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通过在有机场效应晶体管 (OFET) 中加入天然粘土来提高虫胶的介电常数
1. 引言近年来，OLED 技术的巨大进步 [1,2,3] 和有机光伏 (OPV) 的迅猛发展证明了有机电子器件的工业和商业潜力。有报道称，体异质结设计中的经典有机光伏器件的效率接近 20%，而钙钛矿的效率甚至超过了这个值。这些里程碑式的进步使得此类发展如今既适用于小规模也适用于大规模应用 [4,5]。尽管如此，尽管最近电子器件和传感器取得了令人瞩目的进步，但下一代 OLED、太阳能电池和印刷电路（基于有机场效应晶体管 (OFET)）的制造在寻找新型更高性能半导体、基板和封装材料、电介质和加工条件 [6–11] 等方面仍面临挑战。有机材料在 RF 范围内（即兆赫甚至更高频率）在空气中的稳定运行将支持许多能够与硅基 CMOS 电路竞争的新技术的开发 [8,12–18]。当这些新型电子元件与生物传感元件相结合时，将为开发一次性诊断和药物输送技术开辟可能性[19–29]。
研究Mote2场效应晶体管中的电荷陷阱
抽象的二维基于材料的现场效应晶体管有望在电子和光电应用中使用。但是，晶体管中存在的陷阱状态已知会阻碍设备性能。他们在通道中捕获 /释放载体，并导致转移特征的滞后。在这项工作中，我们在两个不同的栅极介电介质SIO 2和H-BN上制造了MOTE 2场效应的晶体管，并研究了温度依赖性的电荷捕获行为在其传递曲线中的滞后。我们观察到，带有Sio 2后挡栅介电的设备受Sio 2绝缘子陷阱和MOTE 2的影响，后者在310 K以上的温度下变得突出。在传导带边缘以下389 MEV处的捕获能级。从发射电流瞬态测量中观察到了传导带边缘以下396 MeV的类似能级。从以前的计算研究中，我们预计这些陷阱状态将成为柜员的空缺。我们的结果表明，可以通过仔细选择栅极绝缘体来减少MOTE 2处效应晶体管中的电荷陷阱，从而为设备制造提供指南。
“磁感应能带边缘偏移作为 CrPS4 晶体管磁导机制”
在二维反铁磁半导体 CrPS 4 上实现的晶体管表现出大的磁导，这是由于磁场引起的磁状态变化。电导和磁状态耦合的微观机制尚不清楚。我们通过分析决定晶体管行为的参数——载流子迁移率和阈值电压——随温度和磁场的变化来确定它。对于接近尼尔温度 TN 的温度 T ，磁导源于由于施加的磁场导致的迁移率增加，从而降低了自旋涨落引起的无序。当 T << TN 时，变化的是阈值电压，因此在固定栅极电压下增加场会增加积累的电子密度。该现象通过导带边缘偏移来解释，该偏移是通过从头算正确预测的。我们的结果表明，CrPS 4 的能带结构取决于其磁状态，并揭示了一种以前未被发现的磁导机制。
标题：用于亲密接触的生物粘附性聚合物半导体和晶体管
传感表面与组织之间（4-6）。这要求设备具有柔软、可拉伸的特性，以适应曲线组织表面，同时电传感表面与组织之间具有稳定的粘合性。可拉伸生物电子材料和设备的开发已经取得了进展（7-12）。然而，对于需要电子材料与湿组织表面粘附性的界面粘合（13），成功率仅限于 10
单片 3D 集成中高效可扩展的带扩展栅极的 MIV 晶体管（已在 MWSCAS 2023 中接受）
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制，因此需要加以解决。以前的研究集中于利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，所提出的 MIV 晶体管的漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
基于二维 MoTe2 纳米结构的非挥发性光电晶体管
低维材料表现出奇特的物理特性。其中，过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料，例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2，作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体，表现出高效的光吸收率，从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中，M 是由六边形排列的原子组成的薄片，堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住，导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键，导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
灵活的现场效应晶体管构建技术，简短的评论
1.1 F-FET结构通常，F-FET由源，排水和门组成。它在绝缘底物上收缩。源和排水量沉积在半导体上，并通过导电电极（通常是金，铜或银）连接到外部电源。FET的门通常在基板的顶部或底部制造，这就是FET结构称为顶部或底部门的原因（图1）。基本上，电荷载体在施加的栅极电压的控制下流过FET。V GS和I DS之间的关系是I DS = µ（WC/2L）（V GS -V T）2，其中I DS是从排水源流到源的电流，C是绝缘体电容，V t是阈值电压，W是通道的差异，L是其长度，L是其长度，Schneider，Schneider等。[1]。
用于高性能有机场效应晶体管的液晶状活性层
摘要 高载流子迁移率和均匀的器件性能对于有机场效应晶体管 (OFET) 的器件和集成电路应用至关重要。然而，仍然需要实现高器件性能且批次间差异较小的策略。本文，我们报告了一种在 N，N'-双十三烷基苝-3，4，9，10-四羧酸二酰亚胺 (PTCDI-C 13 ) 模板上生长的 2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅基乙炔基)蒽二噻吩 (dif-TES-ADT) 薄液晶膜，并通过原子力显微镜和偏振荧光显微镜进行了确认。具有大结晶域的液晶膜可进一步用作 OFET 的载流子传输通道。结果，我们实现了高性能 OFET，饱和载流子迁移率为 1.62 ± 0.26 cm 2 V −1 s −1
无监督的机器学习应用程序，以识别MOSFET晶体管电离辐射效应的噪声事件的单事件瞬变（集合）
本文介绍了K-均无监督的机器学习算法的新应用，以在电子设备的重合离子辐照实验中识别噪声中的单个事件瞬态（SET）事件的问题。我们通过分析MOSFET晶体管的几种重型离子照射产生的集合事件的实验数据集来探索K-均值算法的性能。分别使用隔离森林和随机森林算法研究了所选特征（平均偏差，偏度和峰度）的数据异常和有效性。结果表明，K均值算法具有很高的能力，可以使用前四个统计矩作为特征从噪声中识别事件，从而允许将这种方法用于现场事件检测和诊断，而无需以前的算法训练或实验数据的预先分析。
通过氧化石墨烯改性有机晶体管传感器对人血浆中葡萄糖水平的非酶检测
其中，葡萄糖的便携式传感器需求量很高，因为糖尿病患者需要在日常生活中自加检查葡萄糖水平。2特别是，糖尿病并发症可能是由于血浆葡萄糖水平的波动或恒定的高葡萄糖水平引起的，3意味着准确的葡萄糖监测方法至关重要。朝着人类血液样品中葡萄糖进行准确检测，迄今已广泛开发酶传感器。基于检测酶的催化反应的原则（例如，葡萄糖氧化酶）具有很高的选择性和敏感性，而对酶电极的干扰影响可以通过电动活性物质的氧化来诱导（例如，抗坏血酸）在人类血液样本中。4此外，在实际的感应环境中，生物识别材料对物理和/或化学刺激的不稳定性仍然是一个关注点。2认为感应系统的鲁棒性，人造受体5