p 沟道 LDMOS 来说更是如此，因为与 n 沟道 LDMOS 不同，多数载流子和少数载流子都对器件可靠性起着根本性的作用。本文深入研究了新一代 BCD 集成 p 沟道 LDMOS 中热载流子应力引起的微观机制。彻底分析了竞争电子和空穴捕获机制对导通电阻漂移的影响。为此，据我们所知，我们首次使用了包括玻尔兹曼传输方程的确定性解和微观性能退化机制在内的 TCAD 模拟。对性能退化源和动态的深入了解将为未来的器件优化提供相关基础。
全面深入研究基于三态反相器的DCO
本文对基于三态反相器的数字控制振荡器进行了深入分析。这种振荡器拓扑结构已在众多出版物中报道过，但其特性仍不太为人所知。在本研究中，我们打算重点解决这些不足之处。我们特别讨论了振荡周期和相关的抖动，因为这些量是设计的关键参数。在本文中，我们提出了考虑到设计、技术以及输入代码的解析表达式。这些方程式适合手工计算，并有助于建立快速实施的设计方法。在意法半导体 CMOS 65nm 工艺中设计了两个电路。第一个通过模拟进行了评估。然后，给出了在同一技术节点内制造的第二个电路的测量结果。最后，实验数据支持了所提出的理论。
用于人工智能处理单元的硅光子微环
该博士项目将与意法半导体密切合作，意法半导体多年来一直致力于硅光子平台光子集成电路的开发。该项目的目标是与 STM 一起开发集成到光子芯片中用于人工智能应用的有源光学元件。这些元件和电路将在都灵理工大学和 STM（意大利卡斯特莱托基地）的团队中建模和设计；在 STM（法国克罗尔基地）制造，并在 STM 和都灵理工大学实验室进行测试。因此，该研究项目涵盖了不同的方面：理论和建模、设计、制造和测试。博士生将参与所有这些步骤，并将在卡斯特莱托（意大利）和克罗尔（法国）基地的 STM 上度过一段时间。具体来说，研究活动将涵盖：- 硅光子高速低功耗的设计、制造和测试
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年)
鲁汶天主教大学鲁汶工程学院 (UCLouvain) 正在招募三名射频器件工程博士生 (4 年) 和一名博士后 (3 年)，研究在宽频率和温度范围内对绝缘体上硅 (SOI) 器件进行晶圆上特性描述和建模的先进技术。鲁汶工程学院 30 多年来一直率先推动 RF-SOI 在高频应用中的使用，并积累了数十年在该领域的经验。我们目前正在招募积极主动且感兴趣的候选人，以帮助我们研究 22 纳米以下的下一代 FD-SOI CMOS 晶体管，以解决 RF 和毫米波领域的应用，例如电信、雷达、成像、传感等。这些科学研究将在多个欧洲 Chips JU 项目 (SOIL、ArCTIC、FAMES、Move2THz) 的框架内进行。候选人将与最好的大学、研究中心（imec（比利时）、CEA-Leti（法国）等）和公司（STMicroelectronics（法国）、GlobalFoundries（德国）、SOITEC（法国）等）合作。
AN1596 VIPower：汽车高侧驱动器
简介 当今的汽车市场要求电子系统的复杂性和可靠性不断提高。为了实现这一目标，汽车系统的概念越来越多地基于微控制器架构，该架构驱动集成单片电路，包括同一芯片上的功率级、控制、驱动和保护电路。垂直智能电源是意法半导体的一项专利技术，成立于 13 年前，采用的制造工艺允许在同一芯片上集成完整的数字和/或模拟控制电路来驱动垂直功率晶体管。用于制造高侧驱动器 (HSD) 的 VIPower M0 技术可生产单片硅片，该硅片将控制和保护电路与标准功率 MOSFET 结构相结合，其中功率级电流垂直流过硅片（见图 1）。
AMBA DesignWare® 和 coreAssembler 简化了意法半导体数字广播控制器和音频解码器的设计流程并改善了设计时序
Andreas Vielhaber，Synopsys 公司，意大利米兰 摘要 当今的片上系统 (SoC) 设计非常复杂，要求新的 SoC 设计项目采用更快、更简单的流程和方法。为了以更快、更低成本将更多 SoC 推向市场，意法半导体与 Synopsys® 专业服务部门联手，为数字音频系统平台设计了一种新的流程和方法。本文介绍了 SYNOPSYS® coreAssembler 如何通过自动化配置和互连步骤、提供实现 AMBA 平台的自动化路径以及使用 VIP 改进验证来简化使用 AMBA DesignWare® 组装 AMBA 系统的过程。该流程已用于设计和验证由意法半导体数字广播无线电部门 (汽车产品组) 开发的数字无线电系统控制器和音频解码器架构。
麦克风、微型扬声器和音频处理
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半导体制裁对俄罗斯的影响
安斯特雷姆公司总部位于白俄罗斯明斯克，但自苏联时期以来一直是俄罗斯国防工业基地的一部分。这些工厂中的大部分制造设备都来自西方。例如，2007 年，安斯特雷姆从美国芯片制造商超微半导体公司 (AMD) 购买了一条 130 纳米 (nm) 11 生产线。这笔交易由俄罗斯国有银行 VEB 资助，该银行经常支持对俄罗斯军事或外交政策重要的交易。12 这项 130 纳米制造技术是在 2001 年左右率先推出的，因此即使在购买时，它也远远落后于尖端技术，尽管它仍然可用于制造多种类型的军用芯片。与此同时，米克朗从欧洲芯片制造商意法半导体公司购买了制造技术，使其能够在 2011 年左右生产 90 纳米芯片。13
使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
摘要 — 采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下的可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺在极低温度下制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从同一器件的测量中收集的实际实验数据进行了比较。关键词-FD-SOI CMOS、硅量子点、量子计算、3D TCAD 模拟、低温