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侧向双极PNP晶体管的设计和制造...
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂（例如砷）。该植入物被称为埋藏层，因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域，它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂（如磷）扩散到碱基中时，发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。
FMMT591 PNP 硅外延平面晶体管
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具有转录控制计算和可塑性的混合晶体管
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第4章连接场效应晶体管理论和...
在A点和B点之间，它是JFET的欧姆地区。是欧姆定律遵循电压和当前关系的地区。在B点，对于V GS = 0条件，排水电流为最大，定义为I DSS。这是捏点，因为漏极到源电压V ds进一步增加。此时V ds电压称为捏电压V p。这也是电压点，在该电压点上，排出通力的电压V DG产生足够的耗竭厚度以缩小通道，从而使通道的电阻显着增加。由于V GS = 0，V DS也等于V DG。因此，通常，捏电压V P为V P = V DS（P）-V GS（4.1），其中V DS（P）是V GS值的捏合漏极到源电压。i dss和v p是制造商列出的给定JFET类型列出的常数值，这是Gate-to-Source电压v GS =0。
基于石墨烯场效应晶体管生物传感器...
VER 2013 年全球有 3500 万人患有痴呆症 [1]。预计这一数字每 20 年翻一番，到 2030 年将达到 6570 万人，到 2050 年将达到 1.154 亿人 [2]。老年痴呆症最常见的原因是阿尔茨海默病 (AD)，目前全球有超过 1700 万患者 [3]。AD 通常与错误折叠蛋白质（如淀粉样蛋白-β (Aβ) 肽）在脑中的沉积和聚集有关，并在中枢神经系统形成斑块 [4][5][6]。这些聚集体可以以纤维状和非纤维状形式观察到。Aβ 有两种同工型，Aβ40 和 Aβ42，它们以不同的速率自发结合成低聚物并产生纤维和斑块 [7][8]。由于 Aβ42 聚集体的生成速度比 Aβ40 更快，因此它可能更具神经毒性 [9]。AD 诊断生物传感器，例如基于半导体的场效应晶体管 (FET)，可以小型化电流笨重且
利用晶体管折叠布局作为 RHBD 技术......
随着晶体管特征尺寸的减小，HE 对高能粒子的敏感性会增加 [1-3]。由于电子系统广泛用于恶劣环境，文献中对缓解辐射影响的技术进行了大量的研究 [4-7]。可以从制造工艺修改到不同的设计实现来探索辐射加固策略。掺杂分布的修改、沉积工艺的优化和不同材料的使用都是众所周知的工艺加固辐射 (RHBP) 技术的例子。然而，除了成本较高之外，RHBP 通常比最先进的 CMOS 工艺落后几代，导致性能低下。另一方面，辐射加固设计 (RHBD) 已被证明可有效增强对辐射效应的抵抗力 [7]。这些技术可以在从电路布局到系统设计的不同抽象级别上实现。单粒子效应 (SEE) 的产生机制与集成电路 (IC) 的物理布局密切相关，例如，晶体管 pn 结中的能量沉积和电荷收集之间的关系。因此，可以在电路布局级别应用多种硬化方法，例如封闭布局晶体管 (ELT)、保护环、虚拟晶体管/栅极或双互锁存储单元 (DICE) [6-9]。
日常热带降水的极端对流的极端
最近，注意力集中在用低毒性和无毒阳离子替换PB上。理想的无铅候选者应具有低毒性，狭窄的直接带隙，高光吸收系数，较高的迁移率，低激子结合能，长载体寿命和稳定性。已经提出了几种可能毒性较小的化学兼容材料，例如SN，BI和GE作为PB的替代品，不仅降低了PB的毒性，还可以保留钙钛矿的独特光电特性。中，SN是一种环保的材料，广泛用于各种有希望的光电设备，例如太阳能电池和FET，因为它满足了电荷平衡，离子大小和协调的先决条件。[8] SN是元素周期表中的14组元素，它的离子半径（115 pm）与PB（119 pm）。像PB一样，SN具有惰性的外轨道，这对于获得金属卤化物钙钛矿的特殊电气和光学特性很重要。与基于PB的钙钛矿相比，基于SN的基于SN的钙钛矿还表现出相似的优质光电子特性，狭窄的带隙约为1.3 eV，高电荷迁移率约为600 cm 2 V -1 S -1，长载体扩散和寿命，以及高吸收系数，高吸收系数约为10 -4 cm -4 cm -1。[15]然而，由于SN在水分和氧气中环境中的稳定性较差，与PB相比，其性能较低。因此，为了环境和人类，需要进行连续而深入的研究以解决在钙钛矿场现场效应晶体管中替换SN时性能差的问题。
用于先进晶体管应用的高κ/金属栅极 | DR-NTU
1.2. 动机................................................................................................................................ 5
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
了解提供能源效率的新型晶体管技术
Royce工程与物理科学研究委员会（EPSRC）资助的工业合作计划（ICP）成功地与Royce材料科学和切削融资设施的专家进行了研究，开发和创新（RD＆I）项目，以真正的合作培训。此案例研究说明了剑桥大学剑桥甘恩设备（CGD）和罗伊斯之间ICP项目的结果。