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MEMRISYS 2021 2021 年 11 月 1 日星期一 第 1 天（1/3）
11:50‐12:05 4A‐7 利用离子液体中 Cu 和 Ag 离子的氧化还原反应开发物理储层装置 Dan Sato 东京理科大学，日本东京 4B‐7 使用忆阻器神经元和完全耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管突触装置的 3D 神经形态系统 Yu‐Rim Jeon 汉阳大学，韩国首尔
突触前cAMP-PKA介导的增强作用诱导海马苔藓纤维末梢处突触囊泡池的重构和通道囊泡的耦合
人们普遍认为，神经回路中的信息存储涉及突触处的纳米级结构变化，从而导致突触印迹的形成。然而，这一假设缺乏直接证据。为了验证这一猜想，我们结合了化学增强、成对突触前后记录的功能分析以及电子显微镜 (EM) 和冷冻断裂复制标记 (FRL) 的结构分析，研究了啮齿动物海马苔藓纤维突触，这是海马三突触回路中的关键突触。突触传递的生物物理分析表明，福斯高林诱导的化学增强分别使易释放囊泡池大小和囊泡释放概率增加了 146% 和 49%。通过 EM 和 FRL 对苔藓纤维突触进行结构分析，发现靠近质膜的囊泡数量和启动蛋白 Munc13-1 簇的数量有所增加，这表明对接囊泡和启动囊泡的数量均有所增加。此外，FRL 分析显示 Munc13-1 和 Ca V 2.1 Ca 2+ 通道之间的距离显著缩短，表明通道-囊泡耦合纳米拓扑结构发生了重构。我们的结果表明，突触前可塑性与活性区的结构重组有关。我们提出，突触囊泡释放位点的潜在纳米组织变化可能与可塑性中枢突触的学习和记忆有关。
仿生细胞刺激 UCLA -Yang Engineering Immunity Lab 临床的癌症免疫疗法 https://doi.org/10.1038/s41587-024-024-0226- y物品生成造血干细胞和祖细胞的同种异体CAR-NKT细胞，使用Clinica 免疫治疗可提高其CA |尤里卡特！ 模仿合成细胞以改善T细胞激活
嵌合抗原受体（CAR）设计的T细胞代表癌症的前线治疗。但是，当前的汽车T细胞制造方案不能充分再现免疫突触的形成。在此响应这种限制，我们开发了一个柔性石墨烯氧化物抗原呈递平台（GO-APP），该平台将抗体固定在氧化石墨烯上。通过对氧化石墨烯（GO-APP 3/28）上的抗CD3（αCD3）和抗CD28（αCD28）进行装饰，我们实现了显着的T细胞增殖。GO-APP 3/28与T细胞之间的体外相互作用紧密模仿抗原呈递细胞和T细胞之间的体内免疫突触。 这种免疫突触模仿的模仿表现出刺激T细胞增殖的高能力，同时保留其多功能性和高效力。 同时，它提高了CAR基因工程效率，与标准方案相比，CAR T细胞产生的增长超过五倍。 值得注意的是，GO-APP 3/28在T细胞中刺激了适当的自分泌白介素-2（IL-2），并克服了对外部IL-2补充的体外依赖，从而提供了与IL-2补充无关的培养基于T细胞的产物的机会。GO-APP 3/28与T细胞之间的体外相互作用紧密模仿抗原呈递细胞和T细胞之间的体内免疫突触。这种免疫突触模仿的模仿表现出刺激T细胞增殖的高能力，同时保留其多功能性和高效力。同时，它提高了CAR基因工程效率，与标准方案相比，CAR T细胞产生的增长超过五倍。值得注意的是，GO-APP 3/28在T细胞中刺激了适当的自分泌白介素-2（IL-2），并克服了对外部IL-2补充的体外依赖，从而提供了与IL-2补充无关的培养基于T细胞的产物的机会。
基于 2D MoS2 的阈值开关忆阻器用于...
在所有神经网络中，PIKING 神经网络 (SNN) 最忠实地模拟了人脑，并且被认为是处理时间数据最节能的网络。人工神经元和突触是 SNN 的组成部分。最初，SNN 的硬件采用复杂的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 电路实现，其中单个神经元或突触由多个晶体管实现，这在面积和能耗方面非常密集 [1]。2008 年忆阻器的发现促进了使用单个双端器件实现人工突触的发展 [2]，[3]。然而，尽管人工神经元同样重要，但使用单个器件实现人工神经元的研究还不够深入。最近，阈值开关忆阻器 (TSM) 器件 [4]、非挥发性忆阻器 [5]、相变材料 (PCM) [6]、基于铁电材料的场效应晶体管 (FET) [7]、[8] 和浮体晶体管 [9] 已被用于演示用于 SNN 的漏电积分激发 (LIF) 神经元。二维材料的忆阻特性为利用这些原子级薄系统实现人工神经元提供了机会，这将实现神经网络硬件的最终垂直扩展 [10]-[12]。H Kalita 等人演示了一种基于 MoS 2 /石墨烯 TSM 的人工神经元，但阈值电压高、开关比低、导通时间短。
全源竞争性招标：州和电力公用事业实践
我们感谢未来电力公用事业监管咨询小组的以下成员对本报告草案提出的意见：主席 Jeffrey Ackermann（科罗拉多州公用事业委员会）、Jan Beecher（密歇根州立大学公用事业研究所）、Steve Corneli（清洁能源创新战略）、Jordy Fuentes（亚利桑那州住宅公用事业消费者办公室）、Steve Kihm（Slipstream）、Kristin Munsch（国家电网）、Delia Patterson（美国公共电力协会）、Rich Sedano（监管援助项目）、主席 Ted Thomas（阿肯色州公共服务委员会）和 Jordan White（西部电力协调委员会）。其他审阅者包括 Elaine Ulrich 和 David Meyer（美国能源部）；Sydney Forrester、Chuck Goldman、Pete Larsen 和 Andy Satchwell（伯克利实验室）；Julie Baldwin 和 Jesse Harlow（密歇根州公共服务委员会）；Anna Sommer（能源未来集团）；以及 Tim Woolf（Synapse Energy Economics）。任何剩余的错误或遗漏均由作者独自负责。
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
免疫疗法如何起作用？
癌症是由于免疫监视和耐受性失效而发生的。随着年龄的增长，细胞基因组的变化程度越来越大，这些基因改变的细胞虽然可以存活，但会被免疫监视杀死，这是一个关键的生物过程。该机制主要涉及 T 细胞对肿瘤相关抗原的识别，T 细胞在抗肿瘤免疫中起着关键作用。该过程的核心是 T 细胞免疫突触的形成，这是一种促进 T 细胞和抗原呈递细胞 (APC) 之间通讯的特殊结构。在识别 APC 上的主要组织相容性复合体 (MHC) 分子呈递的抗原后，T 细胞被激活，导致增殖和分化为 CD8+ 效应细胞，能够靶向和摧毁恶性细胞，并产生终身免疫记忆。 T 细胞免疫突触的特点是信号分子的动态组装，包括 T 细胞受体 (TCR)、共刺激受体（例如 CD28）和各种粘附分子，它们共同增强 T 细胞活化和效应功能，被称为免疫检查点。然而，癌细胞经常利用免疫检查点通路来逃避免疫检测。程序性细胞死亡蛋白 1 (PD-1) 和细胞毒性 T 淋巴细胞相关蛋白 4 (CTLA-4) 是关键的抑制受体，当它们结合时，会抑制 T 细胞反应并调节自身免疫。PD-1 与其配体 PD-L1 结合后，会抑制 T 细胞活化并促进耗竭表型。同样，CTLA-4 与 CD28 竞争结合 APC 上的 CD80/CD86，导致 T 细胞共刺激减少。癌症通过多种不同的机制逃避免疫监视，包括过度表达 PD-L1。针对 PD-1/PD-L1 和 CTLA-4 的免疫检查点抑制剂通过重振针对肿瘤的 T 细胞反应，彻底改变了癌症治疗。通过阻断这些抑制途径，这些疗法增强了 T 细胞免疫突触的形成和稳定性，从而促进有效的免疫反应并改善各种恶性肿瘤患者的预后。免疫检查点抑制剂治疗的不良反应是由于自身免疫引起的，通常在治疗后数周或数月开始，最初需要使用类固醇进行免疫抑制治疗。在非小细胞肺癌 (NSCLC) 中，PD-1 和 PD-L1 抑制剂的效果大小与 PD-L1 肿瘤比例评分 (TPS：PD-L1 表达量) 成正比。
效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
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