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氮化硅上的 UTC 光电二极管可实现 300 GHz 的 100 Gbit/s 太赫兹链路
简介：下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单，光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化，可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用，氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而，随着转向更高的载波频率，在毫米波和太赫兹频段，对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管，因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路，该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
基于石墨烯/基于SOI的自动schottky屏障光电二极管阵列
我们已经在基于绝缘体（SOI）的Schottky屏障光电二极管阵列（PDA）上制造了四元素的石墨烯/硅，并研究了其光电设备性能。在我们的设备设计中，单层石墨烯被用作SOI基板上N型SI通道的光刻定义的线性阵列上的常见电极。通过波长解析的光电流光谱测量显示，在自动操作模式下，PDA结构中的每个元素均显示出最大的光谱响应性约为0.1 A/W。时间依赖的光电流光谱测量值分别具有1.36和1.27 L S的升高时间和秋季时间，显示出出色的光电流可逆性。阵列中的每个元素的平均特定检测率约为1.3 10 12琼斯，而从代码上则是0.14 pw/hz 1/2的小噪声等效功率。预计此处提供的研究将在高增值石墨烯/基于SI的PDA设备应用方面提供令人兴奋的机会。
光电二极管剂量计中利用开关偏置减少热漂移
温度对剂量测量的影响是固态剂量计的主要限制因素。对于 PIN 光电二极管剂量计尤其如此，因为其暗电流与温度呈指数相关。为了尽量减少这种影响，提出了一种补偿方法，该方法依赖于二极管结构本身，而无需外部传感器或设备。在辐照期间，光电二极管定期从反向极化切换到正向极化，以确定设备的温度。该测量基于二极管在恒定电流下工作时温度与正向电压之间的线性依赖关系。开发了一种实现此程序的电子电路，用于实验表征 BPW34S Si PIN 光电二极管对辐射的响应。所提出的程序将热漂移引起的不确定性降低了 7.5 倍。此外，测量的平均剂量率灵敏度为 12 ± 2 nC/cGy，在 6 MV 光子束下进行的 21.4 Gy 辐照周期中灵敏度下降低于 2%。我们已经证明，pn结可以成功地用于补偿温度对剂量测量的影响。
CRISPR/Cas9 介导的丙二烯氧化物合酶破坏导致 12-氧代植物二烯酸积累缺陷，并降低对蜘蛛的防御能力
摘要 丙二烯氧化物合酶（AOS）是参与12-氧代植物二烯酸（OPDA）和茉莉酸生物合成的关键酶，在植物防御食草动物攻击中起重要作用。我们前期在地钱Marchantia polymorpha中鉴定了具有AOS活性的胞质型MpAOS1和叶绿体型MpAOS2。然而，尚无直接证据表明MpAOS的亚细胞定位及其通过产生OPDA对植物防御的贡献。本研究通过CRISPR/Cas9介导的基因组编辑破坏了Mp AOS1和Mp AOS2基因，生成了M. polymorpha突变体；并分析了双敲除突变体中OPDA产生的损失。在AOS突变体上，二斑叶螨（Tetranychus urticae）的存活率和产卵量相对于野生型植物有所增加。总体而言，这些发现表明，M. polymorpha 中已经建立了通过 OPDA 信号通路应对红蜘蛛的防御系统。
非监护父母和零工经济
https://www.bls.gov/news.release/pdf/conemp.pdf 。一个人的主要工作是其工作时间最长的工作。美国劳工统计局于 2017 年在 CWS 中增加了四个问题来衡量电子中介工作。电子中介工作是指工人通过网站或移动应用程序找到的短期工作或任务，这些网站或移动应用程序既能让他们与客户建立联系，又能为任务安排报酬。然而，美国劳工统计局发现这些问题并未发挥预期作用。美国劳工统计局检查了这些问题的逐字答复。基于此分析，美国劳工统计局估计，2017 年 5 月电子中介工作者占总就业人数的 1.0%。请参阅：当前人口调查工作人员（2018 年）。“电子中介工作：临时工补充调查中的新问题。”《每月劳工评论》，9 月。华盛顿特区。 https://www.bls.gov/opub/mlr/2018/article/electronically-mediated-work-new-questions-in-the-contingent worker-supplement.htm#top
根据CMOS技术的垂直P – N结光二极管的光学性能的文章仿真研究
摘要：CMOS光二极管已在微系统应用中广泛报道。本文使用COMSOL多物理学对P – N结光电二极管的设计和数值模拟，用于三种CMOS技术（0.18 µm，0.35 µm，0.35 µm和0.7 µm）和三个不同的P – N交界结构：N+/P-Substrate，P-Substrate，P+/N-N-Well/n-Well/n-Well/well/p-Subsulate。对于这些模拟，根据不同的技术设定了深度连接和掺杂剂浓度。然后，每个phodiode均在分光光度法上进行了分光光度法的特征，响应性和量子效率。获得的数值结果表明，当需要可见的光谱范围时，0.18和0.35 µM CMOS技术是具有效率最高峰的最高峰的技术，与0.7 µM技术相比。此外，比较了三个最常见的P – N垂直连接光电二极管结构。N+/p-Substrate Juints Photodiode似乎是可见范围内具有最高量子效率的一种，与文献一致。可以得出结论，光电二极管的特征曲线和暗电流值与文献中的报告一致。因此，这种数值方法允许预测光电二极管的性能，帮助在其微加工之前为每个必需的应用程序选择最佳的结构设计。
InP 衬底上随机合金厚度 AlGaAsSb 雪崩光电二极管
我们展示了与 InP 衬底几乎晶格匹配的低噪声随机合金 (RA) Al 0.85 Ga 0.15 AsSb（以下简称 AlGaAsSb）雪崩光电二极管 (APD)。与数字合金 (DA) 相比，RA 由于易于生长而易于制造。910 nm 厚的 RA AlGaAsSb 在 450 C 左右的低温下生长，通过抑制吸附原子的表面迁移率来减轻相分离。通过 X 射线衍射、Nomarski 和原子力显微镜图像验证了 RA AlGaAsSb 材料的高质量。电容-电压测量发现背景掺杂浓度为 6-7 10 14 cm 3，表明 RA AlGaAsSb 材料中的杂质密度非常低。电流-电压测量是在室温下黑暗条件和 455 nm 激光照射下进行的。击穿发生在 58 V 时。增益为 10 时，暗电流密度为 70 l A/cm 2 。该值比之前报道的 DA AlAs 0.56 Sb 0.44 APD [Yi 等人，Nat. Photonics 13, 683 (2019)] 低三个数量级，比 DA AlGaAsSb [Lee 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 081106 (2021)] 低一个数量级，与 RA AlInAsSb APD [Kodati 等人，Appl. Phys. Lett. 118, 091101 (2021)] 相当。此外，测得的过量噪声显示 k（碰撞电离系数比）较低，为 0.01。这些噪声特性使 RA AlGaAsSb 倍增器适合商业应用，例如光通信和 LiDAR 系统。
在远程激光焊接铜到钢电池选项卡连接器远程激光焊接过程中，光电二极管的特征用于检测部分部分间隙和焊接渗透深度
本文介绍了传感器表征，以在电池选项卡连接器的远程激光焊接（RLW）期间使用基于光电二极管的信号来检测部分部分间隙和焊接渗透深度的变化。基于光电二极管的监测已大部分用于结构焊缝，因为其成本相对较低和易于自动化。但是，在电池选项卡连接器连接过程中，对传感器表征，监测和诊断焊缝缺陷的研究尚不确定，结果尚无定论。通过不同金属薄箔焊接过程中的高变异性进行了。 基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。 提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。 能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。 的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。 结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。 讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。。基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。[doi：10.1115/1.4052725]
在远程激光焊接铜到钢电池选项卡连接器远程激光焊接过程中，光电二极管的特征用于检测部分部分间隙和焊接渗透深度
本文介绍了传感器表征，以在电池选项卡连接器的远程激光焊接（RLW）期间使用基于光电二极管的信号来检测部分部分间隙和焊接渗透深度的变化。基于光电二极管的监测已大部分用于结构焊缝，因为其成本相对较低和易于自动化。但是，在电池选项卡连接器连接过程中，对传感器表征，监测和诊断焊缝缺陷的研究尚不确定，结果尚无定论。通过不同金属薄箔焊接过程中的高变异性进行了。 基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。 提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。 能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。 的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。 结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。 讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。。基于光电二极管的信号是在铜到钢薄层束接头的RLW期间（Ni-Plated Copper 300 µm到Ni-Plated Steel 300 µm）的收集信号。提出的方法基于对信号的能量强度和散射水平的评估。能量强度给出了有关焊接过程中发出的辐射量的信息，并且散射水平与累积和未控制的变化有关。的发现表明，可以通过观察等离子体信号中的级别变化来诊断部分零件间隙的变化，而反射反射没有显着贡献。结果进一步表明，过度渗透对应于传感器信号中散射水平的显着增量。讨论了基于监督机器学习的自动隔离和诊断有缺陷焊缝的机会。[doi：10.1115/1.4052725]
朝向连贯的O波段数据中心互连
ntegrated Photonics已使数字通信时代依靠各级的光网络以非常高的速度和低成本传输数据。大规模数据中心需要高度集成的成本效益的光学通信解决方案，因为数据中心互连已成为主要成本因素之一。与光学互连相关的技术和经济必需品促进了当今普遍存在的1,300–1,600 nm范围内使用的两种综合光子技术平台的开发和快速成熟。这些平台通常用其材料基础来计数：（1）硅光子学和（2）基于磷化物（INP）基于磷化物（INP）的集成光子学。这两个平台的重要性远远超出了光电收发器和光学通信。硅光子学和基于INP的光子学都在Terahertz的产生和传感，高速信号处理以及潜在的神经形态计算中发现了应用。尽管硅光子学比INP整体光子学具有明显的优势，例如其可扩展性高达300毫米的晶片，并通过高速电子设备与高速电子设备协调，但使用INP 1、2实现了最终和基准的光电测量。基于INP的波导耦合光二极管，即使是几年前，也已经证明了170 GHz的3-DB带宽（F 3-DB），竞争激烈，竞争激烈，竞争势力为0.27 a w-1（参考文献3）。相比之下，在主要硅光子平台上可用的锗光二极管通常显示在50-70 GHz范围内的带宽（参考文献。4 - 7）。以外，具有F 3-DB≈120GHz和相当高的深色cur的细菌光电二极管的演示脱颖而出，由于测量限制8，关于带宽的不确定性8。在本文中，我们证明了一个真正的硅光子光子检测器，从光扣带宽和响应性方面接近最终性能，这是一种基于表面上种植的锗的硅波导偶联P – I-N光电二极管。我们的锗光电二极管显示超过260 GHz