马来西亚马来西亚帕汉大学的计算机学院,马来西亚帕汉的甘丹-26300。B IBM卓越中心,马来西亚帕汉大学软件开发与集成计算中心,pahang(UMP),Lebuhraya tun Razak,Gambang-26300,马来西亚帕洪,甘坦。c昆士兰技术大学计算机科学学院(QUT),澳大利亚4000乔治街2号,D乔治街2号,伊斯兰大学伊斯兰大学计算机科学与工程系,库什蒂亚 - 7600,孟加拉国E工程学院,孟加拉国E工程学院,澳大利亚悉尼锡德尼大学,工程学院。f剑桥大学计算机科学技术系,英国剑桥。G Bone Research Group,Garvan医学研究所,新南威尔士州Darling Hurst,澳大利亚Darlinghurst H人工智能与数据科学,健康与康复科学学院,昆士兰圣卢西亚大学健康与行为科学学院,澳大利亚QLD 4072。G Bone Research Group,Garvan医学研究所,新南威尔士州Darling Hurst,澳大利亚Darlinghurst H人工智能与数据科学,健康与康复科学学院,昆士兰圣卢西亚大学健康与行为科学学院,澳大利亚QLD 4072。
频率选择表面 (FSS) 由周期性排列的一维或二维金属结构组成,由于其频率谐振特性而备受关注。FSS 可以根据其尺寸、形状、厚度和其他参数在特定频率范围内选择性地反射 (带阻) 或透射 (带通) 入射电磁波,这是 FSS 的识别特征。[1] 金属和介电材料结构被广泛用于设计太赫兹 FSS 或滤波器,因为它们具有高机械强度,有助于产生功能化设计。金属 FSS 可以通过反射或吸收电磁干扰来屏蔽,但是,制造所需结构的成本很高,并且正在被碳基材料取代,以获得高频电磁特性,具有合适的成本、重量轻、无腐蚀等特点。[2] 通常,碳基材料以 sp、sp 2 和 sp 3 键合,形成相互连接的碳-碳键的长链,从而产生不同的物理和电性能。 [3] 因此,这类材料可归类为半金属或非电介质材料(如石墨烯、石墨、碳纳米管、碳纳米纤维)[4,5],因此通过在磁场和电场中应用飞秒激光脉冲产生 THz 脉冲,其纳米复合材料可表现出 THz 光跃迁、光电特性和介电特性。[6–11] 由于存在非局域 π 键电子,这些碳基材料表现出优异的 EMI 屏蔽性能。自由移动的电子与电磁波相互作用,导致反射,在共振频率下具有最大回波损耗值。[12] 过多的电磁能量会损坏周围的电路并引起不必要的噪声脉冲。Liang 等人。报道了竹状短碳纤维@Fe3O4@酚醛树脂和蜂窝状短碳纤维@Fe3O4@FeO复合材料作为高性能电磁波吸收材料,在4-18 GHz范围内成功实现了反射损耗-10 dB。[13]然而,在文献中对碳基材料在THz范围内的表征仍然没有很好的解释,关于碳基材料FSS特性的报道很少。最近,一种利用3D打印制造的碳基FSS吸收器
Ryan Walsh 1† , Elisa Giacomelli 1† , Gabriele Ciceri 1† , Chelsea Rittenhouse 1,9† , Maura Galimberti 2,3 , Youjun Wu 4 , James Muller 5 , Elena Vezzoli 2,3,6 , Johannes Jungverdorben 1 , Ting Zhou 4 , Roger A Barker 7,8 , Elena Cattaneo 2,3,Lorenz Studer 1,9‡*,Arianna Baggiolini 10,11‡*。1纪念斯隆·凯特林癌症中心干细胞生物学与发育生物学计划中心,纽约,纽约,纽约,10065,美国。2个神经退行性疾病的干细胞生物学和药理学实验室,米兰大学生物科学系,20122年意大利米兰。3 Ingm,Istituto Nazionale Genetica Molecolare,意大利米兰。4 Sloan-Kettering癌症研究所干细胞生物学与发育生物学计划中心滑雪干细胞研究机构,纽约约克大街1275号,纽约,纽约,10065,美国。5发展生物学和免疫学计划,斯隆·凯特林研究所,纽约约克大街1275号,纽约,10065,美国。6目前的隶属关系:卫生生物医学科学系,UniversitàDegliStudi di Milano,通过G. Colombo 71,20133 Italy,意大利米兰。7 Wellcome和MRC Cambridge干细胞研究所,Jeffrey Cheah生物医学中心剑桥生物医学校园,英国剑桥。8 John van Geest脑修理中心,临床神经科学系,英国剑桥VIE网站。9 Weill Cornell医学医学科学研究生院,美国纽约州1300,美国神经科学系。10瑞士BEOS+,BIOS+的肿瘤学研究所(IOR),瑞士6500。
Black-Si(B-SI)提供宽带光防反射已成为光电探测器,光电催化,传感器和光伏设备的多功能底物。然而,常规的制造方法具有单一形态,低产量或脆弱性。在这项工作中,我们提出了一种高收益CMOS兼容的技术,可生产具有不同随机纳米结构的6英寸晶片尺度B-SI。B-SI是通过o2 /sf 6基于si晶片的基于O 2 /sf 6等离子体的反应离子蚀刻(RIE)来实现的,该反应离子蚀刻(rie)被GESN层覆盖。在初始GESN蚀刻过程中形成的Sno X F Y层的稳定网格充当了自组装的硬掩模,用于形成亚波长的SI纳米结构。b-Si,例如纳米孔,纳米酮,纳米霍尔,纳米霍克和纳米线。此外,在近红外(NIR)波长范围(1,000-1,200 nm)处B-SI金属 - 溶液中的(MSM)光电探测器的响应能力比平面SI MSM MSM光电量的平面SI MSM光电量高40-200%,对黑暗电流的水平相同,对光元素的应用中有益于光子元素,并在光元素中的应用和光元素的应用。这项工作不仅展示了一种制造晶圆尺度的B-Si晶片的新的非印刷方法,而且还可以提供一种新颖的策略,以使用形态工程制造其他纳米结构表面材料(例如GE或III-V的化合物)。
在SI中集成的高质量量子点(QD)的线性阵列是探索量子信息的操纵和传输的理想平台。因此,了解与SI技术兼容的底物的QD自组织机制至关重要。在这里,我们证明了INAS和INGAAS QD的线性阵列的外延生长来自AS 2和裸露和GAAS涂层Si(001)底物的分子束,由高分辨率激光干扰纳米义造影。原子力MI司法检查与高分辨率扫描和透射电子显微镜结合使用,表明,当QDS的生长选择性,横向顺序和尺寸均匀性的提高时,QDS的大小为1 nm thick thick gaas gaas buffer层是在INAS沉积之前种植的。此外,x ga 1-x作为QD的优先成核沿<110>的纳米结构的gaas-on-si(001)底物的面向面向的边缘从Adatom迁移中从(111)迁移到(111)到(001)纳米和湿润层引起的湿润层引起的EDM迁移而产生。 Stranski-Krastanov过渡。这些是相干QD的线性阵列形成的关键要素,它们的形态和结构与GAAS(001)和Si(001)平面表面上的形态和结构不同。
伤口护理研究旨在加速组织再生,同时尽量减少疤痕形成。由于愈合过程的脆弱性,任何阻碍伤口愈合的因素都会增加伤口变成慢性伤口或更糟的不愈合伤口的可能性。[1] 致病菌在伤口定植并形成生物膜(见 S1 部分,支持信息)是一种常见的并发症,会减缓伤口愈合并引发慢性炎症。在生物膜中,细菌可以对环境逆境产生抵抗力 [2],因此在面对常用药物治疗时具有弹性。有必要开发替代解决方案,特别是对于世界上缺乏及时进行即时治疗所需基础设施的地区,例如经济困难地区或武装冲突地区。 [3,4] 例如,2017 年,全球 3,890 万至 6,290 万例败血症相关死亡病例中,1,010 万至 1,200 万例(占全球死亡人数的 19.7%)中有 85% 发生在中低收入国家。 [5] 如果能获得更有效的伤口护理,这些死亡病例和许多非致命性截肢病例中的许多病例本可以得到预防。即使在医疗基础设施丰富的地区,抗生素耐药性感染仍然构成重大威胁。美国疾病控制中心报告称,每年有超过 280 万例抗生素耐药性感染导致 3.5 万多人死亡。 [6] 欧盟委员会估计,抗生素耐药性每年导致欧盟 2.5 万人死亡,全球 70 万人死亡,并预测到 2050 年抗生素耐药性传染病造成的死亡人数将超过癌症。[7] 除了眼前的医疗保健挑战外,这些感染还带来严重的经济影响,美国和欧盟每年的医疗保健费用和生产力损失分别高达 315 亿美元 [8] 和 15 亿欧元 [7]。目前有各种有效的局部伤口愈合解决方案,[9,10] 但相比之下,深部伤口的替代方案却很少。局部伤口愈合历史悠久:缝合伤口可以追溯到新石器时代,[11] 可吸收的动物结扎线在早期就被引入
1 Wang Da-heng Center,海伦吉安格量子控制关键实验室,哈尔滨科学技术大学,哈尔滨150080,中国2个国家微观结构实验室,智能光学感应和操纵的主要实验室,以及工程和应用科学学院以及Nanjing University,Nanjing Univentes,Nanjing 210093,En. Del Bosque 115,Colonia Lomas del Campestre,37150León,Gto。 yqlu@nju.edu.cn†这些作者同样贡献。摘要:通过几何阶段与平面光学器件通过几何相位旋转轨道耦合(SOC)为塑造和控制近视结构光提供了有希望的平台。电流设备,从开创性的Q板到最近的J板,仅提供旋转依赖的波前调制,而无需振幅控制。然而,实现对近似SOC状态的所有空间维度的控制需要对相应的复杂振幅的自旋依赖性控制,这对于平面光学元件仍然具有挑战性。在这里,为了解决这个问题,我们提出了一种称为结构化几何相光栅的新型平面元件,该元件能够用于正交输入圆极化。通过使用微结构液晶光平取道,我们设计了一系列扁平式元素,并在实验上显示了它们在任意SOC对照方面的出色精度。该原理通过平坦的光学器件解锁了对副结构光的全场控制,为一般光子SOC态开发信息交换和处理单元提供了一种有希望的方法,以及用于高精度激光束塑形的高精度激光束的外部/腔内转换器。
Jianyong Wang,A,B,†Junchao Fan,C,†Bo Zhou,A,A,†Xiaoshuai Huang,D,E *和Liangyi Chen A,F,F,G,H,北京大学中国北京医学,北京,北京大学,软件与微电学学院,北京,中国北部C重庆大学邮政与电信大学,计算机科学技术学院,重庆图像认知关键实验室,重庆,北卡国生物医学工程系,北欧北京大学,麦克吉 - 麦克林,麦加,麦加,麦加,麦加,麦加,是中国北京,北京北京北京的大脑研究所,中国北京,国家生物医学成像中心,北京
感染植入物的手术。[1] 在植入医疗器械的过程中,细菌可能会污染其表面并形成生物膜,从而引起感染。[2] 所施用的抗生素通常无法穿透生物膜,因此唯一的可能性就是取出植入物并重新插入。成功的骨植入物不仅应具有抗菌特性,还应促进与宿主骨组织的整合(骨整合 [3] )。理想情况下,生长和分化因子会引发生物事件,从而导致植入物周围形成新骨。[3] 如果没有这种与骨骼的结合,就会发生无菌性松动,从而导致植入物失败。与其他金属相比,钛植入物已经具有更好的生物相容性,因为氧化层会吸引成纤维细胞和其他重要细胞来促进骨骼生长。然而,仍然需要更优质的材料,因为截至目前,大约 10% 的植入物会失败。[4] 除了给医疗保健系统带来巨大的财务成本外,这还会给患者带来巨大的心理负担。[5]
摘要。结构化照明显微镜(SIM)是一种已建立的光学超级分辨率成像技术。但是,基于广场图像采集的常规SIM通常仅限于可视化薄细胞样品。我们提出,将一维图像恢复和结构化照明组合在正交方向上,以实现超分辨率,而无需旋转照明模式。因此,图像采集速度提高了三倍,这也有益于最大程度地减少光漂白和光毒性。通过在系统中包括共聚焦缝隙来显着抑制聚焦背景和相关噪声,从而增强了厚厚的生物组织中的光学切片。随着所有技术改进,我们的方法捕获了小鼠脑组织样品中神经元结构的三维叠加图像堆栈的深度范围超过200μm。